BSM50GD120DN2E3226 IGBT - Standard Modules 1200V 50A 3-PHASE Бренды: Infineon Siemens | Цена от 8 371 ₽ до 21 282 ₽ Медиана 10 985 ₽ В наличии 4 цены от 4 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  Софт-Логистик Саранск Россия | |
igbt модули | 13 600 ₽ на складе |
igbt модули | 13 978 ₽ на складе |
2  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast ... Далее BSM50GD120DN2E3226IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate) | запрос склад 4231 шт |
3  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 7970 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 7660 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 10880 шт |
| Еще 1 строка | |
IGBT MOD 1200V 50A 350W | 5 114 ₽ от 10 5-7 дней склад 33921 шт |
4  ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, IGBT Modules N-CH 1.2kV 50A | 8 371 ₽ 2-5 дней склад 142 шт |
, IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 | 12 657 ₽ 2-5 дней склад 179 шт |
5  AiPCBA Китай Весь мир | |
21 282 ₽ 2-7 дней склад 227 шт | |
12 657 ₽ 2-7 дней склад 284 шт | |
| 6 727GS Китай Весь мир | |
IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast ... Далее BSM50GD120DN2E3226IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Package with insulated metal base plate) | запрос склад 4231 шт |
| 7 Augswan Китай Весь мир | |
IGBT - Standard Modules 1200V 50A 3-PHASE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 8615 шт |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6808 шт |
IGBT MOD 1200V 50A 350W | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7730 шт |
8  ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, IGBT Modules N-CH 1.2kV 50A | 8 371 ₽ 3-7 дней склад 291 шт |
| 9 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM50GD120DN2E3226Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | запрос 7-14 дней |
10  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
BSM50GD120DN2E3226 06 Авг 2025 12:14 | запрос 7-14 дней |
запрос 2 недели | |
| USD | 79.6736 |
| EUR | 92.3252 |
