Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Микросхемы для импульсных источников питания

Алексей Арбузов
Новости электроники 1, 2007

Как правило, в преобразователях для стабилизации выходного напряжения используется широтно-импульсная модуляция. Основным недостатком такого способа управления является высокий уровень помех и недостаточно высокий КПД. В данной статье рассказывается о микросхемах компании Fairchild с квазирезонансным методом управления и о преимуществах их использования при разработке.

Сегодня можно с уверенностью сказать, что в мире не найдется ни одного электронного прибора, который не имел бы в своем составе источник электропитания.

За последнее десятилетие технология производства полупроводниковых микросхем достигла такого высокого уровня, что стало возможным разместить на одном кристалле микросхемы контроллер и мощный высоковольтный полевой транзистор с напряжением до 800 В (!) и током до 15 А. Это, в свою очередь, позволило строить импульсные источники питания с выходной мощностью до 300 Вт. Одновременно существенно сократилось количество элементов обвязки, значительно выросла надежность и технологичность всего источника, а также уменьшилось время на разработку.

Компания Fairchild выпускает микросхемы для построения импульсных источников питания с диапазоном выходных мощностей от единиц до сотен Вт. Это микросхемы семейства Green FPS Family, отвечающие современным мировым тенденциям повышения эффективности и экономии энергоресурсов. Отличительной особенностью данных микросхем является то, что вместо стандартного ШИМ здесь используется квазирезонансный метод управления. Это позволяет существенно снизить активные (динамические) потери энергии в мощном высоковольтном полевом транзисторе, что увеличивает КПД на 3-5%, а также помогает уменьшить уровень высокочастотных электромагнитных излучений за счет упрощения схемы фильтрации и подавления нежелательных помех.

Возникает вопрос: каким образом и за счет чего снижаются динамические потери в транзисторе?

Динамические потери бывают двух типов: в момент включения и в момент выключения. Потери при включении обусловлены, вопервых, наличием тока во вторичной обмотке и временем восстановления выпрямительного диода; во-вторых, высоким уровнем напряжения на стоке транзистора.

Потери при выключении обусловлены, во-первых, наличием тока в первичной обмотке, а во-вторых, временем запирания транзистора. Потери в момент выключения снижаются за счет дополнительного высоковольтного конденсатора, который подключается параллельно основному транзистору между стоком и истоком. Это приводит к тому, что транзистор выключается быстрее, чем на нем успевает измениться напряжение.

Читать далее статью в полном обьеме (pdf)

 

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Диаграмма работы квазирезонансного преобразователя

Диаграмма работы квазирезонансного преобразователя

Источник питания на микросхеме серии FSCQxx65R

Источник питания на микросхеме серии FSCQxx65R

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя