 IGLD60R190D1AUMA1 Gallium nitride CoolGaN™ 600V e-mode power transistor IGLD60R190D1 for ultimate efficiency and reliability Бренд: Infineon | Цена от 821 ₽ до 3 053 ₽ Медиана 1 364 ₽ В наличии 14 цен от 6 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
| 1 Utmel Китай Весь мир | |
IGLD60R190D1: 600 V 10 A CoolGaN? Enhancement-Mode Power Transistor - ... Далее IGLD60R190D1AUMA1IGLD60R190D1: 600 V 10 A CoolGaN? Enhancement-Mode Power Transistor - LSON-8 | 978 ₽ от 1 шт 5-7 дней склад 38 шт |
| Еще 3 цен: … 821 ₽ | |
923 ₽ от 10 шт 5-7 дней склад 38 шт | |
871 ₽ от 100 шт 5-7 дней склад 38 шт | |
821 ₽ от 1000 шт 5-7 дней склад 38 шт | |
| 2 ChipWorker Китай Весь мир | |
1 129 ₽ 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 1450 шт | |
| 3 AiPCBA Китай Весь мир | |
1 115 ₽ 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 1450 шт | |
| 4 ЧипСити Москва Россия | |
GAN HV | 1 060 ₽ 3-7 дней склад 6157 шт |
| 5 Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG- ... Далее IGLD60R190D1AUMA1Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount | 1 765 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 1125 шт |
| Еще 5 цен: … 1 599 ₽ | |
1 731 ₽ от 5 шт 5-12 дней склад 1125 шт | |
1 699 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 1125 шт | |
1 665 ₽ от 50 шт 5-12 дней склад 1125 шт | |
1 633 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 1125 шт | |
1 599 ₽ от 250 шт 5-12 дней склад 1125 шт | |
| 6 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
3 053 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе | |
Искать "IGLD60R190D1AUMA1" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru Google
| USD | 93.2519 |
| EUR | 99.3648 |
