Швейцарские инженеры из Федеральной политехнической школы Лозанны изготовили полевой транзистор с использованием одиночного слоя молибденита.
Сейчас самым перспективным «двумерным» материалом электроники считается графен, обеспечивающий высокую подвижность носителей заряда. Ученые мгновенно оценили его потенциал, и новые варианты графеновых транзисторов, среди которых встречаются, к примеру, рекордно быстрые, появляются очень часто. Правда, у «чистого» графена есть один существенный недостаток: он не имеет запрещенной зоны. Способы ее формирования известны, но дополнительные операции усложняют изготовление транзисторов.
Молибденит – довольно распространенный минерал, сульфид молибдена MoS2 – обычно используется как компонент смазок. Монослои MoS2 в экспериментах демонстрировали запрещенную зону шириной в 1.8 эВ, однако зарегистрированная подвижность носителей заряда (0.5…3.0 см2·В–1·с–1) оказалась слишком мала для применения в электронике.
 |
| Схема молибденитового транзистора |
В своем транзисторе авторы использовали в качестве диэлектрика затвора оксид гафния HfO2, который имеет высокое значение диэлектрической проницаемости. Опыты показали, что при комнатной температуре подвижность носителей поднимается как минимум до 200 см2·В–1·с–1, что сравнимо с показателями графеновых нанолент. Измеренное отношение токов в открытом и закрытом состоянии составило около 108.
