![]() ![]() IGW15N120H3 Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 217Вт; TO247-3; H3 Бренды: Infineon Rochester Electronics | Цена от 115 ₽ до 762 ₽ Медиана 391 ₽ В наличии 25 цен от 9 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 727GS Китай Весь мир | |
IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 / IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 217 W ... Далее IGW15N120H3FKSA1IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 / IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 217 W Through Hole PG-TO247-3-1 | 22.0 ₽ от 3000 шт 7 дней склад 18029 шт |
22.0 ₽ от 1 шт 7 дней склад 18029 шт | |
3 ![]() | |
74.1 ₽ от 1000 5-7 дней склад 4990 шт | |
80.8 ₽ от 500 5-7 дней склад 4990 шт | |
94.9 ₽ от 100 5-7 дней склад 4990 шт | |
6 ![]() | |
IGW15N120H3 02 Окт 2025 04:03 | 115 ₽ от 2640 шт 5-15 дней склад 606 шт |
7 ![]() | |
116 ₽ от 10 5-7 дней склад 4990 шт | |
8 ![]() | |
IGW15N120H3 02 Окт 2025 04:03 | 122 ₽ от 1200 шт 5-15 дней склад 606 шт |
9 ![]() | |
129 ₽ от 1 5-7 дней склад 4990 шт | |
10 ![]() | |
IGW15N120H3 02 Окт 2025 04:03 | 143 ₽ от 480 шт 5-15 дней склад 606 шт |
11 ![]() | |
IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU | 150 ₽ склад 132120 шт |
12 ![]() | |
IGW15N120H3 02 Окт 2025 04:03 | 161 ₽ от 100 шт 5-15 дней склад 606 шт |
13 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3Pin(3+Tab) ... Далее IGW15N120H3FKSA1Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube | 189 ₽ 2-5 дней склад 129 шт |
14 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3Pin(3+Tab) ... Далее IGW15N120H3FKSA1Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube | 189 ₽ 3-7 дней склад 366 шт |
15 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3Pin(3+Tab) ... Далее IGW15N120H3Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube | 192 ₽ 2-5 дней склад 162 шт |
16 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3Pin(3+Tab) ... Далее IGW15N120H3Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube | 192 ₽ 3-7 дней склад 288 шт |
17 ![]() | |
IGW15N120H3 02 Окт 2025 04:03 | 219 ₽ от 10 шт 5-15 дней склад 606 шт |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее IGW15N120H3FKSA1Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 254 ₽ от 2010 шт 5-15 дней склад 150 шт |
263 ₽ от 1020 шт 5-15 дней склад 150 шт | |
20 ![]() | |
Транзистор: IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 | 275 ₽ от 1020 шт 21-42 дня склад 135 шт |
21 ![]() | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее IGW15N120H3FKSA1Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 283 ₽ от 510 шт 5-15 дней склад 150 шт |
22 ![]() | |
Транзистор: IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 | 296 ₽ от 510 шт 21-42 дня склад 135 шт |
23 ![]() | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 318 ₽ 480 шт 4-6 недель |
Разное | 318 ₽ 500 шт 4-6 недель |
25 ![]() | |
IGW15N120H3 02 Окт 2025 04:03 | 334 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 606 шт |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее IGW15N120H3FKSA1Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 337 ₽ от 120 шт 5-15 дней склад 150 шт |
27 ![]() | |
IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 | 343 ₽ склад 46312 шт |
28 ![]() | |
Транзистор: IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 | 353 ₽ от 120 шт 21-42 дня склад 135 шт |
29 ![]() | |
359 ₽ 2-5 дней склад 2210 шт | |
30 ![]() | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 361 ₽ 100 шт 4-6 недель |
Разное | 361 ₽ 100 шт 4-6 недель |
32 ![]() | |
362 ₽ 2-7 дней склад 217 шт | |
388 ₽ 2-7 дней склад 1366 шт | |
34 ![]() | |
IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU | 391 ₽ от 30 шт 21-42 дня склад 71 шт |
35 ![]() | |
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 217Вт; TO247-3; H3 | 394 ₽ от 30 шт 5-10 дней склад 71 шт |
36 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
401 ₽ | |
37 ![]() | |
IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU | 409 ₽ от 20 шт 21-42 дня склад 71 шт |
38 ![]() | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее IGW15N120H3FKSA1Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 411 ₽ от 30 шт 5-15 дней склад 150 шт |
39 ![]() | |
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 217Вт; TO247-3; H3 | 412 ₽ от 20 шт 5-10 дней склад 71 шт |
40 ![]() | |
Транзистор: IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 | 431 ₽ от 30 шт 21-42 дня склад 135 шт |
41 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
438 ₽ | |
42 ![]() | |
445 ₽ на складе | |
43 ![]() | |
IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU | 450 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 71 шт |
44 ![]() | |
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 217Вт; TO247-3; H3 | 454 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 71 шт |
45 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
456 ₽ | |
464 ₽ | |
47 ![]() | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 477 ₽ 10 шт 4-6 недель |
48 ![]() | |
БТИЗ транзистор, 30 А, 2.05 В, 217 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов) | 477 ₽ от 1000 шт 5-12 дней склад 252 шт |
49 ![]() | |
Разное | 479 ₽ 10 шт 4-6 недель |
50 ![]() | |
БТИЗ транзистор, 30 А, 2.05 В, 217 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов) | 486 ₽ от 500 шт 5-12 дней склад 252 шт |
51 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
509 ₽ | |
52 ![]() | |
IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU | 518 ₽ от 4 шт 21-42 дня склад 71 шт |
53 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
521 ₽ | |
54 ![]() | |
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 217Вт; TO247-3; H3 | 523 ₽ от 4 шт 5-10 дней склад 71 шт |
55 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
539 ₽ | |
56 ![]() | |
БТИЗ транзистор, 30 А, 2.05 В, 217 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов) | 552 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 252 шт |
57 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
631 ₽ | |
648 ₽ | |
59 ![]() | |
IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOU | 677 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 71 шт |
60 ![]() | |
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 217Вт; TO247-3; H3 | 682 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 71 шт |
61 ![]() | |
БТИЗ транзистор, 30 А, 2.05 В, 217 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов) | 731 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 252 шт |
62 ![]() | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее IGW15N120H3FKSA1Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 748 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 150 шт |
63 ![]() | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 762 ₽ 1 шт 4-6 недель |
Разное | 764 ₽ 1 шт 4-6 недель |
65 ![]() | |
Транзистор: IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 | 784 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 135 шт |
66 Maybo Китай Весь мир | |
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | 926 ₽ 25 дней склад 192 шт |
67 ![]() | |
БТИЗ транзистор, 30 А, 2.05 В, 217 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов) | 1 168 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 252 шт |
68 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
1 260 ₽ | |
69 ![]() Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 400 руб. | |
запрос от 5000 ₽ 5-7 дней | |
70 ![]() | |
запрос 2 недели | |
71 727GS Китай Весь мир | |
IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 | запрос склад 6961 шт |
72 ![]() | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 6840 шт |
73 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 35000 шт | |
74 ![]() | |
IGW15N120H3 03 Окт 2025 11:04 | запрос 7-14 дней |
75 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 35000 шт | |
76 Augswan Китай Весь мир | |
IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 9849 шт |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 15590 шт | |
78 ![]() | |
IGBT 1200V 30A 217W TO247-3 | запрос 7-14 дней |
USD | 81.4967 |
EUR | 95.6382 |