Евгений Белкин Техносфера Пока далекие от техносферы диванные эксперты вещают о нашей технической отсталости, в России активно развивается отрасль проектирования и выпуска аддитивного оборудования. По итогам 2018 года доля российских 3D-принтеров ...
.. device in high port density environment. The device is designated as an QSFP+ 3SR4 solution, where the digit 3 represents 300m link distance using OM3 MMF. The AFBR-79E3PZ is designed to operate over MMF systems using a nominal wavelength ...
Полностью карбидокремниевые 300-амперные полумостовые модули с рабочим напряжением 1.2 кВ позволят удвоить плотность мощности и поднять до 99% КПД индукционных нагревателей, центральных инверторов солнечных электростанций и активных драйверов ...
All-SiC 300 A, 1.2 kV Half-Bridge Module Doubles Power Density and Enables Efficiencies up to 99 percent in Induction Heating, Central Solar Inverters and AFE Motor Drives Cree ’s silicon-carbide (SiC) technology continues to enable smaller, ...
Компания Microchip Technology анонсировала выпуск специализированной микросхемы, выполняющей функции конвертера протоколов USB/SPI MCP2210 . Это однокристальное решение поддерживает HID класс устройств USB, выполнено в компактном корпусе QFN, ...
.. designs and support a wide range of applications. According to eTForecasts, current annual PC shipments are greater than 300M and are projected to grow to more than 500M within the next four years. While most PCs have standardized on USB ...
Diodes анонсировала новое семейство малосигнальных биполярных транзисторов, выпускающихся в миниатюрном корпусе DFN размером 1 × 0.6 мм с электрическими характеристиками эквивалентными устройствам в значительно более крупных корпусах. Новые ...
.. the devices ideal for handling load-switching applications. The family also delivers typical On-resistance of less than 300mΩ at 0.5A, reducing conduction losses. diodes.com
.. P-Channel 1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET -20V, -1A, 90m Features Max rDS(on) = 90m Max rDS(on) = 130m Max rDS(on) = 300m at VGS = -4.5V, ID = -1A at VGS = -2.5V, ID = -1A at VGS = -1.7V, ID = -1A Спецификации: Полярность транзистора: ...
.. 1 Form A Slim Power Relay LD-RELAYS 4. High shock resistance The relay withstands a functional shock resistance of 300m/s2 [approx. 30 G more] 5. High insulation resistance · Creepage distance and clearances between contact and coil: ...
.. 1 Form A Slim Power Relay LD-RELAYS 4. High shock resistance The relay withstands a functional shock resistance of 300m/s2 [approx. 30 G more] 5. High insulation resistance · Creepage distance and clearances between contact and coil: ...