![]() ![]() 209-191 Разделитель для применений Ex e/Ex i; толщина 3 мм; ширина 120 мм Бренд: Wago | Цена от 89.6 ₽ до 929 ₽ Медиана 461 ₽ В наличии 11 цен от 5 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 ChipWorker Китай Весь мир | |
, Board Mount EMI Enclosures 29.96 x 19.1 x 3mm RF Absorber One-piece ... Далее BMI-S-209-C, Board Mount EMI Enclosures 29.96 x 19.1 x 3mm RF Absorber One-piece CRS Tin SMD | 19.1 ₽ 2-5 дней склад 211523 шт |
2 ![]() | |
Board Mount EMI Enclosures 29.96 x 19.1 x 3mm RF Absorber One-piece ... Далее BMI-S-209-CBoard Mount EMI Enclosures 29.96 x 19.1 x 3mm RF Absorber One-piece CRS Tin SMD | 77.0 ₽ 3-7 дней склад 39037 шт |
3 ![]() | |
209-191, Разделитель Ex E / Ex I ... Далее 209-191209-191, Разделитель Ex E / Ex I толщ.3 мм, шир. 120 мм | 89.6 ₽ Счёт от 1000 ₽ Только... Далее Счёт от 1000 ₽ Только юр.лица. Самовывоз, доставка до ДЛ. склад 27 шт |
4 AiPCBA Китай Весь мир | |
121 ₽ 2-7 дней склад 85 шт | |
5 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
Разделитель с маркировкой взрывозащиты Ex E / Ex I толщ. 3мм шир. 120мм (уп.25шт) WAGO 209-191 Wago 15 Фев 2025 06:46 Перегородка концевая и разделительная для клеммной колодки | 342 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
425 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе | |
7 ![]() | |
Разное | 442 ₽ 50 шт 4-6 недель |
8 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
461 ₽ | |
9 ![]() | |
Разное | 464 ₽ 25 шт 4-6 недель |
495 ₽ 10 шт 4-6 недель | |
584 ₽ 1 шт 4-6 недель | |
12 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
698 ₽ | |
929 ₽ | |
14 ![]() | |
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 209W, Typ Gain in dB is 19.1 @ ... Далее AFT21S220W02GSR3RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 209W, Typ Gain in dB is 19.1 @ 2140MHz, 28V, LDMOS, SOT1802 | 5 624 ₽ 3-7 дней склад 1212 шт |
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 209W, Typ Gain in dB is 19.1 @ ... Далее AFT21S220W02SR3RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 209W, Typ Gain in dB is 19.1 @ 2140MHz, 28V, LDMOS, SOT1793 | 6 172 ₽ 3-7 дней склад 924 шт |
16 ChipWorker Китай Весь мир | |
транзистор характеристики, RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 209W, ... Далее AFT21S220W02GSR3транзистор характеристики, RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 209W, Typ Gain in dB is 19.1 @ 2140MHz, 28V, LDMOS, SOT1802 | 7 260 ₽ 2-5 дней склад 158 шт |
транзистор характеристики, RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 209W, ... Далее AFT21S220W02SR3транзистор характеристики, RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 209W, Typ Gain in dB is 19.1 @ 2140MHz, 28V, LDMOS, SOT1793 | 10 406 ₽ 2-5 дней склад 100 шт |
18 Augswan Китай Весь мир | |
SEPARATOR FOR EX E/EX I APPLICAT | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 21215 шт |
USD | 78.5067 |
EUR | 90.9438 |