 GT50J325 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) Бренд: Toshiba | Цена от 366 ₽ до 3 720 ₽ Медиана 1 698 ₽ В наличии 41 цена от 12 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
запрос 5-7 дней склад 5950 шт | |
2  Romstore Москва Россия, Беларусь | |
GT50J325 11 Ноя 2025 02:50 | 830 ₽ розница |
661 ₽ опт | |
3  ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 2.45V, 240W, 600V, TO-3P ... Далее GT50J325Транзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 2.45V, 240W, 600V, TO-3P, 3Pins | 603 ₽ 2-5 дней склад 147 шт |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3Pin(3+Tab) TO ... Далее GT50J325 (Q)Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PL | 526 ₽ 2-5 дней склад 371 шт |
4  Microfind Москва РоссияТолько юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 ₽ Строка от 600 ₽ | |
TOSHIBA 2-21F2C (TO-3P(L));Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, ... Далее GT50J325TOSHIBA 2-21F2C (TO-3P(L));Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) | 2 006 ₽ от 1 склад 15 шт |
| Еще 4 цен: … 1 777 ₽ | |
1 936 ₽ от 2 склад 15 шт | |
1 870 ₽ от 3 склад 15 шт | |
1 821 ₽ от 4 склад 15 шт | |
1 777 ₽ от 5 склад 15 шт | |
5  AiPCBA Китай Весь мир | |
836 ₽ 2-7 дней склад 175 шт | |
778 ₽ 2-7 дней склад 252 шт | |
6  PL-1 Москва Россия | |
IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS_с диодом_with diode | 1 648 ₽ от 1 шт да |
| Еще 4 цен: … 1 340 ₽ | |
1 569 ₽ от 3000 ₽ да | |
1 498 ₽ от 6000 ₽ да | |
1 420 ₽ от 2 шт да | |
1 340 ₽ от 4 шт да | |
7  Элрус Москва Россия | |
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended ... Далее GT50J325Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) | 2 120 ₽ от 1 шт 3 дня склад 25 шт |
| Еще 3 цен: … 1 932 ₽ | |
2 046 ₽ от 2 шт 3 дня склад 25 шт | |
1 977 ₽ от 3 шт 3 дня склад 25 шт | |
1 932 ₽ от 4 шт 3 дня склад 25 шт | |
8  ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 2.45V, 240W, 600V, TO-3P ... Далее GT50J325Транзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 2.45V, 240W, 600V, TO-3P, 3Pins | 603 ₽ 3-7 дней склад 437 шт |
9  Берёзка Электронные Компоненты Москва РоссияЗаказ от 3000 руб. Строка от 100 руб. | |
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended ... Далее GT50J325Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) | 2 282 ₽ розница 2-3 рабочих дня склад 4 шт |
| Еще 3 цен: … 1 922 ₽ | |
2 138 ₽ мелкий опт 2-3 рабочих дня склад 4 шт | |
2 040 ₽ средний опт 2-3 рабочих дня склад 4 шт | |
1 922 ₽ крупный опт 2-3 рабочих дня склад 4 шт | |
10  ICdarom.ru Москва РоссияЗаказ от 3000 руб. Строка от 100 руб. | |
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended ... Далее GT50J325Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341) | 2 253 ₽ розница 2-3 рабочих дня склад 4 шт |
| Еще 3 цен: … 1 919 ₽ | |
2 134 ₽ мелкий опт 2-3 рабочих дня склад 4 шт | |
2 029 ₽ средний опт 2-3 рабочих дня склад 4 шт | |
1 919 ₽ крупный опт 2-3 рабочих дня склад 4 шт | |
11  ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
12  Стандарт СИЗ Москва РоссияТолько юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 400 руб. | |
GT50J325 13 Окт 2025 03:03 | запрос от 5000 ₽ 5-7 дней |
13  Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
14  ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
15  Элитан Ижевск РоссияБезнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
1 661 ₽ | |
1 698 ₽ | |
1 569 ₽ | |
| Еще 2 строки | |
2 012 ₽ | |
1 666 ₽ | |
16  Триема Воронеж РоссияФилиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
GT50J325 2-21F1a Toshiba 11 Ноя 2025 03:25 | 840 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
GT50J325 11 Ноя 2025 03:25 IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS_с диодом_with diode | 2 571 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
-1951636 | 3 720 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
| Еще 1 строка | |
GT50J325 2-21F1a Toshiba тиристор 11 Ноя 2025 03:25 1072155911 | 1 485 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
| 17 Десси Москва Россия | |
IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS_с диодом_with diode. Исполнение: 2-21F2C | 366 ₽ |
455 ₽ | |
574 ₽ | |
18  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
GT50J325 11 Ноя 2025 19:32 | запрос 2 недели |
GT50J325 11 Ноя 2025 19:32 | запрос 7-14 дней |
| Еще 1 строка | |
GT50J325 (Q) 11 Ноя 2025 19:32 | запрос 7-14 дней |
19  TradeElectronics Москва Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
| 20 727GS Китай Весь мир | |
IGBT 600V 30A 170W TO3PN | запрос склад 3459 шт |
21  LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
| 22 Augswan Китай Весь мир | |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 11638 шт |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7626 шт |
| USD | 81.0132 |
| EUR | 93.9287 |
