 AOTF10B65M2 IGBT 650V 20A TO-220 Бренд: Alpha & Omega | Цена от 21.0 ₽ до 488 ₽ Медиана 161 ₽ В наличии 36 цен от 11 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT 650V 10A TO220 | 21.0 ₽ от 2000 5-7 дней склад 33050 шт |
21.5 ₽ от 1000 5-7 дней склад 33050 шт | |
26.0 ₽ от 500 5-7 дней склад 33050 шт | |
31.6 ₽ от 100 5-7 дней склад 33050 шт | |
39.3 ₽ от 10 5-7 дней склад 33050 шт | |
43.7 ₽ от 1 5-7 дней склад 33050 шт | |
7  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
IGBT 650V 10A TO220 / High short-circuit ruggedness | 102 ₽ от 100 шт 7 дней склад 17401 шт |
117 ₽ от 25 шт 7 дней склад 17401 шт | |
129 ₽ от 10 шт 7 дней склад 17401 шт | |
10  ЧипСити Москва Россия | |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO-220F Tube | 130 ₽ 3-7 дней склад 1343 шт |
11  Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 135 ₽ от 5000 шт 5-15 дней склад 130 шт |
| 12 AiPCBA Китай Весь мир | |
138 ₽ 2-7 дней склад 312 шт | |
| 13 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 142 ₽ от 2000 шт 5-15 дней склад 130 шт |
| 14 Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
IGBT 650V 10A TO220 / High short-circuit ruggedness | 146 ₽ от 1 шт 7 дней склад 17401 шт |
15  Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор | 147 ₽ от 2000 шт 21-42 дня склад 130 шт |
16  ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж | 148 ₽ от 2000 шт 5-10 дней склад 130 шт |
| 17 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 153 ₽ от 1000 шт 5-15 дней склад 130 шт |
18  Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 156 ₽ 500 шт 4-6 недель |
| 19 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 166 ₽ от 500 шт 5-15 дней склад 130 шт |
| 20 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор | 172 ₽ от 500 шт 21-42 дня склад 130 шт |
| 21 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж | 173 ₽ от 500 шт 5-10 дней склад 130 шт |
22  Софт-Логистик Саранск Россия | |
187 ₽ на складе | |
| 23 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 194 ₽ 100 шт 4-6 недель |
| 24 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 206 ₽ от 100 шт 5-15 дней склад 130 шт |
| 25 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор | 214 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 130 шт |
| 26 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж | 216 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 130 шт |
27  Элитан Ижевск РоссияБезнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
247 ₽ | |
| 28 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 284 ₽ 10 шт 4-6 недель |
| 29 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 301 ₽ от 10 шт 5-15 дней склад 130 шт |
| 30 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор | 312 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 130 шт |
| 31 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж | 315 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 130 шт |
| 32 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 441 ₽ 1 шт 4-6 недель |
| 33 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO- ... Далее AOTF10B65M2Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO-220F Tube | 457 ₽ 2-5 дней склад 3662 шт |
| 34 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 467 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 130 шт |
| 35 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор | 484 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 130 шт |
| 36 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж | 488 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 130 шт |
| 37 727GS Китай Весь мир | |
IGBT 650V 10A TO220 / High short-circuit ruggedness | запрос склад 17401 шт |
| 38 Augswan Китай Весь мир | |
IGBT 650V 10A TO220 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 8795 шт |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 В |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 А |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 А |
| Мощность макс. | 30 Вт |
| Тип входа | Стандартный |
| Gate Charge | 24 нКл |
| Reverse Recovery Time (trr) | 262 нс |
| Рабочая температура | -55~150 °C |
| Способ монтажа | В отверстия |
| Корпус | TO-220-3 |
| Статус продукта | Не для новых разработок |
| Упаковка | Tube |
| USD | 77.8855 |
| EUR | 91.1201 |
