 IGB10N60T Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; D2PAK; одиночный транзистор Бренд: Infineon | Цена от 59.7 ₽ до 294 ₽ Медиана 176 ₽ В наличии 22 цены от 8 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
запрос 5-7 дней склад 11310 шт | |
запрос 5-7 дней склад 4870 шт | |
2  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology | запрос склад 4505 шт |
3  Эиком Санкт-Петербург Россия | |
292 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 129 шт | |
| Еще 4 цен: … 157 ₽ | |
235 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 129 шт | |
178 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 129 шт | |
159 ₽ от 250 шт 21-42 дня склад 129 шт | |
157 ₽ от 500 шт 21-42 дня склад 129 шт | |
4  Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 253 ₽ 1 шт 4-6 недель |
| Еще 3 цен: … 95.5 ₽ | |
176 ₽ 10 шт 4-6 недель | |
138 ₽ 100 шт 4-6 недель | |
95.5 ₽ 1000 шт 4-6 недель | |
| 5 Augswan Китай Весь мир | |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 18183 шт | |
| 6 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V( ... Далее IGB10N60TТранзистор IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin | 90.8 ₽ 2-5 дней склад 141 шт |
| 7 727GS Китай Весь мир | |
Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology | запрос склад 4505 шт |
| 8 AiPCBA Китай Весь мир | |
88.4 ₽ 2-7 дней склад 284 шт | |
9  ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; D2PAK; одиночный транзистор | 294 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 129 шт |
| Еще 4 цен: … 159 ₽ | |
237 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 129 шт | |
180 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 129 шт | |
161 ₽ от 250 шт 5-10 дней склад 129 шт | |
159 ₽ от 500 шт 5-10 дней склад 129 шт | |
10  ЧипСити Москва Россия | |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ... Далее IGB10N60TInsulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin | 59.7 ₽ 3-7 дней склад 1225 шт |
| 11 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
191 ₽ | |
12  Зенер Москва Россия и страны ТС | |
IGB10N60T 17 Июн 2025 03:08 | 288 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 483 шт |
| Еще 3 цен: … 158 ₽ | |
232 ₽ от 10 шт 5-15 дней склад 483 шт | |
175 ₽ от 100 шт 5-15 дней склад 483 шт | |
158 ₽ от 250 шт 5-15 дней склад 483 шт | |
| 13 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 | запрос 7-14 дней |
| 14 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
IGB10N60T 17 Июн 2025 07:59 | запрос 7-14 дней |
| USD | 79.0028 |
| EUR | 90.0068 |
