 GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) Бренд: Toshiba | Цена от 366 ₽ до 2 003 ₽ Медиана 888 ₽ В наличии 22 цены от 9 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
| 1 AiPCBA Китай Весь мир | |
955 ₽ 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 175 шт | |
888 ₽ 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 252 шт | |
| 2 ChipWorker Китай Весь мир | |
962 ₽ 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 175 шт | |
888 ₽ 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 252 шт | |
| 3 Acme Chip Китай Весь мир | |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL | запрос 7 дней склад 3426 шт |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL | запрос 7 дней склад 6676 шт |
| 4 ЧипСити Москва Россия | |
IGBT Single Transistor, 50A, 2.45V, 240W, 600V, TO-3P, 3Pins | 933 ₽ 3-7 дней склад 1001 шт |
| 5 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
| 6 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
| 7 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
| 8 Romstore Москва Россия, Беларусь | |
GT50J325 25 Апр 2024 02:14 IGBT транзистор: N-ch, 600В, 50А | 830 ₽ розница |
661 ₽ опт | |
| 9 Стандарт СИЗ Москва Россия Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 400 руб. | |
IGBT+D 600V, 50A, 240W | 185 ₽ от 5000 ₽ |
| 10 Промэлектроника Екатеринбург Россия и страны СНГ | |
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended ... Далее GT50J325Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) | 1 921 ₽ от 1 шт от 2-10 дней склад 25 шт |
| 11 PL-1 Москва Россия | |
IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS_с диодом_with diode | 427 ₽ от 1 шт да |
| Еще 3 цен: … 373 ₽ | |
406 ₽ от 3000 ₽ да | |
388 ₽ от 6000 ₽ да | |
373 ₽ от 2 шт да | |
| 12 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
2 003 ₽ | |
1 512 ₽ | |
1 630 ₽ | |
| Еще 1 строка | |
1 793 ₽ | |
| 13 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
GT50J325 20 Ноя 2023 00:56 | 411 ₽ склад 34 шт |
GT50J325 20 Ноя 2023 00:56 | 482 ₽ упаковка 25 шт склад 1 шт |
запрос склад 90 шт | |
| 14 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
1 517 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе | |
IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS_с диодом_with diode | 667 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended ... Далее GT50J325Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) | 1 443 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
| 15 Десси Москва Россия | |
IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS_с диодом_with diode. Исполнение: 2-21F2C | 366 ₽ |
455 ₽ | |
574 ₽ | |
| 16 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
GT50J325 25 Апр 2024 17:24 | запрос 2 недели |
GT50J325 25 Апр 2024 17:24 | запрос 7-14 дней |
| Еще 1 строка | |
GT50J325 (Q) 25 Апр 2024 17:24 | запрос 7-14 дней |
| 17 TradeElectronics Москва Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
| 18 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
| 19 AliExpress Китай Весь мир | |
75.7 ₽ от 5 шт 5 шт/лот от 21 дня | |
75.7 ₽ от 5 шт 5 шт/лот от 21 дня | |
Искать "GT50J325" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru Google
| USD | 92.5058 |
| EUR | 98.9118 |
