 REF5025IDG4 Последовательный, фиксированный источник опорного напряжения 2.5 В, 10 мА, ±0.05 % в корпусе SOIC-8 Бренд: Texas Instruments | Цена от 81.7 ₽ до 1 538 ₽ Медиана 956 ₽ В наличии 22 цены от 10 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  ChipWorker Китай Весь мир | |
Опорный чип напряжения, 3 µVpp/V Noise, 3ppm/℃ Drift Precision ... Далее REF5025IDG4Опорный чип напряжения, 3 µVpp/V Noise, 3ppm/℃ Drift Precision Voltage Reference 8-SOIC -40℃ to 125℃ | |
2  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
IC VREF SERIES 0.05% 8SOIC | |
3  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IC VREF SERIES 0.05% 8SOIC | |
4  AiPCBA Китай Весь мир | |
| 5 EIS Components Китай Весь мир | |
new in stock for immediate delivery | |
6  Эиком Санкт-Петербург Россия | |
Источник опорного напряжения: выходное напряжение (мин/фиксированное) ... Далее REF5025IDG4Источник опорного напряжения: выходное напряжение (мин/фиксированное) 2,5 В, входное напряжение 2,7…18 В, рабочий ток источника питания 1,2 ... | |
| Еще 4 цен: … 887 ₽ | |
1 137 ₽ от 10 шт 21-42 дня склад 32 шт | |
1 052 ₽ от 25 шт 21-42 дня склад 32 шт | |
958 ₽ от 75 шт 21-42 дня склад 32 шт | |
887 ₽ от 300 шт 21-42 дня склад 32 шт | |
7  Зенер Москва Россия и страны ТС | |
Источник опорного напряжения: рабочий ток источника питания 1,2 мА, ... Далее REF5025IDG4Источник опорного напряжения: рабочий ток источника питания 1,2 мА, входное напряжение 2,7 В ~ 18 В, выходное напряжение (Мин/Фиксированное) ... | |
| Еще 5 цен: … 855 ₽ | |
1 132 ₽ от 10 шт 5-40 дней склад 32 шт | |
1 048 ₽ от 25 шт 5-40 дней склад 32 шт | |
954 ₽ от 75 шт 5-40 дней склад 32 шт | |
884 ₽ от 300 шт 5-40 дней склад 32 шт | |
855 ₽ от 1050 шт 5-40 дней склад 32 шт | |
8  Компонентс Ру Санкт-Петербург Россия | |
Источники Опорного Напряжения | |
| Еще 3 цен: … 1 000 ₽ | |
1 186 ₽ 10 шт 4-6 недель | |
1 098 ₽ 25 шт 4-6 недель | |
1 000 ₽ 75 шт 4-6 недель | |
9  ЧипСити Москва Россия | |
Опорный чип напряжения, 3 µVpp/V Noise, 3ppm/℃ Drift Precision ... Далее REF5025IDG4Опорный чип напряжения, 3 µVpp/V Noise, 3ppm/℃ Drift Precision Voltage Reference 8-SOIC -40℃ to 125℃ | |
10  Рутоника Москва Россия и страны СНГ | |
... -p · SMD. Источник опорного напряжения REF5025IDG4 Далее REF5025IDG4 ... мА · шум 3µVp-p · SMD. Источник опорного напряжения REF5025IDG4 | |
| 11 Augswan Китай Весь мир | |
IC VREF SERIES 0.05% 8SOIC | |
12  МосЧип Москва Россия | |
IC VREF SERIES PREC 2.5V 8-SOIC | |
13  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
05 Ноя 2026 08:10 | |
| 14 Maybo Китай Весь мир | |
IC VREF SERIES 0.05% 8SOIC | |
| 15 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
Мы уже отметили наиболее важные параметры для поиска замены REF5025IDG4.
Вы можете снять/добавить параметры для поиска аналогов в зависимости от своих целей сейчас или на следующем шаге.
| Модель (OPN) Производитель | Тип ИОН | Тип выхода | Напряжение выходное (мин./фикс.) | Ток выходной | Корпус | Допустимое отклонение | Рабочая температура | Температурный коэффициент | Шум 0.1Гц~10Гц | Напряжение входное | Ток питания | RoHS | Статус продукта | Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| REF5025IDG4 Texas Instruments | Последовательный | Фиксированный | 2.5 В | 10 мА | SOIC-8, SOP-8, SO-8 | -0.05~0.05 % | -40~125 °C | 3 ppm/°C | 7.5 µVpp/V | 2.7~18 В | 1.2 мА | Да | Снят с производства | Tube |
| REF5025ID Texas Instruments | Последовательный | Фиксированный | 2.5 В | 10 мА | SOIC-8, SOP-8, SO-8 | -0.05~0.05 % | -40~125 °C | 3 ppm/°C | 7.5 µVpp/V | 2.7~18 В | 1.2 мА | Да | В производстве | Tube |
| ADR292GRZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 4.096 В | 5 мА | SOIC-8, SOP-8, SO-8 | -0.15~0.15 % | -40~125 °C | 25 ppm/°C | 12 мкВ п-п | 5~15 В | 18 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF191ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 2.048 В | 30 мА | SOIC-8, SOP-8, SO-8 | -0.1~0.1 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 20 мкВ п-п | 3~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF192FSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 2.5 В | 30 мА | SOIC-8, SOP-8, SO-8 | -0.2~0.2 % | -40~85 °C | 10 ppm/°C | 25 мкВ п-п | 3~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF198ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 4.096 В | 30 мА | SOIC-8, SOP-8, SO-8 | -0.05~0.05 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 40 мкВ п-п | 4.5~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF194ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 4.5 В | 30 мА | SOIC-8, SOP-8, SO-8 | -0.04~0.04 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 45 мкВ п-п | 4.75~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF192GSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 2.5 В | 30 мА | SOIC-8, SOP-8, SO-8 | -0.4~0.4 % | -40~85 °C | 25 ppm/°C | 25 мкВ п-п | 3~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF196GSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 3.3 В | 30 мА | SOIC-8, SOP-8, SO-8 | -0.3~0.3 % | -40~85 °C | 25 ppm/°C | 33 мкВ п-п | 3.5~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF198GSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 4.096 В | 30 мА | SOIC-8, SOP-8, SO-8 | -0.24~0.24 % | -40~85 °C | 25 ppm/°C | 40 мкВ п-п | 4.5~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF195ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 5 В | 30 мА | SOIC-8, SOP-8, SO-8 | -0.04~0.04 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 50 мкВ п-п | 5.1~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| USD | 81.6699 |
| EUR | 91.601 |
| CNY | 12.1816 |
