 255-512 Клеммная колодка для печатной платы; Кнопка; 2,5 мм²; Шаг контактов 7,5/7,62 мм; 12-полюсный; CAGE CLAMP; возможность объединения Бренд: Wago |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  Триема Воронеж РоссияФилиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
Электронные модули (ARDUINO).Тип модуля: Кнопка сенсорнаяОписание: ... Далее EM-512Электронные модули (ARDUINO).Тип модуля: Кнопка сенсорнаяОписание: Кнопка сенсорная с фиксацией/ без фиксациии). Электронный аналог ... | 14.0 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
Микросхемы памяти.Тип: М/ с памяти серии AT24C512CНапряжение питания: ... Далее AT24C512C-SSHD-TМикросхемы памяти.Тип: М/ с памяти серии AT24C512CНапряжение питания: 2,5…5,5 (max) ВДиапазон рабочих температур: -40…+85 °СОписание: I ... | 39.0 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
Микросхемы памяти.Тип: Последовательная энергонезависимая память ... Далее 24LC512T-I/SMМикросхемы памяти.Тип: Последовательная энергонезависимая память EEPROM 64kx8 - 2.5VНапряжение питания: 2,5…5,5 ВДиапазон рабочих температур ... | 73.0 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
| 2 Maybo Китай Весь мир | |
запрос 25 дней | |
| 3 Augswan Китай Весь мир | |
PCB TERMINAL BLOCK; PUSH-BUTTON; | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5447 шт |
4  ChipWorker Китай Весь мир | |
Труба MOS, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is ... Далее MRFE6VS25GNR1Труба MOS, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1731 | 2 298 ₽ 2-5 дней склад 162 шт |
Труба MOS, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is ... Далее MMRF1304GNR1Труба MOS, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1731 | 2 754 ₽ 2-5 дней склад 159 шт |
транзистор характеристики, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, ... Далее MMRF1304NR1транзистор характеристики, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1732 | 1 693 ₽ 2-5 дней склад 410 шт |
| 5 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
255-512 02 Авг 2025 03:47 | запрос 7-14 дней |
6  ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
IC: микроконтроллер PIC; SRAM: 512Б; EEPROM: 256Б; 40МГц; 2÷5,5ВDC | 867 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 3495 шт |
| Еще 3 цен: … 721 ₽ | |
794 ₽ от 25 шт 5-10 дней склад 3495 шт | |
721 ₽ от 1200 шт 5-10 дней склад 3495 шт | |
721 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 3495 шт | |
| 7 МосЧип Москва Россия | |
Near infrared image sensors (0.9 to 1.67 ??m / 2.55 ??m) | запрос 7-14 дней |
EEPROM (512x8) 4K 2.5-5.5 | запрос 7-14 дней |
EEPROM (512x8) 4K 2.5-5.5 | запрос 7-14 дней |
8  ЧипСити Москва Россия | |
Труба MOS, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is ... Далее MRFE6VS25GNR1Труба MOS, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1731 | 2 298 ₽ 3-7 дней склад 121 шт |
Труба MOS, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is ... Далее MMRF1304GNR1Труба MOS, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1731 | 2 754 ₽ 3-7 дней склад 334 шт |
транзистор характеристики, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, ... Далее MMRF1304NR1транзистор характеристики, RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1732 | 1 693 ₽ 3-7 дней склад 410 шт |
| 9 Холодильник.ру Москва Россия | |
Тип: ноутбук
Размер дисплея, дюймов: 15.6
Разрешение экрана: 1920x1080 ... Далее Ноутбук HP 255 G10, 15.6/'/', IPS FHD, dr.silver (859QOEA)Тип: ноутбук
Размер дисплея, дюймов: 15.6
Разрешение экрана: 1920x1080
Размер оперативной памяти, Гб: 16
Объем жесткого диска, Гб: 512
... | 44 990 ₽ Доставка: есть Локальная... Далее Доставка: есть Локальная доставка: 699 ₽ на складе |
| 10 Контест Москва Россия | |
M41T81M6E 01 Авг 2025 02:52 Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V | 240 ₽ |
Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V | запрос склад 2 шт |
Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V | запрос склад 229 шт |
| Еще 7 строк | |
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц | запрос склад 133 шт |
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц | запрос склад 556 шт |
M41T81M6E 01 Авг 2025 02:52 Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V | 240 ₽ |
Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V | запрос склад 2 шт |
Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V | запрос склад 229 шт |
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц | запрос склад 133 шт |
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц | запрос склад 556 шт |
| USD | 80.3163 |
| EUR | 91.8751 |
