![]() ![]() BSM25GD120DN2E3224 IGBT - Standard Modules 1200V 25A 3-PHASE Бренд: Infineon | Цена от 55.3 ₽ до 16 831 ₽ Медиана 6 980 ₽ В наличии 4 цены от 4 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 ![]() | |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17-Pin ECONO2-2 T/R / IGBT ... Далее BSM25GD120DN2E3224Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17-Pin ECONO2-2 T/R / IGBT Power Module | запрос склад 13378 шт |
2 ![]() | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 14150 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 4700 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5010 шт |
Еще 2 строки | |
LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211 | 11 551 ₽ от 15 5-7 дней склад 47110 шт |
IGBT MOD 1200V 35A 200W | запрос 5-7 дней |
3 ![]() | |
igbt модули | 12 960 ₽ на складе |
4 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ... Далее BSM25GD120DN2E3224Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/R | 55.3 ₽ 2-5 дней склад 14317 шт |
, Low Power Econo | 6 948 ₽ 2-5 дней склад 144 шт |
5 ![]() | |
13 905 ₽ 2-7 дней склад 274 шт | |
6 948 ₽ 2-7 дней склад 215 шт | |
6 727GS Китай Весь мир | |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17-Pin ECONO2-2 T/R / IGBT ... Далее BSM25GD120DN2E3224Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17-Pin ECONO2-2 T/R / IGBT Power Module | запрос склад 13378 шт |
7 Augswan Китай Весь мир | |
IGBT - Standard Modules 1200V 25A 3-PHASE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 12838 шт |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7296 шт |
IGBT MOD 1200V 35A 200W | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6398 шт |
8 ![]() | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ... Далее BSM25GD120DN2E3224Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/R | 55.3 ₽ 3-7 дней склад 14317 шт |
9 TradeElectronics Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM25GD120DN2E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A | запрос 7-14 дней |
10 Контест Москва Россия | |
BSM25GD120DN2E3224 04 Авг 2025 02:52 | 16 831 ₽ |
11 ![]() | |
bsm25gd120dn2e3224 06 Авг 2025 00:00 | запрос 7-14 дней |
12 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM25GD120DN2-E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
13 ![]() Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 400 руб. | |
BSM25GD120DN2E3224BOSA 1 11 Июл 2025 14:27 | запрос от 5000 ₽ 5-7 дней |
USD | 79.6736 |
EUR | 92.3252 |