![]() ![]() REF5045IDR Последовательный, фиксированный источник опорного напряжения 4.5 В, 10 мА, ±0.05 % в корпусе SOIC-8 Бренды: Rochester Electronics Texas Instruments | Цена от 60.5 ₽ до 1 231 ₽ Медиана 241 ₽ В наличии 16 цен от 9 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 727GS Китай Весь мир | |
REF5045 LOW NOISE, VERY LOW DRIF | 60.5 ₽ от 3000 шт 7 дней склад 6648 шт |
62.6 ₽ от 2000 шт 7 дней склад 6648 шт | |
65.8 ₽ от 1000 шт 7 дней склад 6648 шт | |
4 ![]() | |
IC VREF SERIES 0.05% 8SOIC | 103 ₽ от 2500 5-7 дней склад 7649 шт |
5 ![]() | |
Опорный чип напряжения, Series Voltage Reference Low Noise, Very Low ... Далее REF5045IDRОпорный чип напряжения, Series Voltage Reference Low Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE V-Ref Precision 4.5V 10mA 8Pin SOIC ... | 127 ₽ 3-7 дней склад 201 шт |
6 ![]() | |
Опорный чип напряжения, Series Voltage Reference Low Noise, Very Low ... Далее REF5045IDRОпорный чип напряжения, Series Voltage Reference Low Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE V-Ref Precision 4.5V 10mA 8Pin SOIC ... | 127 ₽ 2-5 дней склад 162 шт |
7 727GS Китай Весь мир | |
REF5045 LOW NOISE, VERY LOW DRIF | 134 ₽ от 1 шт 7 дней склад 6648 шт |
8 EIS Components Китай Весь мир | |
new in stock for immediate delivery | 212 ₽ От 1 шт Оплата рубли, юани,... Далее От 1 шт Оплата рубли, юани, USD. 5-7 дней склад 5010 шт |
9 ![]() | |
REF5045 LOW NOISE, VERY LOW DRIF | 270 ₽ от 2500 шт 7 дней склад 6648 шт |
308 ₽ от 1 шт 7 дней склад 6648 шт | |
11 ![]() | |
417 ₽ 2-7 дней склад 213 шт | |
12 Maybo Китай Весь мир | |
Low Noise, Very Low Drift, Precision Series Voltage Reference 8-SOIC - ... Далее REF5045IDRLow Noise, Very Low Drift, Precision Series Voltage Reference 8-SOIC -40 to 125 | 660 ₽ 25 дней склад 229 шт |
13 ![]() | |
Источники Опорного Напряжения | 790 ₽ 100 шт 4-6 недель |
927 ₽ 30 шт 4-6 недель | |
1 048 ₽ 10 шт 4-6 недель | |
1 231 ₽ 1 шт 4-6 недель | |
17 ![]() | |
REF5045IDR 18 Авг 2025 17:02 | запрос 7-14 дней |
18 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
IC VREF SERIES PREC 4.5V 8-SOIC | запрос 7-14 дней |
19 Augswan Китай Весь мир | |
IC VREF SERIES 0.05% 8SOIC | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 22423 шт |
20 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 35000 шт | |
21 ![]() Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 600 руб. | |
SOIC8 | запрос от 600 ₽ от 7 дней склад 3810 шт |
Мы уже отметили наиболее важные параметры для поиска замены REF5045IDR.
Вы можете снять/добавить параметры для поиска аналогов в зависимости от своих целей сейчас или на следующем шаге.
Модель (OPN) Производитель | Тип ИОН | Тип выхода | Напряжение выходное (мин./фикс.) | Ток выходной | Корпус | Допустимое отклонение | Рабочая температура | Температурный коэффициент | Шум 0.1Гц~10Гц | Напряжение входное | Ток питания | RoHS | Статус продукта | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
REF5045IDR Texas Instruments | Последовательный | Фиксированный | 4.5 В | 10 мА | SOIC-8 ![]() | -0.05~0.05 % | -40~125 °C | 3 ppm/°C | 13.5 µVpp/V | 4.7~18 В | 1.2 мА | Да | В производстве | Tape & Reel |
REF5025ID Texas Instruments | Последовательный | Фиксированный | 2.5 В | 10 мА | SOIC-8 ![]() | -0.05~0.05 % | -40~125 °C | 3 ppm/°C | 7.5 µVpp/V | 2.7~18 В | 1.2 мА | Да | В производстве | Tube |
REF194ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 4.5 В | 30 мА | SOIC-8 ![]() | -0.04~0.04 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 45 мкВ п-п | 4.75~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
REF198ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 4.096 В | 30 мА | SOIC-8 ![]() | -0.05~0.05 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 40 мкВ п-п | 4.5~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
REF195ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 5 В | 30 мА | SOIC-8 ![]() | -0.04~0.04 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 50 мкВ п-п | 5.1~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
REF195GSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 5 В | 30 мА | SOIC-8 ![]() | -0.2~0.2 % | -40~85 °C | 25 ppm/°C | 50 мкВ п-п | 5.1~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
REF198GSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 4.096 В | 30 мА | SOIC-8 ![]() | -0.24~0.24 % | -40~85 °C | 25 ppm/°C | 40 мкВ п-п | 4.5~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
REF192FSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 2.5 В | 30 мА | SOIC-8 ![]() | -0.2~0.2 % | -40~85 °C | 10 ppm/°C | 25 мкВ п-п | 3~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
REF196GSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 3.3 В | 30 мА | SOIC-8 ![]() | -0.3~0.3 % | -40~85 °C | 25 ppm/°C | 33 мкВ п-п | 3.5~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
REF191ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 2.048 В | 30 мА | SOIC-8 ![]() | -0.1~0.1 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 20 мкВ п-п | 3~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
REF192GSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 2.5 В | 30 мА | SOIC-8 ![]() | -0.4~0.4 % | -40~85 °C | 25 ppm/°C | 25 мкВ п-п | 3~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
USD | 80.0224 |
EUR | 93.7094 |