IRG4PC40UD Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C) Бренды: Infineon International Rectifier Vishay | Цена от 341 ₽ до 3 074 ₽ Медиана 589 ₽ В наличии 27 цен от 9 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 AliExpress Китай Весь мир | |
69.2 ₽ от 5 шт 5 шт/лот от 21 дня | |
2 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
130 ₽ до 5 дней | |
244 ₽ склад 1711 шт | |
IRG4PC40UD 20 Ноя 2023 00:56 | 288 ₽ да |
Транзистор IRG4PC40UD 600V 40A 20 Ноя 2023 00:56 | 290 ₽ до 5 дней |
6 AliExpress Китай Весь мир | |
292 ₽ от 21 дня | |
297 ₽ от 21 дня | |
8 ЧипСити Москва Россия | |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | 341 ₽ 3-7 дней склад 979 шт |
9 Romstore Москва Россия, Беларусь | |
IRG4PC40UD 25 Апр 2024 02:14 IGBT транзистор: 600В, 40А, + диод | 350 ₽ опт |
10 ЧипСити Москва Россия | |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin(3+Tab) TO-247AC | 393 ₽ 3-7 дней склад 870 шт |
11 AiPCBA Китай Весь мир | |
419 ₽ 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 200 шт | |
12 Romstore Москва Россия, Беларусь | |
IRG4PC40UD 25 Апр 2024 02:14 IGBT транзистор: 600В, 40А, + диод | 420 ₽ розница |
13 AiPCBA Китай Весь мир | |
439 ₽ 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 157 шт | |
459 ₽ 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 247 шт | |
15 ChipWorker Китай Весь мир | |
463 ₽ 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 247 шт | |
16 Софт Логистик Саранск Россия | |
491 ₽ на складе | |
17 ЧипСити Москва Россия | |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | 517 ₽ 3-7 дней склад 979 шт |
18 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
536 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе | |
19 Софт Логистик Саранск Россия | |
567 ₽ на складе | |
20 Контест Москва Россия | |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t= ... Далее IRG4PC40UDТранзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C) | 589 ₽ |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t= ... Далее IRG4PC40UDТранзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C) | 589 ₽ |
22 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
675 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе | |
23 Контест Москва Россия | |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t= ... Далее IRG4PC40UDТранзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C) | 680 ₽ склад 25 шт |
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t= ... Далее IRG4PC40UDТранзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C) | 680 ₽ склад 25 шт |
25 PL-1 Москва Россия | |
IGBT 600V, 40A, 160W_UltraFast_с диодом_with diode | 1 650 ₽ от 4 шт да |
1 720 ₽ от 2 шт да | |
1 791 ₽ от 6000 ₽ да | |
1 876 ₽ от 3000 ₽ да | |
1 970 ₽ от 1 шт да | |
30 Utmel Китай Весь мир | |
IGBT 600V 40A 160W TO247AD | 2 351 ₽ от 1000 шт 5-7 дней склад 1 шт |
2 492 ₽ от 100 шт 5-7 дней склад 1 шт | |
2 642 ₽ от 10 шт 5-7 дней склад 1 шт | |
2 800 ₽ от 1 шт 5-7 дней склад 1 шт | |
34 Триема Воронеж Россия Филиалы: Москва Белгород Курск Липецк Орел Тула | |
IGBT 600V, 40A, 160W_UltraFast_с диодом_with diode | 3 074 ₽ Доставка: есть Самовывоз: есть на складе |
35 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( ... Далее IRG4PC40UD**HB-IRINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A) | запрос 7-14 дней |
36 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
IRG4PC40UD-E 01 Май 2024 16:14 | запрос 7-14 дней |
37 TradeElectronics Москва Россия | |
IGBT W/DIODE 600V 40A TO-247AD | запрос 7-14 дней |
38 МосЧип Москва Россия | |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast ... Далее IRG4PC40UD/C02Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz | запрос 7-14 дней |
39 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
TO-247AC | запрос 2 недели |
40 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast ... Далее IRG4PC40UDБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz | запрос 7-14 дней |
41 Acme Chip Китай Весь мир | |
TO-247 | запрос 7 дней склад 83 шт |
TO-3P | запрос 7 дней склад 6217 шт |
NA | запрос 7 дней склад 6581 шт |
TO247 | запрос 7 дней склад 5567 шт |
45 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
IRG4PC40UDPBF | запрос 2 недели |
IRG4PC40UD-E 01 Май 2024 16:14 | запрос 2 недели |
47 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
запрос | |
запрос да | |
запрос склад 26 шт | |
запрос | |
запрос | |
52 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
IRG4PC40UD 01 Май 2024 16:14 | запрос 7-14 дней |
53 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast ... Далее IRG4PC40UD-EБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz | запрос 7-14 дней |
54 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
IRG4PC40UD-EPBF 01 Май 2024 16:14 | запрос 7-14 дней |
55 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
IRG4PC40UD TO-247AC 20 Ноя 2023 00:56 | запрос склад 21 шт |
Искать "IRG4PC40UD" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru Google
USD | 91.7791 |
EUR | 98.027 |