Публикации: DSS 2 X 41-01A - 4

31. IRFZ46N — Datasheet International Rectifier
    Datasheets
    .. мощный МОП-транзистор, V DSS = 55 В, R DS ( вкл ) = 16,5 мОм, I D = 30 А, TO-220AB
    27-05-2020

Купить 41-01A на РадиоЛоцман.Цены — от 129 до 12 942 ₽ 341 предложений от 23 поставщиков Термос-диспенсер P.L. Proff Cuisine "Kinox" 4101A используется на небольших предприятиях общественного питания и торговли, в офисах, гостиницах, а также …
ТМ Электроникс Россия	PR4101A	от 129 ₽	Купить
Utmel Весь мир	97-4101A-16S-1S(621) Amphenol	от 1 505 ₽	Купить

32. IRLZ34N — Datasheet International Rectifier
    Datasheets
    .. мощный МОП-транзистор, V DSS = 55 В, RDS ( вкл ) = 0,035 Ом, I D = 30 А, TO-220AB
    27-05-2020

33. STW88N65M5 — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets
    .. density and outstanding efficiency. Features: 100% avalanche tested Easy to drive Excellent switching performance Higher V DSS rating Higher dv/dt capability Worldwide best R DS(on) in TO-247
    01-12-2019
34. Операционный усилитель делает повторяемыми схемы с полевыми транзисторами
    Схемы Аналоговая схемотехника Analog Devices LT1097
    .. усилителя состоит в смещении напряжения V GS JFET к уровню 0 В и, следовательно, в смещении тока I D к значению I DSS . (Здесь V GS напряжение затвор-исток, I D ток стока, I DSS ток стока при нулевом напряжении на затворе). Усилитель ...

    Op amps make JFET circuits repeatable

    .. the topology that Figure 1 shows. The purpose of the op amp is to bias the JFET at V GS = 0 V and, therefore, at I D = I DSS . It meets this goal by increasing the current in the bipolar transistor until V GS = 0 V and I D = I DSS . Figure ...

    15-12-2020
35. Источник опорного напряжения улучшает характеристики полевого транзистора
    Схемы Аналоговая схемотехника National Semiconductor LM4130 · Питание National Semiconductor
    .. 1а, имеет средний выходной импеданс и большой производственный разброс напряжения отсечки V P и начального тока стока I DSS . Эти производственные разбросы ограничивают начальную точность установки тока, которую может иметь схема при ...

    Voltage reference improves JFET

    .. common JFET current-source in Figure 1a has average output impedance and depends heavily on the JFET's V P and I DSS variations. These manufacturing variations limit the initial accuracy of the current setpoint that the circuit can ...

    22-07-2021
36. LC-генераторы на полевом транзисторе с p-n переходом
    Herminio Martinez
    Статьи Генераторы ON Semiconductor 2N3819
    .. на основе JFET, включенного по схеме с общим стоком. Когда JFET работает в области насыщения, ток стока I D равен: где I DSS максимальный ток насыщения, V GS напряжение затвор-исток, V P напряжение отсечки. Для моделирования JFET в этой ...

    JFETs Offer LC Oscillators with Few Components

    Herminio Martinez

    .. transistor, as a common drain. When the JFET transistor works in the saturation zone, the drain current, I D , is: where I DSS is the maximum saturation current and V P is the pinch-off voltage. You can model the JFET in this saturation zone ...

    21-10-2021
37. IXFK73N30 — Datasheet IXYS -
    Datasheets IXYS IXFK73N30
    

    .. Краткое содержание документа: HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr V DSS IXFK 73 N 30 IXFN 73 N 30 ID25 RDS(on) 45 m 45 m Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain ...
    18-12-2007
38. International Rectifier анонсирует новые силовые MOSFET для инжекторов бензиновых и дизельных двигателей
    Новости Дискретные компоненты Авто Силовая электроника International Rectifier AUIRFR4292 AUIRFS6535
    .. окружающей среды, не содержат свинца и отвечают предписаниям директивы RoHS. Технические характеристики Прибор Корпус V (BR)DSS (В) R DS(ON) макс. при V GS = 10 В (мОм) I D макс при T C = 25 C (А) Q G тип. при V GS = 10 В (нК) AUIRFR4292 D-PAK ...

    IR Introduces Automotive Power MOSFETs Optimized for Piezo Injection Systems for Gasoline and Diesel Engines

    .. an environmentally friendly, lead-free and RoHS compliant bill of materials. Specifications Part Number Package V (BR)DSS (V) R DS(ON) MAX. @ 10V GS (mOhm) I D MAX @ T C = 25 C (A) Q G TYP. @ 10V GS (nC) AUIRFR4292 D-PAK 250 345 9.3 13 ...

    10-08-2012
39. Электронный журнал "Радиоежегодник" - Выпуск 17. Измерения. Обзор за 2012 г.
    Книги Измерения Радиоежегодник
    

    .. основных терминов Точность, разрешающая способность и порог чувствительности Радио Портативный цифровой осциллограф DSS-31 (ATmega32A, AD7822BR) Звуковой пробник для проверки транзисторов Изготовление измерительных щупов Цифровой ...
    12-10-2012
40. Простое устройство для измерения параметров полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
    Схемы Измерения
    .. из этой аппроксимации, начальный ток стока при нулевом напряжении затвор-исток можно выразить следующим соотношением: I DSS = βV P 2 , где I DSS начальный ток стока. Рисунок 1. Зависимость I D от V GS для n-канальных полевых ...

    Simple circuit lets you characterize JFETs

    .. Fattaruso, Dallas, TX EDN Measure the pinch-off voltage V P and zero-bias drain current I DSS to select matched pairs of JFETs When working with discrete JFETs, designers may need to accommodate a large ...

    10-03-2013

Сортировать по: релевантность / дата