 IGB10N60T Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; D2PAK; одиночный транзистор Бренд: Infineon | Цена от 61.6 ₽ до 347 ₽ Медиана 190 ₽ В наличии 22 цены от 8 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
| 1 AllElco Electronics Китай Весь мир | |
запрос 5-7 дней склад 11310 шт | |
запрос 5-7 дней склад 4870 шт | |
| 2 Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology | запрос склад 4505 шт |
| 3 ЭИК Санкт-Петербург Россия | |
296 ₽ от 1 шт 21-42 дня склад 142 шт | |
| Еще 4 цен: … 161 ₽ | |
237 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 142 шт | |
180 ₽ от 100 шт 21-42 дня склад 142 шт | |
162 ₽ от 250 шт 21-42 дня склад 142 шт | |
161 ₽ от 500 шт 21-42 дня склад 142 шт | |
| 4 Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 299 ₽ 1 шт 4-6 недель |
| Еще 3 цен: … 162 ₽ | |
240 ₽ 10 шт 4-6 недель | |
182 ₽ 100 шт 4-6 недель | |
162 ₽ 500 шт 4-6 недель | |
| 5 Augswan Китай Весь мир | |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 18183 шт | |
| 6 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V( ... Далее IGB10N60TТранзистор IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin | 93.6 ₽ 2-5 дней склад 141 шт |
| 7 727GS Китай Весь мир | |
Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology | запрос склад 4505 шт |
| 8 AiPCBA Китай Весь мир | |
91.2 ₽ 2-7 дней склад 284 шт | |
| 9 ТМ Электроникс Санкт-Петербург Россия | |
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; D2PAK; одиночный транзистор | 347 ₽ от 1 шт 5-10 дней склад 142 шт |
| Еще 4 цен: … 189 ₽ | |
278 ₽ от 10 шт 5-10 дней склад 142 шт | |
212 ₽ от 100 шт 5-10 дней склад 142 шт | |
191 ₽ от 250 шт 5-10 дней склад 142 шт | |
189 ₽ от 500 шт 5-10 дней склад 142 шт | |
| 10 ЧипСити Москва Россия | |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ... Далее IGB10N60TInsulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin | 61.6 ₽ 3-7 дней склад 1225 шт |
| 11 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
191 ₽ | |
| 12 Зенер Москва Россия и страны ТС | |
IGB10N60T 02 Май 2025 04:51 | 288 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 483 шт |
| Еще 3 цен: … 158 ₽ | |
232 ₽ от 10 шт 5-15 дней склад 483 шт | |
175 ₽ от 100 шт 5-15 дней склад 483 шт | |
158 ₽ от 250 шт 5-15 дней склад 483 шт | |
| 13 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 | запрос 7-14 дней |
| 14 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
IGB10N60T 02 Май 2025 19:42 | запрос 7-14 дней |
| USD | 81.4933 |
| EUR | 92.837 |
