 BSM10GD120DN2E3224 IGBT - Standard Modules 1200V 10A 3-PHASE Бренд: Infineon | Цена от 2 304 ₽ до 5 855 ₽ Медиана 2 304 ₽ В наличии 3 цены от 3 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5500 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 8680 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5080 шт |
| Еще 2 строки | |
LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211 | 2 299 ₽ от 15 5-7 дней склад 48944 шт |
IGBT MODULE 1200V 15A 80W | 1 689 ₽ от 10 5-7 дней склад 49082 шт |
2  Софт-Логистик Саранск Россия | |
igbt модули | 5 073 ₽ на складе |
3  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
IGBT MODULE 1200V 15A 80W | 5 364 ₽ от 1 шт 7 дней склад 4031 шт |
4 665 ₽ от 10 шт 7 дней склад 4031 шт | |
4  ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm ... Далее BSM10GD120DN2E3224Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 2 304 ₽ 2-5 дней склад 117 шт |
, Low Power Econo | 4 318 ₽ 2-5 дней склад 102 шт |
5  AiPCBA Китай Весь мир | |
5 855 ₽ 2-7 дней склад 236 шт | |
4 318 ₽ 2-7 дней склад 245 шт | |
6  Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT MODULE 1200V 15A 80W | 10 434 ₽ от 6 шт 21-42 дня склад 2256 шт |
7  Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Разное | 9 660 ₽ 6 шт 4-6 недель |
| 8 Augswan Китай Весь мир | |
IGBT - Standard Modules 1200V 10A 3-PHASE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7992 шт |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5037 шт |
9  ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm ... Далее BSM10GD120DN2E3224Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 2 304 ₽ 3-7 дней склад 105 шт |
| 10 727GS Китай Весь мир | |
IGBT MODULE 1200V 15A 80W | запрос склад 4031 шт |
| 11 МосЧип Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224;Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
| 12 TradeElectronics Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
13  ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 10А | 10 521 ₽ от 6 шт 5-10 дней склад 2256 шт |
14  Элитан Ижевск РоссияБезнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
11 751 ₽ | |
12 443 ₽ | |
23 143 ₽ | |
15  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
BSM10GD120DN2-E3224 06 Авг 2025 00:18 | запрос 7-14 дней |
| USD | 79.6736 |
| EUR | 92.3252 |
