NTE3320 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Бренд: NTE Electronics | Цена от 1 479 ₽ до 2 208 ₽ Медиана 1 693 ₽ В наличии 7 цен от 3 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
| 1 AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT-600V 50AMP | 1 782 ₽ от 1 5-7 дней склад 36803 шт |
| Еще 4 цен: … 1 479 ₽ | |
1 693 ₽ от 10 5-7 дней склад 36803 шт | |
1 604 ₽ от 20 5-7 дней склад 36803 шт | |
1 515 ₽ от 50 5-7 дней склад 36803 шт | |
1 479 ₽ от 100 5-7 дней склад 36803 шт | |
| 2 AiPCBA Китай Весь мир | |
2 208 ₽ 2-7 дней склад 1 шт | |
| 3 ЧипСити Москва Россия | |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P | 2 075 ₽ 3-7 дней склад 178 шт |
| 4 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
NTE3320 12 Апр 2025 06:00 | 2 315 ₽ склад 268 шт |
| 5 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High ... Далее NTE3320Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | запрос 7-14 дней |
| USD | 81.4933 |
| EUR | 92.837 |
