Vishay выпускает лучший в мире 80-вольтовый P-канальный автомобильный MOSFET

Сертифицированное по стандарту AEC-Q101 устройство с лучшим в отрасли фактором качества в компактном корпусе PowerPAK SO-8L с выводами в виде крыла чайки

Vishay Intertechnology представила лучший в мире p-канальный 80-вольтовый TrenchFET MOSFET, сертифицированный в соответствии со стандартом AEC-Q101. Разработанный подразделением Vishay Siliconix новый прибор SQJA81EP с самым низким сопротивлением открытого канала среди всех p-канальных устройств с допустимым напряжением стока –80 В увеличит удельную мощность и КПД автомобильных приложений. Транзистор SQJA81EP в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5.13 мм × 6.15 мм при напряжении затвора 10 В имеет максимальное сопротивление канала 17.3 мОм и типовое сопротивление 14.3 мОм.

Сопротивление открытого канала этого MOSFET на 28% ниже, чем у ближайших конкурирующих устройств в корпусах DPAK, при этом площадь устройства на 50% меньше, а по сравнению с решениями предыдущего поколения площадь сокращена на 31%. Это экономит энергию за счет минимизации потерь проводимости и увеличивает удельную мощность. В сочетании с превосходным зарядом затвора – до 52 нКл при напряжении 10 В, – снижающим потери на управление, совокупность параметров SQJA81EP дает лучшее в своем классе произведение сопротивления открытого канала на заряд затвора, что является критическим показателем качества для MOSFET, используемых в приложениях преобразования энергии.

Устройство, способное работать при высоких температурах до +175 °C, гарантирует надежность, необходимую для автомобильных приложений, таких как защита от переполюсовки, управление батареей, коммутация нагрузки в верхнем плече и светодиодное освещение. Кроме того, выводы SQJA81EP в виде крыла чайки позволяют расширить возможности автоматического оптического контроля и обеспечивают снятие механических напряжений для повышения надежности на уровне платы.

Номинальное напряжение стока –80 В обеспечивает запас прочности, необходимый для поддержки нескольких популярных шин входного напряжения, включая системы 12 В, 24 В и 48 В. Повышенная плотность мощности новых MOSFET экономит место на печатной плате в этих системах за счет уменьшения количества компонентов, включаемых параллельно. Кроме того, как и всякое p-канальное устройство, SQJA81EP упрощает конструкцию драйвера затвора, не требуя зарядового насоса, необходимого его n-канальным аналогам. Транзисторы проходят стопроцентную проверку на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат свинца и галогенов.

В настоящее время доступны единичные образцы и промышленные партии транзисторов SQJA81EP. Срок поставки приборов составляет 14 недель.