Устройство в корпусе площадью 10.89 мм2 имеет типовое сопротивление открытого канала 61 мОм и показатель качества 854 мОм·нКл
Vishay Intertechnology представила новый 200-вольтовый n-канальный MOSFET с самым низким в отрасли типовым сопротивлением открытого канала 61 мОм при напряжении затвора 10 В в корпусе со сниженным тепловым сопротивлением PowerPAK 1212-8S размером 3.3 мм × 3.3 мм. Кроме того, до 854 мОм·нКл улучшено произведение сопротивления открытого канала транзистора на заряд затвора – критический показатель качества для MOSFET, используемых в коммутационных приложениях. Компактный прибор SiSS94DN, созданный подразделением Vishay Siliconix специально для увеличения удельной мощности, имеет на 65% меньшие размеры, чем устройства с аналогичным сопротивлением открытого канала в корпусах 6 мм × 5 мм.
Типовое сопротивление открытого канала анонсированного MOSFET, изготавливаемого по технологии TrenchFET четвертого поколения, на 20% ниже, чем у лучшего конкурирующего продукта на рынке с аналогичными размерами корпуса, а его показатель качества на 17% ниже, чем у решений предыдущего поколения. Такие значения снижают потери проводимости и переключения, обеспечивая общую экономию энергии. Благодаря компактным размерам, гибкое устройство позволяет разработчикам экономить место на печатной плате, заменяя MOSFET гораздо большего размера с такими же потерями проводимости или MOSFET аналогичного размера с более высокими потерями проводимости.
SiSS94DN идеально подходит для коммутации на первичной стороне изолированных DC/DC преобразователей и синхронного выпрямления в телекоммуникационном оборудовании, компьютерной периферии и бытовой электронике, в схемах светодиодной подсветки ноутбуков, LED-телевизоров, автомобилей и судов, а также в драйверах двигателей, переключателях нагрузки и преобразователях энергии для GPS, средств автоматизации производства и промышленных приложений.
Устройства подвергаются стопроцентной проверке на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов.
В настоящее время доступны образцы и промышленные количества транзисторов SiSS94DN. Время выполнения заказа составляет 12 недель в зависимости от рыночных условий.
