![]() ![]() GT50J325 IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS_с диодом_with diode Бренд: Toshiba | Цена от 234 ₽ до 4 065 ₽ Медиана 1 569 ₽ В наличии 33 цены от 11 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 ![]() | |
IGBT 600V 30A 170W TO3PN | 234 ₽ от 1 шт 7 дней склад 3459 шт |
2 ![]() | |
запрос 5-7 дней склад 5950 шт | |
3 ![]() Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
GT50J325 2-21F1a Toshiba 02 Авг 2025 03:30 | 840 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
GT50J325 02 Авг 2025 03:30 IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS_с диодом_with diode | 2 805 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
-1951636 | 4 065 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
Еще 1 строка | |
GT50J325 2-21F1a Toshiba тиристор 02 Авг 2025 03:30 1072155911 | 1 485 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
4 ![]() | |
Транзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 2.45V, 240W, 600V, TO-3P ... Далее GT50J325Транзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 2.45V, 240W, 600V, TO-3P, 3Pins | 597 ₽ 2-5 дней склад 147 шт |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3Pin(3+Tab) TO ... Далее GT50J325 (Q)Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PL | 522 ₽ 2-5 дней склад 371 шт |
5 727GS Китай Весь мир | |
IGBT 600V 30A 170W TO3PN | 234 ₽ от 1 шт 7 дней склад 3459 шт |
6 ![]() | |
GT50J325 02 Авг 2025 02:50 | 830 ₽ розница |
661 ₽ опт | |
7 ![]() | |
829 ₽ 2-7 дней склад 175 шт | |
771 ₽ 2-7 дней склад 252 шт | |
8 Augswan Китай Весь мир | |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 11638 шт |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7626 шт |
9 ![]() | |
IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS_с диодом_with diode | 1 798 ₽ от 1 шт да |
Еще 4 цен: … 1 462 ₽ | |
1 712 ₽ от 3000 ₽ да | |
1 634 ₽ от 6000 ₽ да | |
1 549 ₽ от 2 шт да | |
1 462 ₽ от 4 шт да | |
10 ![]() | |
TOSHIBA 2-21F2C (TO-3P(L)) Транзисторы Минимум 1шт. | 2 096 ₽ от 1 шт мин заказ 1 шт Да |
Еще 7 цен: | |
2 022 ₽ от 3 шт мин заказ 1 шт Да | |
1 952 ₽ от 4 шт мин заказ 1 шт Да | |
1 901 ₽ от 5 шт мин заказ 1 шт Да | |
1 854 ₽ от 6 шт мин заказ 1 шт Да | |
1 807 ₽ от 7 шт мин заказ 1 шт Да | |
1 638 ₽ от 42 шт мин заказ 1 шт Да | |
запрос от 0 шт мин заказ 1 шт Да | |
11 ![]() | |
Транзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 2.45V, 240W, 600V, TO-3P ... Далее GT50J325Транзистор IGBT, IGBT Single Transistor, 50A, 2.45V, 240W, 600V, TO-3P, 3Pins | 597 ₽ 3-7 дней склад 437 шт |
12 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
13 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
14 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
15 ![]() Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 400 руб. | |
GT50J325 11 Июл 2025 14:27 | запрос от 5000 ₽ 5-7 дней |
16 ![]() Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
1 661 ₽ | |
1 698 ₽ | |
1 569 ₽ | |
Еще 2 строки | |
2 012 ₽ | |
1 666 ₽ | |
17 Десси Москва Россия | |
IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS_с диодом_with diode. Исполнение: 2-21F2C | 366 ₽ |
455 ₽ | |
574 ₽ | |
18 ![]() | |
запрос 2 недели | |
GT50J325 04 Авг 2025 02:26 | запрос 2 недели |
GT50J325 04 Авг 2025 02:26 | запрос 7-14 дней |
Еще 1 строка | |
GT50J325 (Q) 04 Авг 2025 02:26 | запрос 7-14 дней |
19 TradeElectronics Москва Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
20 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | запрос 7-14 дней |
USD | 80.3289 |
EUR | 91.7056 |