Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать на базе того же карбида кремния решения для ...
Для достижения наилучших характеристик на системном уровне от конструкций современных систем питания требуются высокие значения удельной мощности и малые размеры. Infineon Technologies решает эту проблему, уделяя повышенное внимание системным ...
Contemporary power system designs demand high power density levels and small form factors to maximize system-level performance. Infineon Technologies tackles this challenge by focusing on system innovation with enhancements on the component level. ...
Устройство позволяет значительно сократить потери, повысив, тем самым, КПД преобразователей энергии Toshiba Electronics Europe выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) MOSFET для мощных промышленных приложений, включая AC/DC источники ...
Device offers significantly reduced losses thereby increasing power solution efficiency Toshiba Electronics Europe has launched a 1200 V silicon carbide (SiC) MOSFET for high power industrial applications including 400 V AC input AC-DC power ...
Выпущенное Apex Microtechnology устройство PA22 устанавливает новый стандарт характеристик усилителей мощности, используемых в различных приложениях, требующих высокого быстродействия и кратковременного рассеивания большой мощности. Это устройство ...
The PA22 from Apex Microtechnology establishes a new benchmark in power amplifier performance for a variety of applications where high speed and short-term power dissipation is a must. With this device, designers are offered exceptional power ...
Эти 200-вольтовые eGaN полевые транзисторы нового поколения идеальны для синхронных выпрямителей с выходным напряжением 48 В, аудиоусилителей класса D, солнечных микроинверторов и оптимизаторов, а также многоуровневых высоковольтных AC/DC ...
These new generation 200 V eGaN® FETs are ideal for 48 V OUT synchronous rectification, class-D audio, solar microinverters and optimizers, and multilevel, high-voltage AC/DC converters EPC advances the performance capability while lowering the ...
Alpha and Omega Semiconductor анонсировала выпуск 30-вольтового MOSFET AONS32310 с низким сопротивлением открытого канала и широкой областью безопасной работы (Safe Operating Area, SOA), который идеально подходит для таких ответственных приложений, ...
Alpha and Omega Semiconductor announced the release of, AONS32310 , a 30 V MOSFET with low on-resistance and a high Safe Operating Area (SOA) capability which is ideally suited for demanding applications such as hot swap and e-fuse. A high SOA is ...
Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволяют преодолевать ограничения, ...
Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS, карбид-кремниевых транзисторов CoolSiC и ...
Новые силовые микросхемы GaNFast со встроенным теплоотводом сделают зарядные устройства еще более быстрыми и миниатюрными Navitas Semiconductor объявила о выпуске новой серии 650-вольтовых силовых микросхем семейства GaNFast в корпусах PQFN с ...
New GaNFast Power ICs with Integrated Cooling Pad Enable Even Faster Charging in Smaller Sizes Navitas Semiconductor announced a new range of 650 V-rated GaNFast power ICs in 6 × 8 mm PQFN packaging with a proprietary, integrated cooling pad ...
Уфимское агрегатное производственное объединение холдинга Технодинамика успешно провело испытания на увеличение мощности выпрямительного устройства ТВУ-9-800, предназначенного для воздушных судов нового поколения. В ходе имитации трехчасового ...