Цены - IGBT

Тип IGBT

Field Stop

Trench Field Stop

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

 300 В

 390 В

 600 В

 650 В

1200 В

1350 В

Current - Collector (Ic) (Max)

 10 А

 13 А

 14 А

 17 А

 20 А

 23 А

 28 А

 30 А

 40 А

 45 А

 50 А

 54 А

 60 А

 63 А

 75 А

 80 А

 90 А

100 А

120 А

180 А

Current - Collector Pulsed (Icm)

 15 А

 20 А

 21 А

 30 А

 36 А

 40 А

 50 А

 52 А

 60 А

 80 А

 90 А

 96 А

100 А

108 А

120 А

150 А

160 А

180 А

200 А

220 А

240 А

252 А

300 А

450 А

Vce(on) (макс.) при Vge, Ic

Мощность макс.

 30.0 Вт

 41.0 Вт

 48.0 Вт

 54.4 Вт

 60.0 Вт

 69.0 Вт

 70.0 Вт

 83.0 Вт

100.0 Вт

125.0 Вт

167.0 Вт

208.0 Вт

219.0 Вт

229.0 Вт

230.0 Вт

290.0 Вт

300.0 Вт

340.0 Вт

348.0 Вт

357.0 Вт

375.0 Вт

378.0 Вт

416.0 Вт

428.0 Вт

463.0 Вт

480.0 Вт

Тип входа

Logic

Стандартный

Gate Charge

  9.4 нКл

 14.0 нКл

 18.3 нКл

 21.0 нКл

 23.0 нКл

 24.0 нКл

 25.0 нКл

 30.0 нКл

 59.0 нКл

 60.0 нКл

 61.0 нКл

 62.0 нКл

 63.0 нКл

 65.0 нКл

 66.0 нКл

 70.0 нКл

 77.0 нКл

 78.0 нКл

 87.0 нКл

 95.0 нКл

120.0 нКл

123.0 нКл

160.0 нКл

162.0 нКл

185.0 нКл

198.0 нКл

204.0 нКл

208.0 нКл

287.0 нКл

341.0 нКл

Reverse Recovery Time (trr)

 21.0 нс

 29.0 нс

 30.0 нс

 37.5 нс

 55.0 нс

 60.0 нс

 65.0 нс

 80.0 нс

 95.0 нс

 98.0 нс

100.0 нс

150.0 нс

195.0 нс

205.0 нс

262.0 нс

339.0 нс

365.0 нс

Раб. температура

-40~150 °C

-40~175 °C

-55~175 °C

-55~150 °C

Класс

Стандарты

Способ монтажа

В отверстия

На поверхность

Корпус

TO-220-3

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TO-247-3

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Статус продукта

В производстве

Не для новых разработок

Снят с производства

Упаковка

Bulk

Cut Tape

Tape & Reel

Tube

Последние Популярные Дешевле Дороже Подобрать

1. 

   

   FGL40N120AND — FGL40N120AND
   IGBT, 1200 В, NPT в корпусе TO-264-3
   Fairchild ON Semiconductor
   Цена от 357 ₽
   29 предложений от 14 поставщиков
2. 

   

   FGL40N120ANDTU — FGL40N120AND
   IGBT, 1200 В, NPT в корпусе TO-264-3
   Fairchild Freescale ON Semiconductor
   Цена от 186 ₽
   28 предложений от 19 поставщиков
3. 

   

   AOK30B135W1 — AOK30B135W1
   IGBT 1350V 60A TO-247
   Alpha & Omega
   Цена от 55.6 ₽
   14 предложений от 13 поставщиков
   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 В

   Current - Collector (Ic) (Max): 60 А

   Current - Collector Pulsed (Icm): 200 А

   Мощность макс.: 340 Вт

   Тип входа: Стандартный

   Gate Charge: 62 нКл

   Рабочая температура: -55~175 °C

   Способ монтажа: В отверстия

   Корпус: TO-247-3

   Статус продукта: Не для новых разработок

   Упаковка: Tube
4. 

   

   AOK40B65M3 — AOK40B65M3
   IGBT 650V 80A TO-247
   Alpha & Omega
   Цена от 183 ₽
   13 предложений от 12 поставщиков
   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 В

   Current - Collector (Ic) (Max): 80 А

   Current - Collector Pulsed (Icm): 120 А

   Мощность макс.: 300 Вт

   Тип входа: Стандартный

   Gate Charge: 59 нКл

   Reverse Recovery Time (trr): 365 нс

   Рабочая температура: -55~175 °C

   Способ монтажа: В отверстия

   Корпус: TO-247-3

   Статус продукта: В производстве

   Упаковка: Tube
5. 

   

   BIDW50N65T — BIDW50N65T
   IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
   Bourns
   Цена от 203 ₽
   14 предложений от 6 поставщиков
   Тип IGBT: Trench Field Stop

   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 В

   Current - Collector (Ic) (Max): 100 А

   Current - Collector Pulsed (Icm): 150 А

   Мощность макс.: 416 Вт

   Тип входа: Стандартный

   Gate Charge: 123 нКл

   Reverse Recovery Time (trr): 37.5 нс

   Рабочая температура: -55~150 °C

   Способ монтажа: В отверстия

   Корпус: TO-247-3

   Статус продукта: В производстве

   Упаковка: Tube
6. 

   

   IRGPS60B120KDP — IRGPS60B120KDP
   Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) со сверхбыстрым диодом с мягким восстановлением в корпусе TO-274AA
   Infineon International Rectifier
   Цена от 935 ₽
   26 предложений от 16 поставщиков
7. 

   

   NGTB15N120LWG
   IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
   ON Semiconductor Rochester Electronics
   Цена от 116 ₽
   20 предложений от 16 поставщиков
8. 

   

   NGD8205ANT4G
   IGBT 390V 20A TO-252
   Littelfuse ON Semiconductor Rochester Electronics
   Цена от 19.5 ₽
   25 предложений от 18 поставщиков
9. 

   

   DGTD65T60S2PT — DGTD65T60S2PT
   IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
   Diodes
   Цена от 120 ₽
   6 предложений от 6 поставщиков
   Тип IGBT: Field Stop

   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 В

   Current - Collector (Ic) (Max): 100 А

   Current - Collector Pulsed (Icm): 180 А

   Мощность макс.: 428 Вт

   Тип входа: Стандартный

   Gate Charge: 95 нКл

   Reverse Recovery Time (trr): 205 нс

   Рабочая температура: -40~175 °C

   Способ монтажа: В отверстия

   Корпус: TO-247-3

   Статус продукта: Снят с производства

   Упаковка: Tube
10. 

    

    DGTD65T50S1PT — DGTD65T50S1PT
    IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
    Diodes
    Цена от 142 ₽
    6 предложений от 6 поставщиков
    Тип IGBT: Field Stop

    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 В

    Current - Collector (Ic) (Max): 100 А

    Current - Collector Pulsed (Icm): 200 А

    Мощность макс.: 375 Вт

    Тип входа: Стандартный

    Gate Charge: 287 нКл

    Reverse Recovery Time (trr): 80 нс

    Рабочая температура: -40~175 °C

    Способ монтажа: В отверстия

    Корпус: TO-247-3

    Статус продукта: Снят с производства

    Упаковка: Tube
11. 

    

    DGTD65T40S2PT — DGTD65T40S2PT
    IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-247
    Diodes
    Цена от 177 ₽
    6 предложений от 6 поставщиков
    Тип IGBT: Field Stop

    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 В

    Current - Collector (Ic) (Max): 80 А

    Current - Collector Pulsed (Icm): 120 А

    Мощность макс.: 230 Вт

    Тип входа: Стандартный

    Gate Charge: 60 нКл

    Reverse Recovery Time (trr): 60 нс

    Рабочая температура: -40~175 °C

    Способ монтажа: В отверстия

    Корпус: TO-247-3

    Статус продукта: Снят с производства

    Упаковка: Tube
12. 

    

    DGTD120T40S1PT — DGTD120T40S1PT
    IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247
    Diodes
    Цена от 284 ₽
    7 предложений от 7 поставщиков
    Тип IGBT: Field Stop

    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 В

    Current - Collector (Ic) (Max): 80 А

    Current - Collector Pulsed (Icm): 160 А

    Мощность макс.: 357 Вт

    Тип входа: Стандартный

    Gate Charge: 341 нКл

    Reverse Recovery Time (trr): 100 нс

    Рабочая температура: -55~150 °C

    Способ монтажа: В отверстия

    Корпус: TO-247-3

    Статус продукта: Снят с производства

    Упаковка: Tube
13. 

    

    HGTP12N60A4
    IGBT 600V 54A TO-220-3
    Fairchild Fujitsu-Siemens Harris ON Semiconductor Rochester Electronics Texas Instruments
    Цена от 54.4 ₽
    53 предложения от 22 поставщиков
14. 

    

    FGH40N60SFTU
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Fairchild ON Semiconductor
    Цена от 78.3 ₽
    22 предложения от 18 поставщиков
15. 

    

    FGAF40N60UFDTU
    IGBT 600V 40A TO-3PF
    Fairchild ON Semiconductor
    Цена от 86.9 ₽
    19 предложений от 12 поставщиков
16. 

    

    FGAF40N60UFTU
    IGBT
    Fairchild ON Semiconductor
    Цена от 43.1 ₽
    23 предложения от 18 поставщиков
17. 

    

    HGTP12N60A4D
    IGBT 600V 54A TO-220-3
    Fairchild ON Semiconductor
    Цена от 108 ₽
    33 предложения от 22 поставщиков
18. 

    

    FGB20N60SF
    IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
    Fairchild ON Semiconductor
    Цена от 56.3 ₽
    25 предложений от 16 поставщиков
19. 

    

    FGP5N60LS
    IGBT FIELD STOP 600V 10A TO-220
    Fairchild ON Semiconductor
    Цена от 38.0 ₽
    22 предложения от 14 поставщиков
20. 

    

    FGH50N6S2D
    IGBT 600V 75A TO-247
    Fairchild ON Semiconductor
    Цена от 580 ₽
    30 предложений от 22 поставщиков