 NTE3322 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Бренд: NTE Electronics | Цена от 1 621 ₽ до 2 596 ₽ Медиана 2 124 ₽ В наличии 9 цен от 5 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
IGBT-900V 60AMP | 2 360 ₽ склад 139640 шт |
2  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT-900V 60AMP | 2 360 ₽ от 1 5-7 дней склад 40671 шт |
| Еще 4 цен: … 1 959 ₽ | |
2 242 ₽ от 10 5-7 дней склад 40671 шт | |
2 124 ₽ от 20 5-7 дней склад 40671 шт | |
2 006 ₽ от 50 5-7 дней склад 40671 шт | |
1 959 ₽ от 100 5-7 дней склад 40671 шт | |
| 3 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 44 шт | |
4  ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 170000mW 3Pin | 1 621 ₽ 2-5 дней склад 188 шт |
5  AiPCBA Китай Весь мир | |
2 596 ₽ 2-7 дней склад 2 шт | |
6  ЧипСити Москва Россия | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 170000mW 3Pin | 1 621 ₽ 3-7 дней склад 474 шт |
7  TradeElectronics Москва Россия | |
Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High ... Далее NTE3322Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | запрос 7-14 дней |
8  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
NTE3322 19 Ноя 2025 21:19 | запрос 7-14 дней |
| USD | 81.0547 |
| EUR | 93.9295 |
