 FD900R12IP4D INFINEON FD900R12IP4DIGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Бренд: Infineon | Цена от 31 395 ₽ до 83 023 ₽ Медиана 55 783 ₽ В наличии 4 цены от 4 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, INFINEON FD900R12IP4D IGBT Array & Module Transistor, ... Далее FD900R12IP4DТранзистор IGBT, INFINEON FD900R12IP4D IGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900A, 1.7V, 5.1kW, 1.2kV, Module | 31 395 ₽ 2-5 дней склад 121 шт |
2  ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, INFINEON FD900R12IP4D IGBT Array & Module Transistor, ... Далее FD900R12IP4DТранзистор IGBT, INFINEON FD900R12IP4D IGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900A, 1.7V, 5.1kW, 1.2kV, Module | 31 395 ₽ 3-7 дней склад 433 шт |
3  AiPCBA Китай Весь мир | |
80 172 ₽ 2-7 дней склад 210 шт | |
4  Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Массивы и Модули | 83 023 ₽ 5 шт 4-6 недель |
5  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
FD900R12IP4D 06 Авг 2025 00:02 | запрос 7-14 дней |
запрос 2 недели | |
7  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 9990 шт |
| 8 Maybo Китай Весь мир | |
INFINEON FD900R12IP4DIGBT Array & Module Transistor, High Power, N ... Далее FD900R12IP4DINFINEON FD900R12IP4DIGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module | запрос 25 дней |
| 9 Augswan Китай Весь мир | |
INFINEON FD900R12IP4DIGBT Array & Module Transistor, High Power, N ... Далее FD900R12IP4DINFINEON FD900R12IP4DIGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6142 шт |
| USD | 79.6736 |
| EUR | 92.3252 |
