 REF5030AIDG4 Последовательный, фиксированный источник опорного напряжения 3 В, 10 мА, ±0.1 % в корпусе SOIC-8 Бренд: Texas Instruments | Цена от 125 ₽ до 2 354 ₽ Медиана 334 ₽ В наличии 7 цен от 7 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
IC VREF SERIES 0.1% 8SOIC | 230 ₽ склад 117026 шт |
2  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IC VREF SERIES 0.1% 8SOIC | запрос 5-7 дней склад 17440 шт |
| 3 Maybo Китай Весь мир | |
IC VREF SERIES 0.1% 8SOIC | 1 067 ₽ 25 дней склад 5 шт |
4  ChipWorker Китай Весь мир | |
Опорный чип напряжения, V-Ref Precision 3V 10mA 8Pin SOIC Tube | 334 ₽ 2-5 дней склад 120 шт |
| 5 Hi-Tech Circuit Group Китай Весь мир | |
запрос склад 35000 шт | |
| 6 727GS Китай Весь мир | |
IC VREF SERIES 3V 8SOIC | 2 354 ₽ от 1 шт 7 дней склад 17031 шт |
| 7 EIS Components Китай Весь мир | |
new in stock for immediate delivery | 125 ₽ От 1 шт Оплата рубли, юани,... Далее От 1 шт Оплата рубли, юани, USD. 5-7 дней склад 5010 шт |
8  AiPCBA Китай Весь мир | |
279 ₽ 2-7 дней склад 294 шт | |
9  ЧипСити Москва Россия | |
Опорный чип напряжения, V-Ref Precision 3V 10mA 8Pin SOIC Tube | 334 ₽ 3-7 дней склад 167 шт |
10  Онлайн Компоненты Москва Россия | |
Источник опорного напряжения, прецизионный, малошумящий, REF5030, 3В, ... Далее REF5030AIDG4Источник опорного напряжения, прецизионный, малошумящий, REF5030, 3В, SOIC-8 | запрос 5-12 дней |
11  ЗУМ-СМД Москва РоссияТолько юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 600 руб. | |
SOIC-8 | запрос от 600 ₽ от 7 дней склад 4497 шт |
12  ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
IC VREF SERIES PREC 3V 8-SOIC | запрос 7-14 дней |
13  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
запрос 2 недели | |
REF5030AIDG4 16 Сен 2025 11:41 | запрос 7-14 дней |
| 14 Augswan Китай Весь мир | |
IC VREF SERIES 0.1% 8SOIC | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 13107 шт |
Мы уже отметили наиболее важные параметры для поиска замены REF5030AIDG4.
Вы можете снять/добавить параметры для поиска аналогов в зависимости от своих целей сейчас или на следующем шаге.
| Модель (OPN) Производитель | Тип ИОН | Тип выхода | Напряжение выходное (мин./фикс.) | Ток выходной | Корпус | Допустимое отклонение | Рабочая температура | Температурный коэффициент | Шум 0.1Гц~10Гц | Напряжение входное | Ток питания | RoHS | Статус продукта | Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| REF5030AIDG4 Texas Instruments | Последовательный | Фиксированный | 3 В | 10 мА | SOIC-8 | -0.1~0.1 % | -40~125 °C | 8 ppm/°C | 9 µVpp/V | 3.2~18 В | 1.2 мА | Да | Снят с производства | Tube |
| REF5025ID Texas Instruments | Последовательный | Фиксированный | 2.5 В | 10 мА | SOIC-8 | -0.05~0.05 % | -40~125 °C | 3 ppm/°C | 7.5 µVpp/V | 2.7~18 В | 1.2 мА | Да | В производстве | Tube |
| ADR292GRZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 4.096 В | 5 мА | SOIC-8 | -0.15~0.15 % | -40~125 °C | 25 ppm/°C | 12 мкВ п-п | 5~15 В | 18 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF192FSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 2.5 В | 30 мА | SOIC-8 | -0.2~0.2 % | -40~85 °C | 10 ppm/°C | 25 мкВ п-п | 3~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF191ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 2.048 В | 30 мА | SOIC-8 | -0.1~0.1 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 20 мкВ п-п | 3~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF198ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 4.096 В | 30 мА | SOIC-8 | -0.05~0.05 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 40 мкВ п-п | 4.5~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF196GSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 3.3 В | 30 мА | SOIC-8 | -0.3~0.3 % | -40~85 °C | 25 ppm/°C | 33 мкВ п-п | 3.5~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF194ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 4.5 В | 30 мА | SOIC-8 | -0.04~0.04 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 45 мкВ п-п | 4.75~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF192GSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 2.5 В | 30 мА | SOIC-8 | -0.4~0.4 % | -40~85 °C | 25 ppm/°C | 25 мкВ п-п | 3~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF198GSZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 4.096 В | 30 мА | SOIC-8 | -0.24~0.24 % | -40~85 °C | 25 ppm/°C | 40 мкВ п-п | 4.5~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| REF195ESZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 5 В | 30 мА | SOIC-8 | -0.04~0.04 % | -40~85 °C | 5 ppm/°C | 50 мкВ п-п | 5.1~15 В | 45 мкА | Да | В производстве | Tube |
| USD | 84.3798 |
| EUR | 99.3304 |
