 FD900R12IP4D INFINEON FD900R12IP4DIGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Бренд: Infineon | Цена от 30 935 ₽ до 98 398 ₽ Медиана 77 039 ₽ В наличии 4 цены от 4 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 9990 шт |
2  Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Массивы и Модули | 98 398 ₽ 5 шт 4-6 недель |
| 3 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, INFINEON FD900R12IP4D IGBT Array & Module Transistor, ... Далее FD900R12IP4DТранзистор IGBT, INFINEON FD900R12IP4D IGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900A, 1.7V, 5.1kW, 1.2kV, Module | 30 935 ₽ 2-5 дней склад 114 шт |
| 4 Augswan Китай Весь мир | |
INFINEON FD900R12IP4DIGBT Array & Module Transistor, High Power, N ... Далее FD900R12IP4DINFINEON FD900R12IP4DIGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6142 шт |
| 5 AiPCBA Китай Весь мир | |
78 998 ₽ 2-7 дней склад 210 шт | |
| 6 Maybo Китай Весь мир | |
INFINEON FD900R12IP4DIGBT Array & Module Transistor, High Power, N ... Далее FD900R12IP4DINFINEON FD900R12IP4DIGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module | запрос 25 дней |
7  ЧипСити Москва Россия | |
INFINEON FD900R12IP4D IGBT Array & Module Transistor, High ... Далее FD900R12IP4DINFINEON FD900R12IP4D IGBT Array & Module Transistor, High Power, N Channel, 900A, 1.7V, 5.1kW, 1.2kV, Module | 75 079 ₽ 3-7 дней склад 912 шт |
| 8 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
FD900R12IP4D 17 Июн 2025 17:51 | запрос 7-14 дней |
| USD | 78.5067 |
| EUR | 90.9438 |
