| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  ChipWorker Китай Весь мир | |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 50Pin TSOP-II ... Далее HY57V161610DTC-7Микросхема Чип RAM, DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 50Pin TSOP-II DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 50Pin TSOP-II DRAM Chip SDRAM 1... | 60.7 ₽ 2-5 дней склад 196 шт |
2  ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96Pin ... Далее MT41K256M16TW-107:PМикросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96Pin FBGA | 83.1 ₽ 3-7 дней склад 360 шт |
Микросхема Флеш-память, DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78Pin ... Далее MT41K512M8DA-107:PМикросхема Флеш-память, DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78Pin FBGA | 94.6 ₽ 3-7 дней склад 402 шт |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96Pin FBGA ... Далее MT41J64M16LA-15E:BМикросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96Pin FBGA Tray | 99.5 ₽ 3-7 дней склад 355 шт |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II ... Далее MT48LC4M16A2TG-75Микросхема Чип RAM, DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II Tray | 101 ₽ 3-7 дней склад 133 шт |
Микросхема Флеш-память, DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96Pin ... Далее MT41J64M16JT-125:GМикросхема Флеш-память, DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96Pin FBGA Tray | 119 ₽ 3-7 дней склад 239 шт |
7  Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9412G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 125 ₽ от 653 шт 5-15 дней склад 5000 шт |
| 8 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Флеш-память, DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78Pin ... Далее MT41K256M8DA-125 IT:KМикросхема Флеш-память, DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78Pin FBGA | 127 ₽ 3-7 дней склад 204 шт |
| 9 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9425G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 16MX16 DDR DRAM, 0.7ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 128 ₽ от 640 шт 5-15 дней склад 5816 шт |
| 10 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.35V 78Pin ... Далее MT41K512M8DA-107 IT:PМикросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.35V 78Pin F-BGA | 129 ₽ 3-7 дней склад 142 шт |
| 11 ChipWorker Китай Весь мир | |
, DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 5V 42Pin SOJ DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 ... Далее IS41C16100-50K, DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 5V 42Pin SOJ DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 5V 42Pin SOJ DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 5V 42... | 132 ₽ 2-5 дней склад 120 шт |
| 12 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Флеш-память, DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 86Pin TSOP- ... Далее MT48LC2M32B2P-6A:JМикросхема Флеш-память, DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II | 135 ₽ 3-7 дней склад 3134 шт |
| 13 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9412G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 138 ₽ от 350 шт 5-15 дней склад 5000 шт |
| 14 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84Pin ... Далее MT47H32M16NF-25E IT:HМикросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84Pin FBGA | 139 ₽ 3-7 дней склад 2452 шт |
| 15 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9425G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 16MX16 DDR DRAM, 0.7ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 140 ₽ от 343 шт 5-15 дней склад 5816 шт |
| 16 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II | 150 ₽ 3-7 дней склад 421037 шт |
| 17 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9412G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 154 ₽ от 162 шт 5-15 дней склад 5000 шт |
W9425G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 16MX16 DDR DRAM, 0.7ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 157 ₽ от 159 шт 5-15 дней склад 5816 шт |
| 19 ChipWorker Китай Весь мир | |
, DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA | 167 ₽ 2-5 дней склад 1537 шт |
20  AiPCBA Китай Весь мир | |
167 ₽ 2-7 дней склад 1537 шт | |
| 21 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9412G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 167 ₽ от 74 шт 5-15 дней склад 5000 шт |
| 22 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II | 168 ₽ 3-7 дней склад 206 шт |
| 23 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9425G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 16MX16 DDR DRAM, 0.7ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 170 ₽ от 73 шт 5-15 дней склад 5816 шт |
| 24 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Флеш-память, DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54Pin TSOP- ... Далее MT48LC4M16A2P-7E:JМикросхема Флеш-память, DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II | 183 ₽ 3-7 дней склад 1000 шт |
| 25 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9412G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 184 ₽ от 33 шт 5-15 дней склад 5000 шт |
W9425G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 16MX16 DDR DRAM, 0.7ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 187 ₽ от 33 шт 5-15 дней склад 5816 шт |
| 27 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Флеш-память, DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66Pin ... Далее MT46V32M16P-5B IT:JМикросхема Флеш-память, DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66Pin TSOP | 207 ₽ 3-7 дней склад 4440 шт |
| 28 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9412G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 209 ₽ от 11 шт 5-15 дней склад 5000 шт |
W9425G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 16MX16 DDR DRAM, 0.7ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 213 ₽ от 21 шт 5-15 дней склад 5816 шт |
30  Триема Воронеж РоссияФилиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
Микросхемы памяти.Тип: М/с памяти серии MT47HШирина: шины данных - 16 ... Далее MT47H64M16NF-25E IT:MМикросхемы памяти.Тип: М/с памяти серии MT47HШирина: шины данных - 16 битХарактеристика: доступа - 400 psНапряжение питания: 1,7…1,9 ... | 218 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
31  Элрус Москва Россия | |
DRAM DDR2 1G 64MX16 FBGA | 222 ₽ от 1 шт 3 дня склад 170 шт |
| 32 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Флеш-память, DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1. ... Далее MT48H32M16LFB4-6 IT:CМикросхема Флеш-память, DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 54Pin VFBGA | 242 ₽ 3-7 дней склад 1397 шт |
| 33 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9412G6JH-5 16 Авг 2025 03:47 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66Срок поставки 2-3 недели | 251 ₽ от 9 шт 5-15 дней склад 5000 шт |
| 34 Maybo Китай Весь мир | |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 128M x 8 1.8V 60-Pin FBGA T/R | 261 ₽ 25 дней склад 54 шт |
DRAM 64M (4Mx16) 143MHz SDRAM 3.3v | 289 ₽ 25 дней склад 35000 шт |
| 36 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9725G6JB-25 16 Авг 2025 03:47 16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84Срок поставки 2-3 недели | 311 ₽ от 258 шт 5-15 дней склад 409 шт |
| 37 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II ... Далее MT48LC4M16A2P-75Микросхема Чип RAM, DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II Tray | 325 ₽ 3-7 дней склад 266 шт |
| 38 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9725G6JB-25 16 Авг 2025 03:47 16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84Срок поставки 2-3 недели | 349 ₽ от 61 шт 5-15 дней склад 409 шт |
| 39 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
Микросхемы памяти.Тип: Динамическое ОЗУХарактеристика: доступа - 5.4 ... Далее MT48LC16M16A2P-6A IT:GМикросхемы памяти.Тип: Динамическое ОЗУХарактеристика: доступа - 5.4 нсНапряжение питания: 3…3,6 ВДиапазон рабочих температур: -40…+85 ° ... | 356 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
Микросхемы памяти.Тип: Динамическое ОЗУХарактеристика: доступа - 5.4 ... Далее MT48LC16M16A2P-6A IT:G TRМикросхемы памяти.Тип: Динамическое ОЗУХарактеристика: доступа - 5.4 нсНапряжение питания: 3…3,6 ВДиапазон рабочих температур: -40…+85 ° ... | 358 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
| 41 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9725G6JB-25 16 Авг 2025 03:47 16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84Срок поставки 2-3 недели | 377 ₽ от 17 шт 5-15 дней склад 409 шт |
| 42 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Флеш-память, DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90Pin VFBGA | 381 ₽ 3-7 дней склад 1095 шт |
43  Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV023 - DRAM, 8М х 8bit, ... Далее S27KL0641DABHV023CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV023 - DRAM, 8М х 8bit, 36нс, интерфейс HyperBus, FBGA-24 | 383 ₽ от 1 шт |
| 44 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9725G6JB-25 16 Авг 2025 03:47 16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84Срок поставки 2-3 недели | 415 ₽ от 6 шт 5-15 дней склад 409 шт |
| 45 Maybo Китай Весь мир | |
DRAM 128M 4Mx32 143Mhz SDRAM, 3.3v | 458 ₽ 25 дней склад 2320 шт |
| 46 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
W9725G6JB-25 16 Авг 2025 03:47 16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84Срок поставки 2-3 недели | 471 ₽ от 5 шт 5-15 дней склад 409 шт |
| 47 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 66Pin TSOP ... Далее MT46V16M16P-5BМикросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 66Pin TSOP Tray | 563 ₽ 3-7 дней склад 477 шт |
| 48 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
MT48LC32M4A2TG-75:G 16 Авг 2025 03:47 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54Срок поставки 2-3 недели | 593 ₽ от 136 шт 5-15 дней склад 176 шт |
49  Эиком Санкт-Петербург Россия | |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 608 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 20329 шт |
644 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 20329 шт | |
| 51 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
MT48LC32M4A2TG-75:G 16 Авг 2025 03:47 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54Срок поставки 2-3 недели | 664 ₽ от 32 шт 5-15 дней склад 176 шт |
| 52 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 682 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 20329 шт |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 682 ₽ от 6 шт 21-42 дня склад 17 шт |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 697 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 20329 шт |
| 55 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
MT48LC32M4A2TG-75:G 16 Авг 2025 03:47 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54Срок поставки 2-3 недели | 718 ₽ от 10 шт 5-15 дней склад 176 шт |
56  ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP86 II; 0÷70°C | 751 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 1364 шт |
| 57 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0641DPBHI020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 166 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 763 ₽ от 500 шт 5-12 дней склад 707 шт |
| 58 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 768 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 20329 шт |
| 59 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0641DPBHI020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 166 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 778 ₽ от 250 шт 5-12 дней склад 707 шт |
| 60 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
MT48LC32M4A2TG-75:G 16 Авг 2025 03:47 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54Срок поставки 2-3 недели | 790 ₽ от 8 шт 5-15 дней склад 176 шт |
| 61 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP86 II; 0÷70°C | 794 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 1364 шт |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 812 ₽ от 240 шт 5-10 дней склад 225 шт |
IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90; -40÷85°C | 815 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 4988 шт |
IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 823 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 839 шт |
| 65 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0641DPBHI020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 166 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 830 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 707 шт |
| 66 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | 831 ₽ от 108 шт 21-42 дня склад 107 шт |
| 67 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
Микросхемы памяти.Тип: М/с памяти серии MT47HШирина: шины данных - 16 ... Далее MT47H128M16RT-25E IT:CМикросхемы памяти.Тип: М/с памяти серии MT47HШирина: шины данных - 16 битХарактеристика: доступа - 400 psНапряжение питания: 1,7…1,9 ... | 833 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
| 68 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP86 II; 0÷70°C | 842 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 1364 шт |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 858 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 225 шт |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP86 II; 0÷70°C | 861 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 1364 шт |
IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90; -40÷85°C | 861 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 4988 шт |
IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 869 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 839 шт |
| 73 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 869 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 1488 шт |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | 879 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 107 шт |
| 75 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 879 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 225 шт |
| 76 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0641DPBHI020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 166 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 882 ₽ от 50 шт 5-12 дней склад 707 шт |
| 77 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 200MHz; 5ns; LFBGA144; 0÷70°C; 2.5VDC | 888 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 112 шт |
| 78 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 64М х 16бит, WBGA-84 | 892 ₽ от 500 шт |
| 79 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
Микросхемы памяти.Характеристика: доступа - 400 psНапряжение питания: ... Далее MT47H128M16RT-25E:CМикросхемы памяти.Характеристика: доступа - 400 psНапряжение питания: 1,7…1,9 ВДиапазон рабочих температур: 0…+85 °СОписание: IC DRAM ... | 894 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
| 80 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 906 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 225 шт |
| 81 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 909 ₽ от 3 шт 21-42 дня склад 17 шт |
| 82 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90; -40÷85°C | 915 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 4988 шт |
| 83 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0642GABHV020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 200 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 919 ₽ от 500 шт 5-12 дней склад 321 шт |
| 84 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 921 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 839 шт |
| 85 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0642GABHV020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 200 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 922 ₽ от 250 шт 5-12 дней склад 321 шт |
925 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 321 шт | |
DRAM, 64М х 16бит, WBGA-84 | 926 ₽ от 250 шт |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0642GABHV020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 200 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 928 ₽ от 50 шт 5-12 дней склад 321 шт |
931 ₽ от 25 шт 5-12 дней склад 321 шт | |
| 90 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | 932 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 107 шт |
| 91 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0642GABHV020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 200 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 934 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 321 шт |
| 92 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90; -40÷85°C | 934 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 4988 шт |
IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 942 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 839 шт |
| 94 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 942 ₽ от 108 шт 21-42 дня склад 625 шт |
| 95 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP86 II; 0÷70°C | 948 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 1364 шт |
IC: DRAM memory; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷105°C | 948 ₽ от 108 шт 5-10 дней склад 127 шт |
| 97 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0641DPBHI020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 166 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 951 ₽ от 25 шт 5-12 дней склад 707 шт |
| 98 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | 953 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 107 шт |
Микросхема: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | 953 ₽ от 240 шт 21-42 дня склад 235 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 967 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 625 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 969 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 1488 шт |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | 971 ₽ от 108 шт 21-42 дня склад 881 шт |
| 103 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 973 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 225 шт |
| 104 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 974 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 1488 шт |
| 105 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 200MHz; 5ns; LFBGA144; 0÷70°C; 2.5VDC | 977 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 112 шт |
IC: DRAM memory; 2Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C | 979 ₽ от 240 шт 5-10 дней склад 240 шт |
| 107 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 64М х 16бит, WBGA-84 | 981 ₽ от 100 шт |
| 108 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 200MHz; 5ns; LFBGA144; 0÷70°C; 2.5VDC | 982 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 112 шт |
| 109 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | 986 ₽ от 108 шт 21-42 дня склад 36 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 991 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 625 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 993 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 1488 шт |
| 112 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 200MHz; 5ns; LFBGA144; 0÷70°C; 2.5VDC | 1 002 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 112 шт |
| 113 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96Pin ... Далее MT41K128M16JT-125 IT:K TRМикросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96Pin FBGA | 1 004 ₽ 3-7 дней склад 348 шт |
| 114 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 022 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 625 шт |
| 115 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 029 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 4988 шт |
| 116 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 032 ₽ от 108 шт 21-42 дня склад 372 шт |
| 117 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 2Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 035 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 240 шт |
IC: DRAM memory; 512kx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 038 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 839 шт |
| 119 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 043 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 209 шт |
| 120 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0642GABHV020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 200 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 1 049 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 321 шт |
| 121 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | 1 051 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 107 шт |
| 122 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 64М х 16бит, WBGA-84 | 1 051 ₽ от 50 шт |
| 123 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷105°C | 1 056 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 127 шт |
| 124 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 060 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 372 шт |
| 125 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 2Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 060 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 240 шт |
IC: DRAM memory; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷105°C | 1 063 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 127 шт |
| 127 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 066 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 7 шт |
| 128 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0641DPBHI020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 166 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 1 070 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 707 шт |
| 129 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | 1 070 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 881 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 074 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 990 шт |
| 131 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 075 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 7 шт |
| 132 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | 1 078 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 881 шт |
| 133 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷105°C | 1 085 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 127 шт |
| 134 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 086 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 372 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 1 089 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 1488 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 089 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 1415 шт |
| 137 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 2Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 093 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 240 шт |
| 138 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 097 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 625 шт |
| 139 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 200MHz; 5ns; LFBGA144; 0÷70°C; 2.5VDC | 1 098 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 112 шт |
| 140 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | 1 099 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 881 шт |
| 141 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; -40÷105°C | 1 108 ₽ от 108 шт 5-10 дней склад 2253 шт |
| 142 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, 8М х 8bit, ... Далее S27KL0641DABHV020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, 8М х 8bit, 36нс, интерфейс HyperBus, FBGA-24 | 1 108 ₽ от 50 шт |
DRAM, 1М х 16бит, 50нс, параллельный интерфейс, TSOP-II-44 | 1 110 ₽ от 500 шт 5-12 дней склад 97 шт |
| 144 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 2Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA54; -40÷105°C | 1 111 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 457 шт |
| 145 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA | 1 118 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 2242 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 120 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 372 шт |
Микросхема: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 123 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 235 шт |
| 148 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, 8М х 8bit, ... Далее S27KL0641DABHV020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, 8М х 8bit, 36нс, интерфейс HyperBus, FBGA-24 | 1 132 ₽ от 25 шт |
DRAM, 1М х 16бит, 50нс, параллельный интерфейс, TSOP-II-44 | 1 133 ₽ от 250 шт 5-12 дней склад 97 шт |
DRAM, 64М х 16бит, WBGA-84 | 1 137 ₽ от 25 шт |
| 151 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 140 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 1182 шт |
| 152 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 1М х 16бит, 50нс, параллельный интерфейс, TSOP-II-44 | 1 156 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 97 шт |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, 8М х 8bit, ... Далее S27KL0641DABHV020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, 8М х 8bit, 36нс, интерфейс HyperBus, FBGA-24 | 1 158 ₽ от 10 шт |
| 154 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 169 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 1119 шт |
| 155 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 2Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 175 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 240 шт |
IC: DRAM memory; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 183 ₽ от 240 шт 5-10 дней склад 240 шт |
| 157 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 188 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 7 шт |
| 158 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷105°C | 1 189 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 127 шт |
| 159 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 196 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 7 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 196 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 990 шт |
Микросхема: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 196 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 235 шт |
| 162 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
MT48LC2M32B2TG-6:G TSSOP86 Micron 64Mb x32 DRAM 16 Авг 2025 03:26 | 1 197 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
| 163 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 198 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 7 шт |
| 164 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 200 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 267 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 204 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 372 шт |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | 1 204 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 881 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 204 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 990 шт |
| 168 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 206 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 7 шт |
| 169 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 211 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 209 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 213 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 1415 шт |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 215 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 209 шт |
| 172 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, ... Далее S27KS0641DPBHI020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Мбит, 8М x 8бит, 166 МГц, FBGA, 24 вывод(-ов) | 1 217 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 707 шт |
| 173 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 219 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 235 шт |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 221 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 7 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 223 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 1415 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 227 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 990 шт |
| 177 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 231 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 7 шт |
IC: DRAM memory; 2Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA54; -40÷105°C | 1 239 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 457 шт |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; -40÷105°C | 1 239 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 2253 шт |
| 180 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 242 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 209 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | 1 242 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 5 шт |
| 182 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 400MHz; 18ns; TFBGA134; -40÷85°C | 1 243 ₽ от 171 шт 5-10 дней склад 2 шт |
| 183 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA | 1 246 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 2242 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 246 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 1415 шт |
| 185 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; -40÷105°C | 1 246 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 2253 шт |
IC: DRAM memory; 2Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA54; -40÷105°C | 1 246 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 457 шт |
IC: DRAM memory; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 252 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 240 шт |
| 188 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA | 1 255 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 2242 шт |
| 189 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 1М х 16бит, 50нс, параллельный интерфейс, TSOP-II-44 | 1 266 ₽ от 50 шт 5-12 дней склад 97 шт |
DRAM, 64М х 16бит, WBGA-84 | 1 270 ₽ от 10 шт |
| 191 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 271 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 1182 шт |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; -40÷105°C | 1 271 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 2253 шт |
IC: DRAM memory; 2Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA54; -40÷105°C | 1 271 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 457 шт |
| 194 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA | 1 280 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 2242 шт |
| 195 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 281 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 1182 шт |
IC: DRAM memory; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 282 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 240 шт |
| 197 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 286 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 831 шт |
| 198 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 64М х 16бит, 400пс, параллельный интерфейс, BGA-84 | 1 287 ₽ от 250 шт 5-12 дней склад 1637 шт |
1 292 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 1637 шт | |
| 200 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 400MHz; 18ns; TFBGA134; -40÷85°C | 1 298 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 2 шт |
| 201 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 299 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 1119 шт |
| 202 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 304 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 1182 шт |
| 203 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 305 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 1119 шт |
| 204 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 322 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 240 шт |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 400MHz; 18ns; TFBGA134; -40÷85°C | 1 330 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 2 шт |
| 206 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 332 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 1119 шт |
Микросхема: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 335 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 235 шт |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 337 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 267 шт |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 337 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 7 шт |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 343 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 267 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 345 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 990 шт |
| 212 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 348 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 7 шт |
| 213 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 349 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 209 шт |
| 214 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 360 ₽ от 240 шт 5-10 дней склад 240 шт |
| 215 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | 1 366 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 1415 шт |
| 216 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 400MHz; 18ns; TFBGA134; -40÷85°C | 1 372 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 2 шт |
| 217 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 372 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 267 шт |
| 218 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 1М х 16бит, 50нс, параллельный интерфейс, TSOP-II-44 | 1 373 ₽ от 25 шт 5-12 дней склад 97 шт |
| 219 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | 1 383 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 5 шт |
| 220 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 64М х 16бит, 400пс, параллельный интерфейс, BGA-84 | 1 388 ₽ от 50 шт 5-12 дней склад 1637 шт |
| 221 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | 1 389 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 5 шт |
| 222 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 2Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA54; -40÷105°C | 1 393 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 457 шт |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; -40÷105°C | 1 393 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 2253 шт |
| 224 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 1М х 16бит, 50нс, параллельный интерфейс, TSOP-II-44 | 1 394 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 97 шт |
| 225 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA | 1 402 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 2242 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | 1 418 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 5 шт |
| 227 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, 8М х 8bit, ... Далее S27KL0641DABHV020CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, 8М х 8bit, 36нс, интерфейс HyperBus, FBGA-24 | 1 421 ₽ от 1 шт |
| 228 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 422 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 240 шт |
IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 429 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 1182 шт |
| 230 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 64М х 16бит, 400пс, параллельный интерфейс, BGA-84 | 1 431 ₽ от 25 шт 5-12 дней склад 1637 шт |
| 231 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 433 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 831 шт |
| 232 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 438 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 240 шт |
| 233 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 439 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 831 шт |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | 1 442 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 36 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1 446 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 1119 шт |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | 1 448 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 36 шт |
237  Элитан Ижевск РоссияБезнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
SM681GXA-AESS-I-PCIe.- 16GB.-BiCS3-TLC-NAND.- DRAM-Less.-C-temp.-SLC -mode Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 1 455 ₽ |
| 238 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 469 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 831 шт |
| 239 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 473 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 240 шт |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 400MHz; 18ns; TFBGA134; -40÷85°C | 1 476 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 2 шт |
| 241 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | 1 479 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 36 шт |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 479 ₽ от 31 шт 21-42 дня склад 68 шт |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 488 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 267 шт |
| 244 Десси Москва Россия | |
 17 Авг 2025 02:14 SPECIFICATIONS · FBDIMM Module 240-pin · JEDEC Standard R/C B · Memory ... Далее Серверный модуль памяти KVR667D2D8F5/2G 256M x 72-Bit PC2-5300 CL5 ECC 240-Pin FBDIMMSPECIFICATIONS · FBDIMM Module 240-pin · JEDEC Standard R/C B · Memory Organization: 2 rank of x8 devices · DDR2 DRAM Interface: SSTL_18 · ... | 1 500 ₽ |
| 245 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 520 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 240 шт |
| 246 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 64М х 16бит, 400пс, параллельный интерфейс, BGA-84 | 1 524 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 1637 шт |
DRAM, 64М х 16бит, WBGA-84 | 1 530 ₽ от 1 шт |
| 248 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | 1 540 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 5 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 1 570 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 27141 шт |
| 250 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
SM681GXB-AES-I-PCIe.-3 2GB.-BiCS3-TLC-NAND.-D RAM-Less.-C-temp.-TLC- mode Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 1 574 ₽ |
1 584 ₽ | |
| 252 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 595 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 831 шт |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 599 ₽ от 9 шт 21-42 дня склад 68 шт |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | 1 607 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 36 шт |
| 255 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 1 635 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 240 шт |
| 256 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 1М х 16бит, 50нс, параллельный интерфейс, TSOP-II-44 | 1 662 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 97 шт |
| 257 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C | 1 669 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 348 шт |
| 258 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 64М х 16бит, 400пс, параллельный интерфейс, BGA-84 | 1 671 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 1637 шт |
| 259 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C | 1 710 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 348 шт |
| 260 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 1 740 ₽ от 50 шт 21-42 дня склад 27141 шт |
1 750 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 27141 шт | |
| 262 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C | 1 752 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 348 шт |
| 263 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 1 759 ₽ от 3 шт 21-42 дня склад 68 шт |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 1 790 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 27141 шт |
| 265 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C | 1 808 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 348 шт |
| 266 Контест Москва Россия | |
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | 1 843 ₽ |
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | 1 843 ₽ |
| 268 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C | 1 869 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 348 шт |
| 269 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
SM681GXC-AEST-I-PCIe.- 64GB.-BiCS3-TLC-NAND.- DRAM-Less.-C-temp.-TLC -mode Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 1 898 ₽ |
| 270 Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Микросхема: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | 1 933 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 27141 шт |
| 271 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C | 1 948 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 348 шт |
| 272 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
MT48LC2M32B2TG-6:G TSSOP86 Micron 64Mb x32 DRAM микросхема 16 Авг 2025 03:26 1071702973 | 1 995 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
| 273 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
SM681GXB-AFST-I-PCIe.- 32GB.-BiCS4-TLC-NAND.- DRAM-Less.-C-temp.-TLC -mode Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 2 008 ₽ |
SM681GXB-AFSS-I-PCIe.- 10GB.-BiCS4-TLC-NAND.- DRAM-Less.-C-temp.-SLC -mode Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 2 008 ₽ |
| 275 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷85°C | 2 023 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 3976 шт |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C | 2 042 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 348 шт |
2 069 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 348 шт | |
| 278 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
SM619GXB-DFST-I-SATA-3 2GB-3D-TLC-MODE-BGA-SS D-W-DRAM-C-TEMP Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 2 088 ₽ |
| 279 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C | 2 096 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 348 шт |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 167MHz; 6ns; TSOP54 II; -40÷85°C | 2 127 ₽ от 108 шт 5-10 дней склад 261 шт |
| 281 ЧипСити Москва Россия | |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96Pin ... Далее MT41K256M16HA-125 IT:EМикросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96Pin FBGA | 2 128 ₽ 3-7 дней склад 108 шт |
Микросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78Pin ... Далее MT41K512M8RH-125IT:EМикросхема Чип RAM, DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78Pin FBGA | 2 211 ₽ 3-7 дней склад 158 шт |
| 283 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C | 2 265 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 348 шт |
| 284 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, DDR4, 8 Гбит, 1G x 8bit, 1.6 ГГц, FBGA, 78 вывод(-ов) | 2 278 ₽ от 250 шт |
| 285 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷85°C | 2 296 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 3976 шт |
| 286 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, DDR4, 8 Гбит, 1G x 8bit, 1.6 ГГц, FBGA, 78 вывод(-ов) | 2 304 ₽ от 100 шт |
| 287 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷85°C | 2 310 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 3976 шт |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 167MHz; 6ns; TSOP54 II; -40÷85°C | 2 325 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 261 шт |
2 356 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 261 шт | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷85°C | 2 364 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 3976 шт |
IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 2 375 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 3 шт |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 167MHz; 6ns; TSOP54 II; -40÷85°C | 2 387 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 261 шт |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷85°C | 2 552 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 3976 шт |
| 294 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, DDR4, 8 Гбит, 1G x 8bit, 1.6 ГГц, FBGA, 78 вывод(-ов) | 2 559 ₽ от 50 шт |
2 573 ₽ от 25 шт | |
| 296 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 167MHz; 6ns; TSOP54 II; -40÷85°C | 2 577 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 261 шт |
IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 2 585 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 3 шт |
2 618 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 3 шт | |
| 299 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
SM619GXC-DFSS-I-SATA-2 0GB-3D-SLC-MODE-BGA-SS D-W-DRAM-C-TEMP Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 2 621 ₽ |
| 300 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, DDR4, 8 Гбит, 1G x 8bit, 1.6 ГГц, FBGA, 78 вывод(-ов) | 2 631 ₽ от 10 шт |
| 301 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 2 654 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 3 шт |
IC: DRAM memory; 512Mx16bit; 14.16ns; TWBGA96; 0÷95°C; parallel | 2 831 ₽ от 136 шт 5-10 дней склад 43 шт |
| 303 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, DDR4, 8 Гбит, 1G x 8bit, 1.6 ГГц, FBGA, 78 вывод(-ов) | 2 845 ₽ от 1 шт |
| 304 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C | 2 866 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 3 шт |
IC: DRAM memory; 512Mx16bit; 14.16ns; TWBGA96; 0÷95°C; parallel | 2 935 ₽ от 50 шт 5-10 дней склад 43 шт |
3 009 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 43 шт | |
| 307 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
SM619GXB-DFSS-I-SATA-1 0GB-3D-SLC-MODE-BGA-SS D-W-DRAM-C-TEMP Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 3 092 ₽ |
| 308 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: DRAM memory; 512Mx16bit; 14.16ns; TWBGA96; 0÷95°C; parallel | 3 106 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 43 шт |
3 352 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 43 шт | |
| 310 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, LPDDR4, 16 Гбит, 512M x 32bit, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов) | 3 426 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 544 шт |
| 311 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
SM619GXD-DFST-I-SATA-1 28GB-3D-TLC-MODE-BGA-S SD-W-DRAM-C-TEMP Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 3 567 ₽ |
SM619GXD-DFSS-I-SATA-4 0GB-3D-SLC-MODE-BGA-SS D-W-DRAM-C-TEMP Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 3 567 ₽ |
| 313 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, LPDDR4, 16 Гбит, 512M x 32bit, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов) | 3 906 ₽ от 50 шт 5-12 дней склад 544 шт |
4 111 ₽ от 25 шт 5-12 дней склад 544 шт | |
4 169 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 544 шт | |
Модуль RAM памяти, 4 ГБ, 2400 МГц, PC4-19200, DDR4 SO-DIMM, SODIMM для ... Далее CT4G4SFS824AМодуль RAM памяти, 4 ГБ, 2400 МГц, PC4-19200, DDR4 SO-DIMM, SODIMM для Ноутбука, Crucial DRAM | 4 458 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 1 шт |
DRAM, LPDDR4, 16 Гбит, 512M x 32bit, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов) | 4 501 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 544 шт |
| 318 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
SM619GXE-DFST-I-SATA-2 56GB-3D-TLC-MODE-BGA-S SD-W-DRAM-C-TEMP Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 5 062 ₽ |
SM619GXE-DFSS-I-SATA-8 0GB-3D-SLC-MODE-BGA-SS D-W-DRAM-C-TEMP Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 5 278 ₽ |
SM619GEE-DFSS-I-SATA-8 0GB-3D-SLC-MODE-BGA-SS D-W-DRAM-I-TEMP Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 5 390 ₽ |
SM681GXC-AFSS-I-PCIe.- 20GB.-BiCS4-TLC-NAND.- DRAM-Less.-C-temp.-SLC -mode Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 5 862 ₽ |
| 322 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Модуль RAM памяти, 4 ГБ, PC3L-12800, DDR3L DIMM, DIMM для Настольного ... Далее CT51264BD160BМодуль RAM памяти, 4 ГБ, PC3L-12800, DDR3L DIMM, DIMM для Настольного ПК, Crucial DRAM | 7 517 ₽ от 1 шт |
| 323 Десси Москва Россия | |
Ардуино совместимый микроконтроллерный модуль Intel Galileo второго ... Далее Ардуино совместимый микроконтроллерный модуль Intel Galileo второго поколения с предустановленной ОС Linux. Процессор: 32-хбитный Intel Quark SoC X1000 на частоте 400МГц с кэшем первого уровня 16 Кб. Память: DRAM 256 Мб DDR3, SRAM 512 Кб, EEPROM 8 Кб, 8МбАрдуино совместимый микроконтроллерный модуль Intel Galileo второго поколения с предустановленной ОС Linux. Процессор: 32-хбитный Intel ... | 7 845 ₽ |
| 324 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
SM619GXF-DFST-I-SATA-5 12GB-3D-TLC-MODE-BGA-S SD-W-DRAM-C-TEMP Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 8 920 ₽ |
SM619GXF-DFSS-I-SATA-1 60GB-3D-SLC-MODE-BGA-S SD-W-DRAM-C-TEMP Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 9 341 ₽ |
SM681GEC-AGSS-I-PCIe.- 20GB.-BiCS5-TLC-NAND.- DRAM-Less.-I-temp.-SLC -mode Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 9 854 ₽ |
SM681GED-AGSS-I-PCIe.- 40GB.-BiCS5-TLC-NAND.- DRAM-Less.-I-temp.-SLC -mode Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 10 568 ₽ |
| 328 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Модуль RAM памяти, 8 ГБ, PC3L-12800, DDR3L DIMM, DIMM для Настольного ... Далее CT102464BD160BМодуль RAM памяти, 8 ГБ, PC3L-12800, DDR3L DIMM, DIMM для Настольного ПК, Crucial DRAM | 12 690 ₽ от 1 шт |
DRAM, LPDDR4, 64 Гбит, 2G x 32bit, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов) | 13 036 ₽ от 25 шт 5-12 дней склад 323 шт |
13 692 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 323 шт | |
14 331 ₽ от 5 шт 5-12 дней склад 323 шт | |
14 979 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 323 шт | |
| 333 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
SM681GEF-AGSS-I-PCIe.- 160GB.-BiCS5-TLC-NAND. -DRAM-Less.-I-temp.-SL C-mode Silicon Motion Technology - 16 Авг 2025 02:46 | 19 619 ₽ |
| 334 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Стартовый комплект, встроенная графика PIC32MZ со стекируемой DRAM, ... Далее DM320010Стартовый комплект, встроенная графика PIC32MZ со стекируемой DRAM, разработка Non-Crypto | 38 678 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 5 шт |
Стартовый комплект, встроенная графика PIC32MZ со стекируемой DRAM, ... Далее DM320010-CСтартовый комплект, встроенная графика PIC32MZ со стекируемой DRAM, разработка Crypto | 68 459 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 1 шт |
| 336 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 DRAM Async | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 3.3V, 4Mx4 50ns, EDO DRAM Async | запрос 7-14 дней |
DRAM 256M, 1.8V, 266Mhz 32Mx8 DDR2 DRAM | запрос 7-14 дней |
DRAM 4M,5V,Fast Page Mode DRAM,Async,35ns | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async | запрос 7-14 дней |
3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
| 345 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 3.3V, 4Mx4 50ns, DRAM Async | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
| 352 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power ... Далее HYB314175BJ-50-3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh | запрос 7-14 дней |
DRAM/M11B416256A-35J/E LI 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM | запрос 7-14 дней |
3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
| 357 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 35000 шт | |
| 358 TradeElectronics Москва Россия | |
3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power ... Далее HYB314175BJ-603.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh | запрос 7-14 дней |
DRAM, 4MX8, 30SIMM, 70NS 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
361  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
запрос 5-7 дней склад 6360 шт | |
362  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
DRAM MODULE 1MX32-60 (SOJ)D/C96 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
DRAM MODULE 4KX8-70 (SIP)D/C93 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
| 364 TradeElectronics Москва Россия | |
3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
| 365 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
SPCA520A-DSC-DRAM 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
DRAM MODULE 4MX32-70 (DIP)D/C93 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
| 367 Augswan Китай Весь мир | |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SORDIMM | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 4334 шт |
TQFP | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7368 шт |
| 369 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
| 374 727GS Китай Весь мир | |
Brand new and original | запрос склад 9362 шт |
| 375 Augswan Китай Весь мир | |
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 2.6V 66-Pin TSOP Tray / IC DRAM 256M ... Далее MT46V32M8P-5B:MDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 2.6V 66-Pin TSOP Tray / IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 17821 шт |
| 376 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
DRAM 4M, 3.3V, 35ns 256Kx16 DRAM Async | запрос 7-14 дней |
| 377 727GS Китай Весь мир | |
C DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA https://www.727gs. com/uploadimg/clog o20240912185.png - 27 Фев 2025 22:34 | запрос |
| 378 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
| 379 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
| 380 Maybo Китай Весь мир | |
DRAM 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1 | запрос 25 дней |
DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA T/R | запрос 25 дней |
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 256M x 8 1.35V 78-Pin TWBGA T/R | запрос 25 дней |
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TSSOP-II | запрос 25 дней |
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA | запрос 25 дней |
DRAM 128M, 3.3V, 200Mhz SDRAM | запрос 25 дней |
| 386 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
DRAM MODULE 1KX8-60 (TSOP)D/C93 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
| 387 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power ... Далее HYB314175BJ-553.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh | запрос 7-14 дней |
DRAM 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
| 392 Maybo Китай Весь мир | |
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II | запрос 25 дней |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA | запрос 25 дней |
DRAM Automotive 64M,3.3V SDRAM,2Mx32,143MHz | запрос 25 дней |
| 395 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
| 396 Maybo Китай Весь мир | |
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | запрос 25 дней |
DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2 | запрос 25 дней |
DRAM 128M 8Mx16 143Mhz SDRAM 3.3v | запрос 25 дней |
DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA T/R | запрос 25 дней |
400  Стандарт СИЗ Москва РоссияТолько юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 400 руб. | |
запрос от 5000 ₽ 5-7 дней | |
| 401 Maybo Китай Весь мир | |
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA | запрос 25 дней |
DRAM 256M, 2.5V, 166Mhz Mobile SDRAM | запрос 25 дней |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA | запрос 25 дней |
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II | запрос 25 дней |
| 405 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async | запрос 7-14 дней |
| 407 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power ... Далее HYB314175BJL-603.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh | запрос 7-14 дней |
3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
DRAM, M12L64322A-7T 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM | запрос 7-14 дней |
32MB-DRAM-144PIN-14D61 03 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 DRAM Async | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async | запрос 7-14 дней |
IC_DRAM_1MX16_60EDO_TS O 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
| 417 TradeElectronics Москва Россия | |
3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
| 418 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256M, 1.8V, 266Mhz 32Mx8 DDR2 DRAM | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 3.3V, 4Mx4 50ns, DRAM Async | запрос 7-14 дней |
DRAM 4M, 5V, EDO DRAM 35ns, 40 pin TSOP II | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
| 431 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async | запрос 7-14 дней |
| 432 TradeElectronics Москва Россия | |
DRAM 16M, 3.3V, 4Mx4 50ns, DRAM Async | запрос 7-14 дней |
| 433 SUV System Китай Весь мир | |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6225CA-T- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6225CAZ- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6225CA- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6539CAZ- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6539IAZ- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6225CAZ-T- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6225CAZA- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6539CAZ-T- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6539IA-T- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6539CA-T- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6539CA- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6225CAZA-T- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6539IA- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
Memory, DRAM DIMM Clock Buffer/Driver, Multiplexer IC 140MHz 1 Output ... Далее CDCF2509PWMemory, DRAM DIMM Clock Buffer/Driver, Multiplexer IC 140MHz 1 Output 24-TSSOP | запрос |
| 447 Контест Москва Россия | |
CONN SOCKET DIMM DRAM 168POS PCB | запрос склад 36 шт |
CONN SOCKET DIMM DRAM 168POS PCB | запрос склад 36 шт |
| 449 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
| 452 Контест Москва Россия | |
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | запрос склад 589 шт |
IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ | запрос склад 34 шт |
| 454 SUV System Китай Весь мир | |
Memory, DRAM DIMM Clock Buffer/Driver, Multiplexer IC 140MHz 1 Output ... Далее CDCF2510PWMemory, DRAM DIMM Clock Buffer/Driver, Multiplexer IC 140MHz 1 Output 24-TSSOP | запрос |
Memory, DRAM DIMM Clock Buffer/Driver, Multiplexer IC 140MHz 1 Output ... Далее CDCF2510PWRMemory, DRAM DIMM Clock Buffer/Driver, Multiplexer IC 140MHz 1 Output 24-TSSOP | запрос |
| 456 Контест Москва Россия | |
IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ | запрос склад 34 шт |
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | запрос склад 589 шт |
| 458 SUV System Китай Весь мир | |
- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/ ... Далее ISL6539IAZ-T- Controller, DDR DRAM, SDRAM Voltage Regulator IC 2 Output 28-SSOP/QSOP | запрос |
DRAM Memory IC 288Mbit Parallel 200 MHz 20 ns 144-µBGA (18.5x11) | запрос |
| 460 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
6102A[DRAM]97 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
1500 MHz Low Power UltraCMOS?„? Divide-by-4 Prescaler | запрос 7-14 дней |
64MB-DRAM-720461 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM | запрос 7-14 дней |
CE-B1476 18 Авг 2025 05:29 Half Half-size 486 ISA size 486 ISA-bus CPU Card bus CPU Card with 8M ... Далее CE-B1476Half Half-size 486 ISA size 486 ISA-bus CPU Card bus CPU Card with 8M on with 8M on-board DRAM, VGA/LCD and D.O.C. board DRAM, VGA/LCD and D ... | запрос 7-14 дней |
| 465 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 128М х 16бит, BGA-96 | запрос 5-12 дней |
DRAM, 64М х 16бит, WBGA-84 | запрос 5-12 дней |
DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Гбит, 128M x 32bit, 1866 МГц, WFBGA, 200 вывод ... Далее MT53E128M32D2DS-053 AIT:ADRAM, Mobile LPDDR4, 4 Гбит, 128M x 32bit, 1866 МГц, WFBGA, 200 вывод(-ов) | запрос 5-12 дней |
| 468 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
| 469 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
DRAM, 32М х 16бит, 7нс, интерфейс LVTTL, BGA-54 | запрос 5-12 дней |
DRAM, 16М х 16бит, 7.5нс, интерфейс LVCMOS, BGA-54 | запрос 5-12 дней |
| 471 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
DRAM-DIMM-32M 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power ... Далее HYB314175BJ-503.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
| 476 SUV System Китай Весь мир | |
Memory, DRAM DIMM Clock Buffer/Driver, Multiplexer IC 140MHz 1 Output ... Далее CDCF2509PWRMemory, DRAM DIMM Clock Buffer/Driver, Multiplexer IC 140MHz 1 Output 24-TSSOP | запрос |
Memory, DRAM DIMM Clock Buffer/Driver, Multiplexer IC 140MHz 1 Output ... Далее CDCF2509PWG4Memory, DRAM DIMM Clock Buffer/Driver, Multiplexer IC 140MHz 1 Output 24-TSSOP | запрос |
| 478 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
8 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts | запрос 7-14 дней |
3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 DRAM Async | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
| 485 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM | запрос 7-14 дней |
| 486 МосЧип Москва Россия | |
3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 2M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power ... Далее HYB314175BJL-503.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh | запрос 7-14 дней |
DRAM, EDO, 1M*16-60, 5V, SOJ 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
3.3V 8M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 8M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async | запрос 7-14 дней |
DRAM 4M, 3.3V EDO DRAM Async,256Kx16,35ns | запрос 7-14 дней |
DRAM 4M, 5V, EDO DRAM Async,256Kx16,35ns | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async | запрос 7-14 дней |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
| 498 TradeElectronics Москва Россия | |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
DRAM 4M,3.3V EDO DRAM Async,256Kx16,35ns | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async | запрос 7-14 дней |
DRAM 4M, 5V, EDO DRAM Async,256Kx16,35ns | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
| 511 МосЧип Москва Россия | |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
| 513 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
DRAM 4M, 3.3V EDO DRAM Async,256Kx16,35ns | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 3.3V, 50ns 1Mx16 DRAM Async | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 3.3V, 4Mx4 50ns, EDO DRAM Async | запрос 7-14 дней |
8 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 DRAM Async | запрос 7-14 дней |
3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
DRAM-DIMM-16M 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
ynchronous DRAM 18 Авг 2025 05:29 | запрос 7-14 дней |
3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
3.3V 4M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit EDO-DRAM Module | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
| 526 МосЧип Москва Россия | |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
532  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
Brand new and original | запрос склад 9362 шт |
| 533 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
DRAM 256K X 16 DRAM 5V, EDO PAGE MODE | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
1 MEG x 4 DRAM Fast Page Mode DRAM | запрос 7-14 дней |
| 537 TradeElectronics Москва Россия | |
HIGH DENSITY PHOTOTRANSISTOR OPTICALLY COUPLED ISOLATORS | запрос 7-14 дней |
| USD | 80.0224 |
| EUR | 93.7094 |
