NTE3320 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Бренд: NTE Electronics | Цена от 1 255 ₽ до 2 176 ₽ Медиана 1 581 ₽ В наличии 7 цен от 3 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT-600V 50AMP | 1 757 ₽ от 1 5-7 дней склад 36803 шт |
| Еще 4 цен: … 1 458 ₽ | |
1 669 ₽ от 10 5-7 дней склад 36803 шт | |
1 581 ₽ от 20 5-7 дней склад 36803 шт | |
1 493 ₽ от 50 5-7 дней склад 36803 шт | |
1 458 ₽ от 100 5-7 дней склад 36803 шт | |
2  ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3Pin(3+Tab) TO ... Далее NTE3320Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 240000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P | 1 255 ₽ 3-7 дней склад 228 шт |
3  AiPCBA Китай Весь мир | |
2 176 ₽ 2-7 дней склад 1 шт | |
| 4 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High ... Далее NTE3320Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | запрос 7-14 дней |
| USD | 80.3289 |
| EUR | 91.7056 |
