 BSM10GD120DN2E3224 IGBT - Standard Modules 1200V 10A 3-PHASE Бренд: Infineon | Цена от 2 270 ₽ до 5 769 ₽ Медиана 5 484 ₽ В наличии 3 цены от 3 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5500 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 8680 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5080 шт |
| Еще 2 строки | |
LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211 | 2 266 ₽ от 15 5-7 дней склад 48944 шт |
IGBT MODULE 1200V 15A 80W | 1 665 ₽ от 10 5-7 дней склад 49082 шт |
2  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
IGBT MODULE 1200V 15A 80W | 5 285 ₽ от 1 шт 7 дней склад 4031 шт |
4 597 ₽ от 10 шт 7 дней склад 4031 шт | |
| 3 Augswan Китай Весь мир | |
IGBT - Standard Modules 1200V 10A 3-PHASE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7992 шт |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5037 шт |
| 4 AiPCBA Китай Весь мир | |
5 769 ₽ 2-7 дней склад 236 шт | |
4 255 ₽ 2-7 дней склад 245 шт | |
5  Софт-Логистик Саранск Россия | |
igbt модули | 5 073 ₽ на складе |
6  Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Разное | 9 433 ₽ 6 шт 4-6 недель |
7  Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT MODULE 1200V 15A 80W | 10 262 ₽ от 6 шт 21-42 дня склад 2256 шт |
| 8 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm ... Далее BSM10GD120DN2E3224Транзистор IGBT, IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 2 270 ₽ 2-5 дней склад 164 шт |
, Low Power Econo | 4 255 ₽ 2-5 дней склад 123 шт |
| 9 727GS Китай Весь мир | |
IGBT MODULE 1200V 15A 80W | запрос склад 4031 шт |
10  ЧипСити Москва Россия | |
IGBT half-bridge x3; Urmax:1.2kV; Ic:10A; P:80W; Ifsm:20A; screw | 5 484 ₽ 3-7 дней склад 1022 шт |
| 11 МосЧип Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224;Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
| 12 TradeElectronics Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM10GD120DN2E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | запрос 7-14 дней |
13  ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 10А | 10 347 ₽ от 6 шт 5-10 дней склад 2256 шт |
| 14 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
11 751 ₽ | |
12 443 ₽ | |
23 143 ₽ | |
| 15 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
BSM10GD120DN2-E3224 18 Июн 2025 02:42 | запрос 7-14 дней |
| USD | 78.5067 |
| EUR | 90.9438 |
