| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
FUNCTION GENERATOR 10MHZ DDS 120 | 28 373 ₽ склад 17741 шт |
2  PL-1 Москва Россия | |
Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz | 94.0 ₽ от 1 шт да |
| Еще 4 цен: … 73.2 ₽ | |
89.5 ₽ от 3000 ₽ да | |
85.5 ₽ от 6000 ₽ да | |
77.9 ₽ от 5 шт да | |
73.2 ₽ от 10 шт да | |
3  ChipWorker Китай Весь мир | |
Кварцевый генератор, Crystal 10MHz ±50ppm (Tol) ±120ppm ... Далее ABM2-10.000MHZ-KV-TКварцевый генератор, Crystal 10MHz ±50ppm (Tol) ±120ppm (Stability) 18pF FUND 100Ω 2Pin CSMD T/R | 15.1 ₽ 2-5 дней склад 4000 шт |
Индуктивность, Inductor Chip Molded Wirewound 18nH 10% 10MHz 30Q- ... Далее B82422A3180K100Индуктивность, Inductor Chip Molded Wirewound 18nH 10% 10MHz 30Q-Factor Ceramic 640mA 120mOhm DCR 1210 Automotive T/R | 17.1 ₽ 2-5 дней склад 178 шт |
Индуктивность, Inductor Chip Molded Wirewound 15nH 10% 10MHz 27Q- ... Далее B82422A3150K100Индуктивность, Inductor Chip Molded Wirewound 15nH 10% 10MHz 27Q-Factor Ceramic 640mA 120mOhm DCR 1210 Automotive T/R | 14.7 ₽ 2-5 дней склад 12452 шт |
| Еще 10 строк | |
Индуктивность, Inductor Chip Molded Wirewound 18nH 5% 10MHz 30Q-Factor ... Далее B82422A3180J100Индуктивность, Inductor Chip Molded Wirewound 18nH 5% 10MHz 30Q-Factor Ceramic 640mA 120mOhm DCR 1210 Automotive T/R | 18.8 ₽ 2-5 дней склад 166 шт |
Индуктивность, Inductor Chip Molded Wirewound 15nH 5% 10MHz 27Q-Factor ... Далее B82422A3150J100Индуктивность, Inductor Chip Molded Wirewound 15nH 5% 10MHz 27Q-Factor Ceramic 640mA 120mOhm DCR 1210 Automotive T/R | 18.0 ₽ 2-5 дней склад 133 шт |
Индуктивность, Inductor Chip Wirewound 18nH 20% 10MHz 30Q-Factor ... Далее B82412A3180MИндуктивность, Inductor Chip Wirewound 18nH 20% 10MHz 30Q-Factor Ceramic 640mA 120mOhm DCR 1210 T/R | 27.2 ₽ 2-5 дней склад 195 шт |
Индуктивность, Inductor Chip Wirewound 22nH 10% 10MHz 30Q-Factor ... Далее B82412A3220KИндуктивность, Inductor Chip Wirewound 22nH 10% 10MHz 30Q-Factor Ceramic 600mA 120mOhm DCR 1210 T/R | 26.6 ₽ 2-5 дней склад 133 шт |
Индуктивность, Inductor Chip Wirewound 18nH 10% 10MHz 30Q-Factor ... Далее B82412A3180KИндуктивность, Inductor Chip Wirewound 18nH 10% 10MHz 30Q-Factor Ceramic 640mA 120mOhm DCR 1210 T/R | 26.6 ₽ 2-5 дней склад 101 шт |
Индуктивность, Inductor Chip Wirewound 15nH 20% 10MHz 25Q-Factor ... Далее B82412A3150MИндуктивность, Inductor Chip Wirewound 15nH 20% 10MHz 25Q-Factor Ceramic 640mA 120mOhm DCR 1210 T/R | 27.2 ₽ 2-5 дней склад 173 шт |
Индуктивность, Inductor Chip Wirewound 22nH 5% 10MHz 30Q-Factor ... Далее B82412A3220JИндуктивность, Inductor Chip Wirewound 22nH 5% 10MHz 30Q-Factor Ceramic 600mA 120mOhm DCR 1210 T/R | 29.4 ₽ 2-5 дней склад 199 шт |
, Common Mode Chokes Quad 200Ω 10MHz 500mA 120mOhm DCR SMD T/R | 242 ₽ 2-5 дней склад 1582 шт |
, Inductor RF Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 10MHz Ferrite 120mA 5. ... Далее LQW15DN100M00D, Inductor RF Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 10MHz Ferrite 120mA 5.405Ohm DCR 0402 T/R | 12.1 ₽ 2-5 дней склад 3003 шт |
, Common Mode Chokes Quad 200Ω 10MHz 500mA 120mOhm DCR SMD T/R | 261 ₽ 2-5 дней склад 1582 шт |
4  ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Inductor: wire; SMD; 1210; 120H; 85mA; 5.04Ω; 10MHz; -40÷85°C; & ... Далее LQH32NH121J23LInductor: wire; SMD; 1210; 120H; 85mA; 5.04Ω; 10MHz; -40÷85°C; ±5% | 62.6 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 2000 шт |
| Еще 4 цен: … 28.7 ₽ | |
42.8 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 2000 шт | |
33.9 ₽ от 2000 шт 5-10 дней склад 2000 шт | |
30.8 ₽ от 6000 шт 5-10 дней склад 2000 шт | |
28.7 ₽ от 14000 шт 5-10 дней склад 2000 шт | |
5  Триема Воронеж РоссияФилиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz | 147 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
6  LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
120MHz SAW Filter 10MHz Bandwidth | запрос 7-14 дней |
| 7 Контест Москва Россия | |
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz | 40.7 ₽ |
Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz | 83.8 ₽ склад 130 шт |
| 8 Рутоника Москва Россия и страны СНГ | |
TRANS PNP 140V 12A. Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W ... Далее 2SB817C-1ETRANS PNP 140V 12A. Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L. Transistors - Bipolar (BJT) - Single | запрос |
TRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz ... Далее KSD363OTUTRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz 40W Through Hole TO-220-3. Transistors - Bipolar (BJT) - Single | запрос |
TRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz ... Далее KSD363RTRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz 40W Through Hole TO-220-3. Transistors - Bipolar (BJT) - Single | запрос |
| Еще 5 строк | |
TRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz ... Далее KSD363OTRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz 40W Through Hole TO-220-3. Transistors - Bipolar (BJT) - Single | запрос |
TRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz ... Далее KSD363YTRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz 40W Through Hole TO-220-3. Transistors - Bipolar (BJT) - Single | запрос |
TRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz ... Далее KSD363YTUTRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz 40W Through Hole TO-220-3. Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 30.6 ₽ |
TRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz ... Далее KSD363RTUTRANS NPN 120V 6A TO-220. Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz 40W Through Hole TO-220-3. Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 30.7 ₽ |
IC MCU 16BIT 256KB FLASH 120TQFP. Xstormy16 - Microcontroller IC 16- ... Далее C88F85D0AU-TC-HIC MCU 16BIT 256KB FLASH 120TQFP. Xstormy16 - Microcontroller IC 16-Bit 10MHz 256KB (256K x 8) FLASH. Embedded - Microcontrollers | запрос |
| 9 SUV System Китай Весь мир | |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220- ... Далее KSD363YBipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220-3 | запрос |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220- ... Далее KSD363OBipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220-3 | запрос |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220- ... Далее KSD363RBipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220-3 | запрос |
| Еще 3 строки | |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220- ... Далее KSD363YTUBipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220-3 | запрос |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220- ... Далее KSD363OTUBipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220-3 | запрос |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220- ... Далее KSD363RTUBipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220-3 | запрос |
| 10 Augswan Китай Весь мир | |
FUNCTION GENERATOR 10MHZ DDS 120 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6483 шт |
| USD | 80.8861 |
| EUR | 93.3848 |
