![]() ![]() 2MBI100S-120-50 Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 2MBI100S-120-50 IGBT Array & Module Transistor, Dual Pack, N Channel, 150A, 2.6V, 780W, 1.2kV, Module Бренды: Fuji Fujitsu | Цена 5 748 ₽ В наличии 1 цена от 1 поставщика |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 727GS Китай Весь мир | |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO8 | 62.8 ₽ от 2500 шт 7 дней склад 6875 шт |
2 ![]() | |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO8 | 62.8 ₽ от 2500 шт 7 дней склад 6875 шт |
137 ₽ от 1 шт 7 дней склад 6875 шт | |
4 727GS Китай Весь мир | |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO8 | 137 ₽ от 1 шт 7 дней склад 6875 шт |
5 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555000mW 7Pin | 5 033 ₽ 2-5 дней склад 125 шт |
Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 2MBI100S-120-50 IGBT Array & Module ... Далее 2MBI100S-120-50Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 2MBI100S-120-50 IGBT Array & Module Transistor, Dual Pack, N Channel, 150A, 2. ... | 5 748 ₽ 2-5 дней склад 116 шт |
7 Augswan Китай Весь мир | |
555 W | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 11099 шт |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 8450 шт |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6148 шт |
10 Maybo Китай Весь мир | |
DUAL IGBT MODULE 100A 1200V 600NS, EA | запрос 25 дней |
Insulated Gate Bipolar Transisto | запрос 25 дней |
12 ![]() | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 11160 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 14470 шт |
14 727GS Китай Весь мир | |
IGBT MODULE (V series) 1200V / 100A / 2 in one package | запрос склад 12700 шт |
15 ![]() | |
запрос 5-7 дней склад 16940 шт | |
16 ![]() | |
IGBT MODULE (V series) 1200V / 100A / 2 in one package | запрос склад 12700 шт |
17 ![]() | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 16140 шт |
USD | 80.049 |
EUR | 92.5094 |