Fuji Electric

Дискретные силовые полупроводники, силовые модули, интегральные микросхемы. Широкая гамма силовых IGBT модулей с предельными параметрами до 1800 В и рабочими токами до 800 А (при этих значениях - напряжение насыщения - менее 4.5 В). Диодные модули с предельными параметрами до 1600 В и рабочими токами до 300 А. Интеллектуальные силовые модули (IPM). Интегрированные силовые модули (PIM). Мощные MOSFET транзисторы с рабочими напряжениями до 1000 В. Диоды с барьером Шоттки, высоковольтные диоды (до 20 кВ), высоковольтные диоды с быстрым восстановлением, диоды с малыми потерями. Биполярные транзисторы. Защитные устройства. Интегральные микросхемы для преобразовательной техники, источников питания, корректоров мощности. Частотные преобразователи, законченные силовые узлы. Fuji Semiconductor, Inc. www.fujisemiconductor.com является подразделением FUJI ELECTRIC CO.