LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы
РадиоЛоцман - Все об электронике

Toshiba выпускает новый карбидокремниевый MOSFET с допустимым напряжением стока 1200 В

Toshiba TW070J120B

Устройство позволяет значительно сократить потери, повысив, тем самым, КПД преобразователей энергии

Toshiba Electronics Europe выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) MOSFET для мощных промышленных приложений, включая AC/DC источники питания с входным напряжением 400 В AC, фотогальванические инверторы и двунаправленные DC/DC преобразователи для источников бесперебойного питания.

Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Toshiba - TW070J120B

Новый мощный MOSFET TW070J120B основан на SiC – новом широкозонном материале, который позволяет устройствам обеспечивать лучшую устойчивость к высоким напряжениям, более высокую скорость переключения и более низкое сопротивление в открытом состоянии, чем обычные кремниевые MOSFET или биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). В результате новый MOSFET внесет значительный вклад в снижение энергопотребления и повышение плотности мощности, дав возможность уменьшить размеры системы.

Изготавливаемый с использованием технологии Toshiba второго поколения, новый SiC MOSFET отличается повышенной надежностью. Кроме того, в TW070J120B реализована низкая входная емкость 1680 пФ (тип.), низкий заряд затвора 67 нКл (тип.) и сопротивление сток-исток в открытом состоянии всего 70 мОм (тип.).

По сравнению с кремниевыми 1200-вольтовыми IGBT, такими как выпускаемый Toshiba прибор GT40QR21, новое устройство снижает потери переключения примерно на 80% и время переключения (время спада) примерно на 70%, обеспечивая при этом низкое сопротивление открытого канала при токе стока до 20 А.

Пороговое напряжение затвора установлено высоким (в диапазоне от 4.2 В до 5.8 В), что снижает вероятность непреднамеренного или ложного включения или выключения. Кроме того, включение SiC диода Шоттки с низким прямым напряжением всего –1.35 В (тип.) также помогает снизить потери.

Упакованный в корпус TO-3P(N) новый MOSFET TW070J120B позволит разработчикам создавать источники питания с более высоким КПД, особенно в промышленных приложениях, где повышенная плотность мощности также будет способствовать уменьшению размера и веса оборудования.

Поставки нового устройства уже начались

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Toshiba Launches 1200 V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
ChipWorker
Весь мир
TW070J120B,S1Q
Toshiba
3 134 ₽
ЭИК
Россия
TW070J120B,S1Q
Toshiba
от 5 163 ₽
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя