BSM10GD120DN2 Тиристор Бренд: Infineon | Цена от 3 284 ₽ до 9 159 ₽ Медиана 7 969 ₽ В наличии 5 цен от 5 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
| 1 AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 13860 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 4060 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5080 шт |
| Еще 6 строк | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 13510 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5500 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 11540 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 8680 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 4030 шт |
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1 | 2 178 ₽ от 10 5-7 дней склад 47421 шт |
| 2 Augswan Китай Весь мир | |
IGBT - Standard Modules 1200V, 10A, FL BRIDGE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 14296 шт |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5037 шт |
IGBT - Standard Modules 1200V 10A 3-PHASE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7992 шт |
| Еще 1 строка | |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5150 шт | |
| 3 AiPCBA Китай Весь мир | |
8 383 ₽ 2-7 дней склад 288 шт | |
5 989 ₽ 2-7 дней склад 236 шт | |
| 4 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, INFINEON BSM10GD120DN2 IGBT Array & Module Transistor ... Далее BSM10GD120DN2Транзистор IGBT, INFINEON BSM10GD120DN2 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15A, 3.2V, 80W, 1.2kV, EconoPACK | 3 284 ₽ 2-5 дней склад 169 шт |
Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm ... Далее BSM10GD120DN2E3224Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 2 356 ₽ 2-5 дней склад 164 шт |
| 5 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
5 150 ₽ склад 72 шт | |
BSM10GD120DN2 12 Апр 2025 06:00 | 5 508 ₽ склад 8 шт |
BSM10GD120DN2 12 Апр 2025 06:00 | запрос склад 28 шт |
| Еще 4 строки | |
BSM10GD120DN2BOSA1 12 Апр 2025 06:00 | 5 103 ₽ склад 10 шт |
BSM10GD120DN2BOSA1 12 Апр 2025 06:00 | 4 651 ₽ упаковка 10 шт склад 1 шт |
6 449 ₽ склад 1 шт | |
BSM10GD120DN2E3224 12 Апр 2025 06:00 | запрос склад 20 шт |
| 6 Софт-Логистик Саранск Россия | |
igbt модули | 5 073 ₽ на складе |
| 7 ЧипСити Москва Россия | |
INFINEON BSM10GD120DN2 IGBT Array & Module Transistor, N ... Далее BSM10GD120DN2INFINEON BSM10GD120DN2 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15A, 3.2V, 80W, 1.2kV, EconoPACK | 7 969 ₽ 3-7 дней склад 1242 шт |
IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 5 693 ₽ 3-7 дней склад 1022 шт |
| 8 Контест Москва Россия | |
BSM10GD120DN2 01 Май 2025 02:36 Тиристор | 9 159 ₽ |
| 9 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM10GD120DN2Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
| 10 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
Транзисторы импортные | 5 599 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
8 083 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе | |
| 11 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 15 А, 3.2 ... Далее BSM10GD120DN2BOSA1БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 15 А, 3.2 В, 80 Вт, 125 °C, EconoPACK | 25 873 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 10 шт |
24 468 ₽ от 5 шт 5-12 дней склад 10 шт | |
| 12 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
запрос 2 недели | |
BSM10GD120DN2 02 Май 2025 16:06 | запрос 7-14 дней |
| Еще 3 строки | |
BSM10GD120DN2-E3224 02 Май 2025 16:06 | запрос 7-14 дней |
BSM10GD120DN2E 02 Май 2025 16:06 | запрос 7-14 дней |
bsm10gd120dn2pulls 02 Май 2025 16:06 | запрос 7-14 дней |
| 13 МосЧип Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224;Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
| 14 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM10GD120DN2EМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
| 15 TradeElectronics Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
| 16 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
20 795 ₽ | |
| USD | 81.4933 |
| EUR | 92.837 |
