![]() ![]() LT1004IDG4-1-2 Шунтовой, фиксированный источник опорного напряжения 1.235 В, 20 мА, ±0.32 % в корпусе SOIC-8 Бренд: Texas Instruments | Цена от 35.4 ₽ до 50.0 ₽ Медиана 38.2 ₽ В наличии 3 цены от 3 поставщиков |
N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1 ![]() | |
IC VREF SHUNT 0.32% 8SOIC | запрос склад 22035 шт |
2 ![]() | |
IC VREF SHUNT 0.32% 8SOIC | запрос 5-7 дней склад 3849 шт |
3 ![]() | |
Опорный чип напряжения, V-Ref Precision 1.235V 10mA 8Pin SOIC Tube | 50.0 ₽ 2-5 дней склад 157 шт |
4 Maybo Китай Весь мир | |
Micropower Integrated Precision Voltage eference 8-SOIC -40 to 85 | запрос 25 дней |
5 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 35000 шт | |
6 EIS Components Китай Весь мир | |
new in stock for immediate delivery | 35.4 ₽ От 1 шт Оплата рубли, юани,... Далее От 1 шт Оплата рубли, юани, USD. 5-7 дней склад 5010 шт |
7 ![]() | |
38.2 ₽ 2-7 дней склад 4988 шт | |
8 ![]() | |
IC VREF SHUNT 1.235V 8-SOIC | запрос 7-14 дней |
9 ![]() | |
LT1004IDG4-1-2 16 Сен 2025 14:29 | запрос 7-14 дней |
10 Augswan Китай Весь мир | |
IC VREF SHUNT 0.32% 8SOIC | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5616 шт |
Мы уже отметили наиболее важные параметры для поиска замены LT1004IDG4-1-2.
Вы можете снять/добавить параметры для поиска аналогов в зависимости от своих целей сейчас или на следующем шаге.
Модель (OPN) Производитель | Тип ИОН | Тип выхода | Напряжение выходное (мин./фикс.) | Ток выходной | Корпус | Допустимое отклонение | Рабочая температура | Температурный коэффициент | Шум 10Гц~10кГц | Ток катода | RoHS | Статус продукта | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LT1004IDG4-1-2 Texas Instruments | Шунтовой | Фиксированный | 1.235 В | 20 мА | SOIC-8 ![]() | -0.32~0.32 % | -40~85 °C | 20 ppm/°C | 60 мкВ СКЗ | 10 мкА | Да | Снят с производства | Tube |
REF1004I-1.2 Texas Instruments | Шунтовой | Фиксированный | 1.235 В | 20 мА | SOIC-8 ![]() | -0.3~0.3 % | -40~85 °C | 20 ppm/°C | 60 мкВ СКЗ | 10 мкА | Да | Снимается с производства | Tube |
LM285D-1.2G ON Semiconductor | Шунтовой | Фиксированный | 1.235 В | 20 мА | SOIC-8 ![]() | -1~1 % | -40~85 °C | 80 ppm/°C | 60 мкВ СКЗ | 20 мкА | Да | В производстве | Tube |
TL431BVDG ON Semiconductor | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -0.4~0.4 % | -40~125 °C | 50 ppm/°C | 1 мА | Да | Снят с производства | Tube | |
TL431BIDE4 Texas Instruments | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -0.5~0.5 % | -40~85 °C | 700 мкА | Да | Снят с производства | Tube | ||
TL431AID STMicroelectronics | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -1~1 % | -40~105 °C | 700 мкА | Да | Снят с производства | Tube | ||
TL431BQDE4 Texas Instruments | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -0.5~0.5 % | -40~125 °C | 700 мкА | Да | Снят с производства | Tube | ||
TL431ID STMicroelectronics | Шунтовой | Регулируемый | 2.495 В | 100 мА | SOIC-8 ![]() | -2.21~2.21 % | -40~105 °C | 1 мА | Да | Снят с производства | Tube | ||
REF1004C-1.2 Texas Instruments | Шунтовой | Фиксированный | 1.235 В | 20 мА | SOIC-8 ![]() | -0.3~0.3 % | 0~70 °C | 20 ppm/°C | 60 мкВ СКЗ | 10 мкА | Да | Снимается с производства | Tube |
REF1004C-2.5 Texas Instruments | Шунтовой | Фиксированный | 2.5 В | 20 мА | SOIC-8 ![]() | -0.4~0.4 % | 0~70 °C | 20 ppm/°C | 120 мкВ СКЗ | 20 мкА | Да | Снимается с производства | Tube |
LT1009CD Texas Instruments | Шунтовой | Фиксированный | 2.5 В | 10 мА | SOIC-8 ![]() | -0.4~0.4 % | 0~70 °C | 25 ppm/°C | 400 мкА | Да | В производстве | Tube |
USD | 83.0718 |
EUR | 97.4502 |