![]() ![]() IRG4BC10SD IGBT 600V 14A 38W TO220AB Бренды: Infineon International Rectifier | Цена от 33.8 ₽ до 574 ₽ Медиана 160 ₽ В наличии 25 цен от 10 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 ![]() | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( ... Далее IRG4BC10SD-SINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) | IGBT 600V 14A 38W ... | запрос склад 8438 шт |
IGBT 600V 14A 38W D2PAK | запрос склад 17005 шт |
IGBT 600V 14A 38W TO262 | запрос склад 18061 шт |
Еще 1 строка | |
IGBT 600V 14A 38W D2PAK / Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin( ... Далее IRG4BC10SD-SPBFIGBT 600V 14A 38W D2PAK / Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | 81.9 ₽ от 50 шт 7 дней склад 5262 шт |
81.9 ₽ от 1 шт 7 дней склад 5262 шт | |
2 ![]() | |
IGBT 600V 14A 38W D2PAK | запрос 5-7 дней |
IGBT 600V 14A 38W TO262 | запрос 5-7 дней склад 4430 шт |
IGBT 600V 14A 38W TO220AB | запрос 5-7 дней склад 4710 шт |
Еще 2 строки | |
IGBT 600V 14A 38W TO262 | запрос 5-7 дней |
IGBT 600V 14A D2PAK | запрос 5-7 дней |
3 ![]() | |
Транзисторы - БТИЗ Одиночные | 239 ₽ 219 шт 4-6 недель |
4 ![]() | |
Транзистор: IGBT 600V 14A D2PAK | 260 ₽ от 219 шт 21-42 дня склад 2050 шт |
5 ![]() | |
167 ₽ на складе | |
164 ₽ на складе | |
6 Augswan Китай Весь мир | |
IGBT 600V 14A 38W D2PAK | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 9835 шт |
IGBT 600V 14A 38W TO220AB | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 13249 шт |
IGBT 600V 14A D2PAK | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 4439 шт |
Еще 2 строки | |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 13378 шт |
IGBT 600V 14A 38W TO262 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5082 шт |
7 727GS Китай Весь мир | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( ... Далее IRG4BC10SD-SINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) | IGBT 600V 14A 38W ... | 574 ₽ от 1 шт 7 дней склад 8438 шт |
303 ₽ от 1000 шт 7 дней склад 8438 шт | |
IGBT 600V 14A 38W D2PAK | 176 ₽ от 1 шт 7 дней склад 17005 шт |
77.8 ₽ от 4800 шт 7 дней склад 17005 шт | |
IGBT 600V 14A 38W TO262 | 176 ₽ от 1 шт 7 дней склад 18061 шт |
160 ₽ от 10 шт 7 дней склад 18061 шт | |
Еще 1 строка | |
IGBT 600V 14A 38W D2PAK / Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin( ... Далее IRG4BC10SD-SPBFIGBT 600V 14A 38W D2PAK / Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | 147 ₽ от 1 шт 7 дней склад 5262 шт |
84.6 ₽ от 800 шт 7 дней склад 5262 шт | |
8 AiPCBA Китай Весь мир | |
387 ₽ 2-7 дней склад 1884 шт | |
150 ₽ 2-7 дней склад 1375 шт | |
9 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) ... Далее IRG4BC10SD-SPBFТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube | 81.9 ₽ 2-5 дней склад 2050 шт |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) ... Далее IRG4BC10SD-SPBFТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube | 33.8 ₽ 2-5 дней склад 36486 шт |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(3+Tab) TO- ... Далее IRG4BC10SD-LPBFТранзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(3+Tab) TO-262 | 90.3 ₽ 2-5 дней склад 6055 шт |
10 Maybo Китай Весь мир | |
IGBT 600V 14A 38W D2PAK | 314 ₽ 25 дней склад 4000 шт |
IGBT 600V 14A 38W TO262 | 70.8 ₽ 25 дней склад 6000 шт |
11 ![]() | |
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 38Вт; D2PAK | 262 ₽ от 219 шт 5-10 дней склад 2050 шт |
12 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
IGBT 600V 14A 38W D2PAK | запрос 7-14 дней |
13 TradeElectronics Москва Россия | |
IGBT N-CH W/DIO 600V 14A D2PAK | запрос 7-14 дней |
14 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
IGBT 600V 14A 38W TO262 | запрос 7-14 дней |
15 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | запрос 7-14 дней |
16 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
IGBT N-CH W/DIO 600V 14.0A TO262 | запрос 7-14 дней |
17 ![]() | |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube | 174 ₽ 3-7 дней склад 1144 шт |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(3+Tab) TO-262 | 101 ₽ 3-7 дней склад 12832 шт |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube | 141 ₽ 3-7 дней склад 5840 шт |
18 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
IGBT UFAST 600V 14.0A TO-220AB | запрос 7-14 дней |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | запрос 7-14 дней |
19 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
D2-Pak | запрос 2 недели |
IRG4BC10SD-S 18 Июн 2025 23:32 | запрос 7-14 дней |
TO-220AB | запрос 2 недели |
Еще 7 строк | |
TO-262 | запрос 2 недели |
IRG4BC10SD 18 Июн 2025 23:32 | запрос 2 недели |
IRG4BC10SD-LPBF 18 Июн 2025 23:32 | запрос 2 недели |
IRG4BC10SD 18 Июн 2025 23:32 | запрос 7-14 дней |
IRG4BC10SD-L 18 Июн 2025 23:32 | запрос 7-14 дней |
IRG4BC10SD-LPBF 18 Июн 2025 23:32 | запрос 7-14 дней |
IRG4BC10SD-SPBF 18 Июн 2025 23:32 | запрос 7-14 дней |
USD | 78.7135 |
EUR | 90.7548 |