 MASTERGAN4TR Драйвер полумоста с высокой плотностью мощности 600 В с двумя режимами усиления GaN HEMT Бренд: STMicroelectronics | Цена от 200 ₽ до 2 206 ₽ Медиана 813 ₽ В наличии 17 цен от 6 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IC HALF BRIDGE DRV 4A/6.5A 31QFN | 200 ₽ от 3000 5-7 дней склад 5539 шт |
2  Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Микросхемы Управления Питанием | 490 ₽ 1 шт 4-6 недель |
| Еще 5 цен: … 393 ₽ | |
465 ₽ 10 шт 4-6 недель | |
450 ₽ 30 шт 4-6 недель | |
433 ₽ 100 шт 4-6 недель | |
413 ₽ 500 шт 4-6 недель | |
393 ₽ 1000 шт 4-6 недель | |
| 3 Maybo Китай Весь мир | |
Gate Drivers High power density 600V half bridge driver, two ... Далее MASTERGAN4TRGate Drivers High power density 600V half bridge driver, two enhancement mode GaN power HEMTComplete Your Design | запрос 25 дней |
4  ChipWorker Китай Весь мир | |
, High Voltage Half Bridge Gate Drivers,MA | 247 ₽ 2-5 дней склад 862 шт |
| 5 727GS Китай Весь мир | |
IC GATE NAND SCHMIT 4CH 2IN 14SO | запрос склад 15211 шт |
6  AiPCBA Китай Весь мир | |
813 ₽ 2-7 дней склад 25 шт | |
| 7 Augswan Китай Весь мир | |
High power density 600V half-bri | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5503 шт |
8  Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Gate Driver, 2 канал(-ов), Полумост, GaN HEMT, 31 вывод(-ов), QFN | 2 206 ₽ от 1 шт 5-12 дней склад 215 шт |
| Еще 5 цен: … 1 671 ₽ | |
1 862 ₽ от 10 шт 5-12 дней склад 215 шт | |
1 801 ₽ от 25 шт 5-12 дней склад 215 шт | |
1 761 ₽ от 50 шт 5-12 дней склад 215 шт | |
1 706 ₽ от 100 шт 5-12 дней склад 215 шт | |
1 671 ₽ от 250 шт 5-12 дней склад 215 шт | |
9  Зенер Москва Россия и страны ТС | |
MASTERGAN4TR 23 Авг 2025 03:51 | 1 311 ₽ от 1 шт 5-15 дней склад 230 шт |
1 089 ₽ от 10 шт 5-15 дней склад 230 шт | |
| USD | 80.7498 |
| EUR | 93.6274 |
