OKW: приборные корпуса из Германии

Публикации: BUK7V4R2

Поиск по: "BUK7V4R2"
Найдено: 3 Вывод: 1-3
  1. .. на прижимном контакте, обеспечивает снижение этой индуктивности на 60%. Новые MOSFET полумосты получили обозначения BUK7V4R2-40H и BUK9V13-40H . В производстве обоих приборов используется надежный кремниевый техпроцесс Trench 9, ...
    .. the LFPAK56D half-bridge package achieves 60% less inductance. The new LFPAK56D half-bridge MOSFETs launched are the BUK7V4R2-40H and the BUK9V13-40H . Both utilise the highly robust Trench 9 automotive silicon process technology, ...
    01-03-2021
  2. 14 предложений от 3 поставщиков
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 69,5А; Idm: 393А; 85Вт
    Utmel
    Весь мир
    BUK7V4R2-40HX
    Nexperia
    от 220 ₽
    BUK7V4R2-40HX
    Nexperia
    от 354 ₽
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023
  1. Datasheets Nexperia BUK7V4R2-40HX
    Datasheet Nexperia BUK7V4R2-40HX
    Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор стандартного уровня 40 В, 4,2 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) Двойной N-канальный МОП-транзистор стандартного уровня в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
    01-03-2021
  1. Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор стандартного уровня 40 В, 4,2 мОм в LFPAK56D (полумостовая конфигурация) Двойной N-канальный МОП-транзистор стандартного уровня в корпусе LFPAK56D (полумостовая конфигурация), использующий технологию ...
    01-03-2021
Поиск "BUK7V4R2" в других поисковых системах: DataSheet.ru
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России