 F430R06W1E3 Транзистор IGBT, INFINEON F430R06W1E3 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 30A, 1.55V, 165W, 600V, Module Бренд: Infineon | Цена от 2 080 ₽ до 2 511 ₽ Медиана 2 426 ₽ В наличии 3 цены от 3 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 14530 шт |
| 2 AiPCBA Китай Весь мир | |
2 426 ₽ 2-7 дней склад 19 шт | |
| 3 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, INFINEON F430R06W1E3 IGBT Array & Module Transistor, ... Далее F430R06W1E3Транзистор IGBT, INFINEON F430R06W1E3 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 30A, 1.55V, 165W, 600V, Module | 2 080 ₽ 2-5 дней склад 192 шт |
| 4 Augswan Китай Весь мир | |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 9858 шт |
5  ЧипСити Москва Россия | |
INFINEON F430R06W1E3 IGBT Array & Module Transistor, N ... Далее F430R06W1E3INFINEON F430R06W1E3 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 30A, 1.55V, 165W, 600V, Module | 2 511 ₽ 3-7 дней склад 165 шт |
| 6 TradeElectronics Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH ... Далее F4-30R06W1E3Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 48A | запрос 7-14 дней |
| 7 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
F4-30R06W1E3 17 Июн 2025 23:22 | запрос 7-14 дней |
| USD | 78.5067 |
| EUR | 90.9438 |
