![]() ![]() TLE2426IDRG4 С виртуальной землей (прецизионной), регулируемый источник опорного напряжения 2-20 В, 20 мА, ±1 % в корпусе SOIC-8 Бренд: Texas Instruments | Цена от 39.9 ₽ до 1 841 ₽ Медиана 66.9 ₽ В наличии 8 цен от 6 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 727GS Китай Весь мир | |
IC VREF GND REF ADJ 8SOIC | 39.9 ₽ от 50 шт 7 дней склад 8614 шт |
2 ![]() | |
Опорный чип напряжения, V-Ref Adjustable 2V to 20V 20mA 8Pin SOIC T/R | 42.5 ₽ 2-5 дней склад 104 шт |
3 EIS Components Китай Весь мир | |
new in stock for immediate delivery | 45.7 ₽ От 1 шт Оплата рубли, юани,... Далее От 1 шт Оплата рубли, юани, USD. 5-7 дней склад 5010 шт |
4 727GS Китай Весь мир | |
IC VREF GND REF ADJ 8SOIC | 48.0 ₽ от 1 шт 7 дней склад 8614 шт |
5 ![]() | |
85.8 ₽ 2-7 дней склад 250 шт | |
6 ![]() | |
IC VREF GND REF ADJ 8SOIC | 92.0 ₽ от 2500 шт 7 дней склад 8614 шт |
93.9 ₽ от 1 шт 7 дней склад 8614 шт | |
8 Maybo Китай Весь мир | |
IC VREF GND REF 20V 1% 8SOIC | 1 841 ₽ |
9 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
IC VREF GND REF PREC ADJ 8-SOIC | запрос 7-14 дней |
10 ![]() | |
TLE2426IDRG4 18 Авг 2025 15:20 | запрос 7-14 дней |
11 ![]() | |
IC VREF GND REF ADJ 1% 8SOIC | запрос 5-7 дней склад 9994 шт |
12 Augswan Китай Весь мир | |
IC VREF GND REF ADJ 1% 8SOIC | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 9005 шт |
13 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 35000 шт |
Мы уже отметили наиболее важные параметры для поиска замены TLE2426IDRG4.
Вы можете снять/добавить параметры для поиска аналогов в зависимости от своих целей сейчас или на следующем шаге.
Модель (OPN) Производитель | Тип ИОН | Тип выхода | Напряжение выходное (мин./фикс.) | Напряжение выходное (макс.) | Ток выходной | Корпус | Допустимое отклонение | Рабочая температура | Температурный коэффициент | Шум 10Гц~10кГц | Напряжение входное | Ток питания | RoHS | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TLE2426IDRG4 Texas Instruments | С виртуальной землей (прецизионной) | Регулируемый | 2 В | 20 В | 20 мА | SOIC-8 ![]() | -1~1 % | -40~85 °C | 35 ppm/°C | 120 мкВ СКЗ | 4~40 В | 400 мкА | Да | Tape & Reel |
TL431BIDRE4 Texas Instruments | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 36 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -0.5~0.5 % | -40~85 °C | Да | Tape & Reel | ||||
TL431IDR Texas Instruments | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 36 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -2.2~2.2 % | -40~85 °C | Да | Tape & Reel Cut Tape | ||||
TL431AS-13 Diodes | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 36 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -1~1 % | -40~125 °C | Да | Tape & Reel | ||||
TL431ACDR Texas Instruments | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 36 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -1~1 % | 0~70 °C | Да | Tape & Reel Cut Tape | ||||
TL431CDR Texas Instruments | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 36 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -2.2~2.2 % | 0~70 °C | Да | Tape & Reel Cut Tape | ||||
TL431AIDG ON Semiconductor | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 36 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -1~1 % | -40~85 °C | 50 ppm/°C | Да | Tube | |||
TL431AIDR2G ON Semiconductor | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 36 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -1~1 % | -40~85 °C | 50 ppm/°C | Да | Cut Tape Tape & Reel | |||
TL431AIDR2 ON Semiconductor | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 36 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -1~1 % | -40~85 °C | 50 ppm/°C | Tape & Reel | ||||
TL431BIDG ON Semiconductor | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 36 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -0.4~0.4 % | -40~85 °C | 50 ppm/°C | Да | Tube | |||
TL431BIDR2G ON Semiconductor | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 36 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -0.4~0.4 % | -40~85 °C | 50 ppm/°C | Да | Cut Tape Tape & Reel |
USD | 80.0224 |
EUR | 93.7094 |