 NTE3320 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Бренд: NTE Electronics | Цена от 1 267 ₽ до 2 196 ₽ Медиана 1 640 ₽ В наличии 8 цен от 4 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
IGBT-600V 50AMP | 1 773 ₽ склад 90586 шт |
2  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT-600V 50AMP | 1 773 ₽ от 1 5-7 дней склад 36803 шт |
| Еще 4 цен: … 1 471 ₽ | |
1 684 ₽ от 10 5-7 дней склад 36803 шт | |
1 595 ₽ от 20 5-7 дней склад 36803 шт | |
1 507 ₽ от 50 5-7 дней склад 36803 шт | |
1 471 ₽ от 100 5-7 дней склад 36803 шт | |
| 3 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 226 шт | |
4  AiPCBA Китай Весь мир | |
2 196 ₽ 2-7 дней склад 1 шт | |
5  ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3Pin(3+Tab) TO ... Далее NTE3320Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P | 1 267 ₽ 3-7 дней склад 228 шт |
6  ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High ... Далее NTE3320Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | запрос 7-14 дней |
| USD | 81.0547 |
| EUR | 93.9295 |
