 AOTF10B65M2 IGBT 650V 20A TO-220 Бренд: Alpha & Omega | Цена от 21.6 ₽ до 504 ₽ Медиана 179 ₽ В наличии 33 цены от 11 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT 650V 10A TO220 | 21.6 ₽ от 2000 5-7 дней склад 33050 шт |
22.2 ₽ от 1000 5-7 дней склад 33050 шт | |
26.8 ₽ от 500 5-7 дней склад 33050 шт | |
32.6 ₽ от 100 5-7 дней склад 33050 шт | |
40.5 ₽ от 10 5-7 дней склад 33050 шт | |
45.0 ₽ от 1 5-7 дней склад 33050 шт | |
7  Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 138 ₽ от 5000 шт 5-15 дней склад 127 шт |
8  AiPCBA Китай Весь мир | |
142 ₽ 2-7 дней склад 312 шт | |
| 9 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 145 ₽ от 2000 шт 5-15 дней склад 127 шт |
10  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
IGBT 650V 10A TO220 | 150 ₽ склад 10281 шт |
11  Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор | 152 ₽ от 2000 шт 21-42 дня склад 127 шт |
12  ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж | 153 ₽ от 2000 шт 5-10 дней склад 127 шт |
| 13 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 156 ₽ от 1000 шт 5-15 дней склад 127 шт |
14  Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 164 ₽ 500 шт 4-6 недель |
| 15 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 170 ₽ от 500 шт 5-15 дней склад 127 шт |
| 16 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор | 177 ₽ от 500 шт 21-42 дня склад 127 шт |
| 17 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж | 179 ₽ от 500 шт 5-10 дней склад 127 шт |
18  Софт-Логистик Саранск Россия | |
187 ₽ на складе | |
| 19 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 204 ₽ 100 шт 4-6 недель |
| 20 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 211 ₽ от 100 шт 5-15 дней склад 127 шт |
| 21 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор | 221 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 127 шт |
| 22 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж | 223 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 127 шт |
23  Элитан Ижевск РоссияБезнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
247 ₽ | |
| 24 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 298 ₽ 10 шт 4-6 недель |
| 25 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 308 ₽ от 10 шт 5-15 дней склад 127 шт |
| 26 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор | 322 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 127 шт |
| 27 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж | 325 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 127 шт |
| 28 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 462 ₽ 1 шт 4-6 недель |
29  ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO- ... Далее AOTF10B65M2Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO-220F Tube | 471 ₽ 2-5 дней склад 3662 шт |
30  ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO- ... Далее AOTF10B65M2Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO-220F Tube | 471 ₽ 3-7 дней склад 3662 шт |
| 31 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее AOTF10B65M2Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 478 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 127 шт |
| 32 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор | 500 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 127 шт |
| 33 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж | 504 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 127 шт |
| 34 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 245 шт | |
| 35 Augswan Китай Весь мир | |
IGBT 650V 10A TO220 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 8795 шт |
| 36 727GS Китай Весь мир | |
IGBT 650V 10A TO220 / High short-circuit ruggedness | запрос склад 17401 шт |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 В |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 А |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 А |
| Мощность макс. | 30 Вт |
| Тип входа | Стандартный |
| Gate Charge | 24 нКл |
| Reverse Recovery Time (trr) | 262 нс |
| Рабочая температура | -55~150 °C |
| Способ монтажа | В отверстия |
| Корпус | TO-220-3 |
| Статус продукта | Не для новых разработок |
| Упаковка | Tube |
| USD | 80.2918 |
| EUR | 93.4891 |
