.. с низким напряжением насыщения (150 мВ) может выдерживать броски тока до 1 А. 20-60-вольтовые MOSFET транзисторы, такие как PMZB290UN , характеризуются чрезвычайно низким сопротивлением (до 250 мОм), что снижает потери проводимости. ...
.. currents of up to 1 A, while featuring an ultra-low saturation voltage of 150 mV. NXP's 20-60 V MOSFETs such as the PMZB290UN feature extremely low on-resistance down to 250 mΩ, which reduces conduction losses. These ...
01-08-2012
Поиск "PMZB290UN" в других поисковых системах: DataSheet.ru
