Статьи и новости по силовой электронике - 5Сопротивление электронной нагрузки достигает нуля Общий подход к созданию электронных нагрузок заключается в использовании транзистора, подключенного к входным зажимам так, чтобы ток протекал от стока (коллектора) к истоку (эмиттеру). Сопротивление моделируется протекающим током...
Новосибирские инженеры официально завершили испытания первого российского «умного» накопителя энергии большой мощности Новосибирские инженеры из компании «Системы накопления энергии» и ученые НГТУ НЭТИ завершили испытания головного образца первого отечественного «умного» накопителя энергии большой мощности...
Wolfspeed выпускает 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением канала Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала...
Усовершенствованный двуполярный стабилизатор на ОУ и мощных полевых транзисторах с токовой защитой и ультранизким уровнем пульсаций В статье приведены принципиальные схемы, разводка плат и фотографии двуполярного стабилизатора напряжений ±14 В с максимальными токами 9.5 А по каждому из них на базе ОУ...
Вышел электронный журнал "РадиоЛоцман" 2019, 05 06.06.2019 · Книги · Электронные компоненты · Микроконтроллеры · Силовая электроника · Измерительные приборы · Беспроводные · Солнечная энергетика · Светотехника · Аудио Ежемесячный электронный журнал в формате PDF для тех, кто интересуется электроникой. Распространяется бесплатно на сайте РадиоЛоцман...
Новые SBR диоды Diodes повысят КПД и надежность автомобильных световых приборов Компания Diodes представила выпрямительные диоды с «супер барьером» SBR10M100P5Q и SBR8M100P5Q, изготовленные по запатентованной Diodes оригинальной технологии. Новые приборы, отвечающие требованиям автомобильных стандартов, могут значительно сократить потери мощности и снизить рабочие температуры в автомобильных приложениях...
GaN Systems представляет самые сильноточные в отрасли мощные GaN транзисторы GaN Systems анонсировала самые сильноточные в отрасли 650-вольтовые GaN транзисторы с высокой подвижностью электронов (E-HEMT), добавив к своей линейке GaN продуктов 150-амперные приборы GS-065-150-1-D и 80-амперные GS-065-080-1-D...
Вышло второе издание книги "Силовая электроника: от простого к сложному" Доступным языком рассказывается об основах проектирования импульсных устройств электропитания, о перспективной элементной базе, особенностях ее применения и оптимальном выборе, приведены практические конструкции...
Чем отличается понижающий преобразователь от повышающего? Часть 2 Выбор используемых в схеме полупроводниковых приборов – транзисторов VT1 и диодов VD1 – осуществляется на основе максимальных значений токов в проводящем состоянии и максимальных значений напряжений в непроводящем. Те, кто уже знаком с особенностями работы импульсных преобразователей, знают, что токи этих полупроводниковых приборов определяются током дросселя...
Чем отличается понижающий преобразователь от повышающего? Часть 1 Импульсные преобразователи понижающего и повышающего типов имеют приблизительно одинаковое количество компонентов, массу, габариты и стоимость, однако выполняют диаметрально противоположные задачи: понижающая схема уменьшает, а повышающая увеличивает уровень входного напряжения, причем обратные функции, соответственно, увеличения или уменьшения напряжения для них недоступны...
|
|
|