![]() ![]() IRG7PH35UD1 Разное Бренды: Infineon International Rectifier Rochester Electronics | Цена от 54.0 ₽ до 6 784 ₽ Медиана 337 ₽ В наличии 19 цен от 11 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 727GS Китай Весь мир | |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | 29.9 ₽ от 4000 шт 7 дней склад 11087 шт |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | 54.0 ₽ от 4800 шт 7 дней склад 16682 шт |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | 62.7 ₽ от 1 шт 7 дней склад 11087 шт |
4 Maybo Китай Весь мир | |
IGBT 1200V 50A 179W TO247 | 71.2 ₽ 25 дней склад 10200 шт |
5 ![]() | |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | 71.7 ₽ от 101 5-7 дней склад 11933 шт |
6 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) ... Далее IRG7PH35UD1PBFТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | 80.4 ₽ 3-7 дней склад 158 шт |
7 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) ... Далее IRG7PH35UD1PBFТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | 80.4 ₽ 2-5 дней склад 149 шт |
8 727GS Китай Весь мир | |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | 134 ₽ от 1 шт 7 дней склад 16682 шт |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | 197 ₽ от 800 шт 7 дней склад 12176 шт |
10 ![]() | |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | 216 ₽ склад 100290 шт |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | 221 ₽ склад 148601 шт |
12 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-247AD ... Далее IRG7PH35UD1MPBFТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | 221 ₽ 3-7 дней склад 89445 шт |
13 ![]() | |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | 223 ₽ склад 74625 шт |
14 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) ... Далее IRG7PH35UD1-EPТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | 240 ₽ 3-7 дней склад 112 шт |
15 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) ... Далее IRG7PH35UD1-EPТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | 240 ₽ 2-5 дней склад 123 шт |
16 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-247AD ... Далее IRG7PH35UD1-EPТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | 268 ₽ 3-7 дней склад 586623 шт |
17 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-247AD ... Далее IRG7PH35UD1-EPТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | 268 ₽ 2-5 дней склад 586623 шт |
18 ![]() | |
290 ₽ 2-7 дней склад 9445 шт | |
19 727GS Китай Весь мир | |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | 316 ₽ от 1 шт 7 дней склад 12176 шт |
20 ![]() | |
330 ₽ 2-7 дней склад 9724 шт | |
337 ₽ 2-7 дней склад 5 шт | |
22 ![]() | |
Транзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 1.9V, 179W, 1.2kV, TO- ... Далее IRG7PH35UD1PBFТранзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 1.9V, 179W, 1.2kV, TO-247AC, 3Pins | 340 ₽ 3-7 дней склад 444 шт |
23 ![]() | |
Транзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 1.9V, 179W, 1.2kV, TO- ... Далее IRG7PH35UD1PBFТранзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 1.9V, 179W, 1.2kV, TO-247AC, 3Pins | 340 ₽ 2-5 дней склад 186 шт |
24 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) ... Далее IRG7PH35UD1MPBFТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | 394 ₽ 3-7 дней склад 491 шт |
25 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) ... Далее IRG7PH35UD1MPBFТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | 394 ₽ 2-5 дней склад 115 шт |
26 ![]() | |
424 ₽ 2-7 дней склад 550 шт | |
27 ![]() | |
453 ₽ на складе | |
472 ₽ на складе | |
29 ![]() | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 502 ₽ 107 шт 4-6 недель |
30 ![]() | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее IRG7PH35UD1MPBFДискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 519 ₽ от 107 шт 5-15 дней склад 70693 шт |
31 ![]() | |
Транзистор: IGBT 1200V 50A 179W TO247AD | 542 ₽ от 107 шт 21-42 дня склад 70693 шт |
32 ![]() | |
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 179Вт; TO247-3 | 547 ₽ от 107 шт 5-10 дней склад 70693 шт |
33 ![]() | |
560 ₽ 2-7 дней склад 1879 шт | |
34 ![]() | |
585 ₽ на складе | |
35 ![]() | |
592 ₽ 2-7 дней склад 266 шт | |
36 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
613 ₽ | |
37 ![]() | |
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным ... Далее IRG7PH35UD1-EPДискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | 631 ₽ от 88 шт 5-15 дней склад 250 шт |
38 ![]() | |
Транзистор: IGBT 1200V 50A 179W TO247 | 660 ₽ от 88 шт 21-42 дня склад 250 шт |
39 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
763 ₽ | |
40 Maybo Китай Весь мир | |
IGBT 1200V 50A 179W TO247 | 1 774 ₽ 25 дней склад 6000 шт |
41 ![]() | |
Разное | 4 998 ₽ 35 шт 4-6 недель |
5 292 ₽ 17 шт 4-6 недель | |
5 586 ₽ 9 шт 4-6 недель | |
5 586 ₽ 5 шт 4-6 недель | |
45 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
6 784 ₽ | |
46 ![]() Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 400 руб. | |
запрос от 5000 ₽ 5-7 дней | |
запрос от 5000 ₽ 5-7 дней | |
48 Maybo Китай Весь мир | |
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD | запрос 25 дней |
49 ![]() Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 400 руб. | |
IRG7PH35UD1MPBF, IGBT 1200В 25А 8-30кГц TO247AD 11 Июл 2025 14:27 | запрос от 5000 ₽ 5-7 дней |
запрос от 5000 ₽ 5-7 дней | |
51 ![]() | |
IRG7PH35UD1PBF 03 Сен 2025 03:54 | запрос 7-14 дней |
52 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD | запрос 7-14 дней |
53 TradeElectronics Москва Россия | |
IGBT N-CH 1200V 50A TO-247 | запрос 7-14 дней |
54 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR ... Далее IRG7PH35UD1-EPINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS | запрос 7-14 дней |
55 ![]() | |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | запрос 5-7 дней склад 5420 шт |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | запрос 5-7 дней склад 3660 шт |
запрос 5-7 дней склад 9210 шт | |
58 Augswan Китай Весь мир | |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6321 шт | |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5305 шт | |
IGBT 1200V 50A 179W TO247 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 13715 шт |
IGBT 1200V 50A 179W TO247 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 8524 шт |
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5886 шт |
63 ![]() | |
запрос 5-7 дней склад 3790 шт | |
запрос 5-7 дней склад 5200 шт | |
65 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 35000 шт | |
запрос склад 35000 шт | |
67 ![]() Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 600 руб. | |
TO-3P | запрос от 600 ₽ от 7 дней склад 548 шт |
68 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 35000 шт | |
запрос склад 690404 шт | |
70 727GS Китай Весь мир | |
IGBT 1200V 50A 179W TO247 | запрос склад 17077 шт |
71 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 21319 шт | |
запрос склад 95385 шт | |
73 ![]() Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 600 руб. | |
TO-3P | запрос от 600 ₽ от 7 дней склад 548 шт |
USD | 80.4261 |
EUR | 94.3841 |