Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) со сверхбыстрым диодом с мягким восстановлением в корпусе TO-274AA
Infineon International Rectifier
Цена от 933 ₽
26 предложений от 16 поставщиков
IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
ON Semiconductor Rochester Electronics
Цена от 117 ₽
20 предложений от 16 поставщиков
IGBT 390V 20A TO-252
Littelfuse ON Semiconductor Rochester Electronics
Цена от 19.2 ₽
25 предложений от 18 поставщиков
IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
Diodes
Цена от 120 ₽
6 предложений от 6 поставщиков
Тип IGBT: Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 В
Current - Collector (Ic) (Max): 100 А
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 А
Мощность макс.: 428 Вт
Тип входа: Стандартный
Gate Charge: 95 нКл
Reverse Recovery Time (trr): 205 нс
Рабочая температура: -40~175 °C
Способ монтажа: В отверстия
Корпус: TO-247-3
Статус продукта: Снят с производства
Упаковка: Tube
IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
Diodes
Цена от 140 ₽
6 предложений от 6 поставщиков
Тип IGBT: Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 В
Current - Collector (Ic) (Max): 100 А
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 А
Мощность макс.: 375 Вт
Тип входа: Стандартный
Gate Charge: 287 нКл
Reverse Recovery Time (trr): 80 нс
Рабочая температура: -40~175 °C
Способ монтажа: В отверстия
Корпус: TO-247-3
Статус продукта: Снят с производства
Упаковка: Tube
IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-247
Diodes
Цена от 175 ₽
6 предложений от 6 поставщиков
Тип IGBT: Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 В
Current - Collector (Ic) (Max): 80 А
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 А
Мощность макс.: 230 Вт
Тип входа: Стандартный
Gate Charge: 60 нКл
Reverse Recovery Time (trr): 60 нс
Рабочая температура: -40~175 °C
Способ монтажа: В отверстия
Корпус: TO-247-3
Статус продукта: Снят с производства
Упаковка: Tube
IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247
Diodes
Цена от 285 ₽
7 предложений от 7 поставщиков
Тип IGBT: Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 В
Current - Collector (Ic) (Max): 80 А
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 А
Мощность макс.: 357 Вт
Тип входа: Стандартный
Gate Charge: 341 нКл
Reverse Recovery Time (trr): 100 нс
Рабочая температура: -55~150 °C
Способ монтажа: В отверстия
Корпус: TO-247-3
Статус продукта: Снят с производства
Упаковка: Tube
IGBT 600V 54A TO-220-3
Fairchild Fujitsu-Siemens Harris ON Semiconductor Rochester Electronics Texas Instruments
Цена от 54.3 ₽
53 предложения от 22 поставщиков
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Fairchild ON Semiconductor
Цена от 78.2 ₽
22 предложения от 18 поставщиков
IGBT 600V 40A TO-3PF
Fairchild ON Semiconductor
Цена от 86.7 ₽
19 предложений от 12 поставщиков
IGBT
Fairchild ON Semiconductor
Цена от 43.0 ₽
23 предложения от 18 поставщиков
IGBT 600V 54A TO-220-3
Fairchild ON Semiconductor
Цена от 107 ₽
33 предложения от 22 поставщиков
IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Fairchild ON Semiconductor
Цена от 56.6 ₽
25 предложений от 16 поставщиков
IGBT FIELD STOP 600V 10A TO-220
Fairchild ON Semiconductor
Цена от 37.2 ₽
22 предложения от 14 поставщиков
IGBT 600V 75A TO-247
Fairchild ON Semiconductor
Цена от 579 ₽
29 предложений от 21 поставщика
IGBT 600V 63A TO-247
Fairchild Freescale ON Semiconductor Renesas
Цена от 290 ₽
41 предложение от 22 поставщиков
IGBT 600V 75A TO-247
Fairchild Freescale ON Semiconductor Rochester Electronics
Цена от 416 ₽
49 предложений от 22 поставщиков
IGBT 300V 180A TO-3P
Fairchild ON Semiconductor Rochester Electronics
Цена от 327 ₽
18 предложений от 14 поставщиков
IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Fairchild ON Semiconductor
Цена от 187 ₽
23 предложения от 13 поставщиков
IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
Fairchild ON Semiconductor Rochester Electronics
Цена от 188 ₽
17 предложений от 14 поставщиков
