 IGLD60R190D1AUMA1 Нитрид галлия CoolGaN™ 600 В электронный транзистор IGLD60R190D1 для максимальной эффективности и надежности Бренд: Infineon | Цена от 685 ₽ до 1 550 ₽ Медиана 949 ₽ В наличии 20 цен от 8 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8 | 905 ₽ склад 22620 шт |
2  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8 | запрос 5-7 дней |
3  Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Полупроводники - Дискретные | 968 ₽ 1 шт 4-6 недель |
| Еще 3 цен: … 796 ₽ | |
914 ₽ 10 шт 4-6 недель | |
856 ₽ 100 шт 4-6 недель | |
796 ₽ 500 шт 4-6 недель | |
| 4 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 35000 шт | |
5  ChipWorker Китай Весь мир | |
, GAN HV | 692 ₽ 2-5 дней склад 159 шт |
6  ЧипСити Москва Россия | |
, GAN HV | 692 ₽ 3-7 дней склад 127 шт |
7  AiPCBA Китай Весь мир | |
992 ₽ 2-7 дней склад 1450 шт | |
8  Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG- ... Далее IGLD60R190D1AUMA1Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Surface Mount | 1 446 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 1311 шт |
| Еще 4 цен: … 1 000 ₽ | |
1 365 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 1311 шт | |
1 278 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 1311 шт | |
1 188 ₽ от 500 шт 5-12 дней склад 1311 шт | |
1 000 ₽ от 1000 шт 5-12 дней склад 1311 шт | |
9  Элитан Ижевск РоссияБезнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
1 544 ₽ | |
1 550 ₽ | |
10  Зенер Москва Россия и страны ТС | |
IGLD60R190D1AUMA1 18 Сен 2025 01:49 | 985 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 1311 шт |
| Еще 4 цен: … 685 ₽ | |
929 ₽ от 10 шт 5-15 дней склад 1311 шт | |
873 ₽ от 100 шт 5-15 дней склад 1311 шт | |
810 ₽ от 500 шт 5-15 дней склад 1311 шт | |
685 ₽ от 1000 шт 5-15 дней склад 1311 шт | |
| USD | 82.9987 |
| EUR | 98.2994 |
