Компания EPC анонсировала набор 100-вольтовых 65-амперных микросхем, предназначенных для DC/DC преобразования напряжения 48 В в вычислительных приложениях высокой плотности, а также для драйверов 48-вольтовых бесщеточных двигателей постоянного ...
EPC announces the introduction of a 100 V, 65 A integrated circuit chipset designed for 48 V DC-DC conversion used in high-density computing applications and in 48 V BLDC motor drives for e-mobility, robotics, and drones. The EPC23101 eGaN IC plus ...
Полностью изолированный 65-амперный датчик тока на основе AMR доступен в версиях 3.3 и 5 В ACEINNA анонсировала самый точный и широкополосный в отрасли сильноточный датчик тока MCx1101 с диапазоном измерений 65 А. Этот основанный на анизотропном ...
65 Amp, AMR Based, Fully Isolated Current Sensor available in 3.3- and 5-Volt versions ACEINNA announced the high current 65 Amp MCx1101 Current Sensor, the industry’s most accurate and highest bandwidth current sensor. Designed for WBG ...
Построение источников бесперебойного питания с двойным преобразованием, широко используемых в современных хранилищах данных, на базе карбид-кремниевых MOSFET производства Wolfspeed позволяет уменьшить мощность потерь в них до 40%, а также ...
Новосибирский НИИ электронных приборов холдинга Технодинамика начал поставки умного электротехнического оборудования для энергетических компаний России. Первая партия вакуумных выключателей с блоками управления отправлена потребителям. Общая сумма ...
Концерн Радиоэлектронные технологии Госкорпорации Ростех открыл первую станцию для зарядки электромобилей в Рязанской области. На сегодняшний день установлены уже 160 ЭЗС Ростеха в 30 регионах России. Ожидается, что концу 2021 года их количество ...
АО Ангстрем завершил цикл испытаний IGBT модуля AnM450HBE12M на 1200 В и 450 А в компактном корпусе 17×62×122 мм и готов предложить клиентам новую продукцию. АО Ангстрем единственное предприятие в России, разрабатывающее и производящее ...
Компания Analog Devices выпустила на рынок новые изолированные драйверы затвора ADuM4221 с максимальным выходным током 4 А, предназначенные, в первую очередь, для управления высокоскоростными карбид-кремниевыми (SiC) и галлий-нитридными (GaN) ...
ON Semiconductor анонсировала два 1200-вольтовых полностью карбидокремниевых (SiC) MOSFET модуля, еще больше расширяющих ассортимент ее продуктов, предназначенных для требовательного рынка электромобилей. Продолжающийся рост продаж электромобилей ...
ON Semiconductor has announced a pair of 1200 V full silicon carbide (SiC) MOSFET 2-PACK modules further enhancing their range of products suitable for the challenging electric vehicle (EV) market. As sales of EV continue to grow, infrastructure ...
Продолжая расширять свой портфель полевых транзисторов, UnitedSiC представила шесть новых 650- и 1200-вольтовых приборов, размещенных в стандартном для отрасли корпусе для поверхностного монтажа D2PAK-7L. Эти новейшие карбидокремниевые (SiC) ...
UnitedSiC continues to expand its FET portfolio with the introduction of six new 650 V and 1200 V options, all housed in the industry standard D2PAK-7L surface mount package. Available in 30, 40, 80 and 150 mΩ versions, these latest SiC FETs ...
Vishay Intertechnology представила новый универсальный 30-вольтовый n-канальный MOSFET, изготавливаемый по технологии TrenchFET пятого поколения и обеспечивающий повышенные значения плотности мощности и КПД как для изолированных, так и для ...
Vishay Intertechnology introduced a versatile new 30 V n-channel TrenchFET® Gen V power MOSFET that delivers increased power density and efficiency for both isolated and non-isolated topologies. Offered in the 3.3 mm by 3.3 mm thermally ...
