NTE3322 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Бренд: NTE Electronics | Цена от 1 630 ₽ до 2 610 ₽ Медиана 2 195 ₽ В наличии 8 цен от 4 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
| 1 AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT-900V 60AMP | 2 373 ₽ от 1 5-7 дней склад 40671 шт |
| Еще 4 цен: … 1 970 ₽ | |
2 254 ₽ от 10 5-7 дней склад 40671 шт | |
2 136 ₽ от 20 5-7 дней склад 40671 шт | |
2 017 ₽ от 50 5-7 дней склад 40671 шт | |
1 970 ₽ от 100 5-7 дней склад 40671 шт | |
| 2 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 170000mW 3Pin | 1 630 ₽ 2-5 дней склад 119 шт |
| 3 AiPCBA Китай Весь мир | |
2 610 ₽ 2-7 дней склад 2 шт | |
| 4 ЧипСити Москва Россия | |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 170000mW 3Pin | 2 453 ₽ 3-7 дней склад 240 шт |
| 5 T-electron Раменское, Московская обл. Россия и страны СНГ | |
NTE3322 12 Апр 2025 06:00 | 3 119 ₽ склад 56 шт |
| 6 TradeElectronics Москва Россия | |
Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High ... Далее NTE3322Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | запрос 7-14 дней |
| 7 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
NTE3322 03 Май 2025 17:11 | запрос 7-14 дней |
| USD | 81.4933 |
| EUR | 92.837 |
