NE3509M04 РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET Бренды: CEL NEC Renesas Rochester Electronics | Цена от 23.1 ₽ до 9 584 ₽ Медиана 109 ₽ В наличии 17 цен от 8 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
| 1 AllElco Electronics Китай Весь мир | |
EVAL DEV RF NE3509M04 | запрос 5-7 дней |
FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | запрос 5-7 дней склад 4190 шт |
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | запрос 5-7 дней склад 53190 шт |
| Еще 2 строки | |
запрос 5-7 дней склад 13850 шт | |
FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | запрос 5-7 дней |
| 2 Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 67.6 ₽ от 1 шт 7 дней склад 10041 шт |
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET | запрос склад 11546 шт |
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET | запрос склад 11360 шт |
| 3 EIS Components Китай Весь мир | |
new in stock for immediate delivery | 65.2 ₽ От 1 шт Оплата рубли, юани,... Далее От 1 шт Оплата рубли, юани, USD. 5-7 дней склад 8270 шт |
| 4 Augswan Китай Весь мир | |
EVAL DEV RF NE3509M04 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 2739 шт |
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04 | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 15317 шт |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 12364 шт | |
| Еще 1 строка | |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5382 шт | |
| 5 AiPCBA Китай Весь мир | |
58.9 ₽ 2-7 дней склад 218 шт | |
147 ₽ 2-7 дней склад 277 шт | |
35.0 ₽ 2-7 дней склад 1750 шт | |
| Еще 2 строки | |
109 ₽ 2-7 дней склад 3 шт | |
9 584 ₽ 2-7 дней склад 279 шт | |
| 6 727GS Китай Весь мир | |
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET | запрос склад 11546 шт |
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET | запрос склад 11360 шт |
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | запрос склад 10041 шт |
| 7 Maybo Китай Весь мир | |
RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET | запрос 25 дней |
FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | 110 ₽ 25 дней склад 29757 шт |
| 8 ChipWorker Китай Весь мир | |
... для разработки, EVAL DEV RF NE3509M04 Далее NE3509M04-EVNF24-AНабор разработчика и версия для разработки, EVAL DEV RF NE3509M04 | 7 876 ₽ 2-5 дней склад 500 шт |
Транзистор JFET, Trans FET N-CH 4V 60mA 4Pin Thin-Type Super Mini-Mold | 146 ₽ 2-5 дней склад 112 шт |
транзистор характеристики, Trans FET N-CH 4V 60mA 4Pin Thin-Type Super ... Далее NE3509M04-Aтранзистор характеристики, Trans FET N-CH 4V 60mA 4Pin Thin-Type Super Mini-Mold | 70.5 ₽ 2-5 дней склад 391 шт |
| Еще 2 строки | |
, AMP HJ-FET 2GHz SOT-343 | 38.5 ₽ 2-5 дней склад 162 шт |
Труба MOS, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET, LEAD FREE, ... Далее NE3509M04-T2-AТруба MOS, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET, LEAD FREE, THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 | 23.1 ₽ 2-5 дней склад 190 шт |
| 9 ЗУМ-СМД Москва Россия Только юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 600 руб. | |
SOT-343 | запрос от 600 ₽ от 7 дней склад 310596 шт |
| 10 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
NE3509M04 12 Апр 2025 06:00 | 94.6 ₽ склад 878 шт |
запрос склад 42 шт | |
| 11 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Радиочастотные средства разработки For NE3509M04-A | запрос 7-14 дней |
| 12 TradeElectronics Москва Россия | |
Радиочастотные средства разработки For NE3509M04-A | запрос 7-14 дней |
| 13 ЧипСити Москва Россия | |
S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET, LEAD FREE, THIN, SUPER ... Далее NE3509M04-T2-AS BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET, LEAD FREE, THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 | 56.0 ₽ 3-7 дней склад 946 шт |
| 14 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
126 ₽ | |
| 15 МосЧип Москва Россия | |
РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch ... Далее NE3509M04-T2РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET | запрос 7-14 дней |
| 16 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch ... Далее NE3509M04РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET | запрос 7-14 дней |
| 17 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI | запрос 7-14 дней |
| 18 Контест Москва Россия | |
NE3509M04-T2 01 Май 2025 02:36 | 144 ₽ |
NE3509M04-T2 01 Май 2025 02:36 | 144 ₽ |
| 19 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
NE3509M04-T2-A | запрос 2 недели |
NE3509M04-A 02 Май 2025 13:17 | запрос 7-14 дней |
NE3509M04-EVNF24 02 Май 2025 13:17 | запрос 7-14 дней |
| Еще 2 строки | |
NE3509M04-EVNF24-A 02 Май 2025 13:17 | запрос 7-14 дней |
NE3509M04-T2-A 02 Май 2025 13:17 | запрос 7-14 дней |
| 20 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET | запрос 7-14 дней |
Искать "NE3509M04" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru Google
| USD | 81.4933 |
| EUR | 92.837 |
