| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 10790 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 10550 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5200 шт |
| Еще 3 строки | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 11540 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 9700 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 10280 шт |
2  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
SEMIX; Trench IGBT Module; 1200V; 300A | запрос склад 4970 шт |
SEMIX; Trench IGBT Module; 1700V; 300A | запрос склад 15767 шт |
3  ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 916A, ... Далее SEMIX 604GB12E4SТранзистор IGBT, IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 916A, 1.8V, 1.2kV, SEMiX 4s | 16 079 ₽ 2-5 дней склад 127 шт |
Транзистор IGBT, IGBT; 1700V, 660A @ 25℃; 650A @ 80℃; 1.7V @ 25℃ | 45 686 ₽ 2-5 дней склад 105 шт |
транзистор характеристики, IGBT; 1200V, 700A @ 25℃; 700A @ 80℃; 1.7V @ ... Далее SEMIX 703GD126HDCтранзистор характеристики, IGBT; 1200V, 700A @ 25℃; 700A @ 80℃; 1.7V @ 25℃ | 44 407 ₽ 2-5 дней склад 154 шт |
| Еще 38 строк | |
Транзистор IGBT, SEMIKRON SEMIX101GD126HDS IGBT Array & Module ... Далее SEMIX101GD126HDSТранзистор IGBT, SEMIKRON SEMIX101GD126HDS IGBT Array & Module Transistor, Six NPN, 129A, 1.7V, 1.2kV, Module | 8 141 ₽ 2-5 дней склад 5000 шт |
Транзистор IGBT, SEMIKRON SEMIX453GB12E4S IGBT Array & Module ... Далее SEMIX453GB12E4SТранзистор IGBT, SEMIKRON SEMIX453GB12E4S IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 683A, 1.8V, 1.2kV, SEMiX 3s | 12 300 ₽ 2-5 дней склад 100 шт |
Транзистор IGBT, SEMIKRON SEMIX202GB12E4S IGBT Array & Module ... Далее SEMIX202GB12E4SТранзистор IGBT, SEMIKRON SEMIX202GB12E4S IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 314A, 1.8V, 1.2kV, SEMiX 2s | 6 573 ₽ 2-5 дней склад 5000 шт |
транзистор характеристики, IGBT MODULE, 1.7kV, 246A, SEMIX 2S | 7 144 ₽ 2-5 дней склад 5000 шт |
транзистор характеристики, Trans IGBT Module N-CH 1200V 448A 20Pin ... Далее SEMIX303GB12VSтранзистор характеристики, Trans IGBT Module N-CH 1200V 448A 20Pin Case Semix-3S | 10 237 ₽ 2-5 дней склад 5000 шт |
Дискретное устройство, Silicon Controlled Rectifier, 266.9A I(T)RMS, ... Далее SEMIX171KH16SДискретное устройство, Silicon Controlled Rectifier, 266.9A I(T)RMS, 170000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1Element, SEMIX 1S, 6Pin | 4 625 ₽ 2-5 дней склад 195 шт |
Транзистор IGBT, Dual Series IGBT 1200V 450A SEMiX Module | 16 856 ₽ 2-5 дней склад 188 шт |
Дискретное устройство, Module; thyristor/thyristor, double series; 1. ... Далее SEMIX302KT16SДискретное устройство, Module; thyristor/thyristor, double series; 1.6kV; 300A; SEMIX2S | 6 797 ₽ 2-5 дней склад 189 шт |
Дискретное устройство, Module; thyristor/thyristor, double series; 1. ... Далее SEMIX141KT16SДискретное устройство, Module; thyristor/thyristor, double series; 1.6kV; 140A; SEMIX1S | 3 718 ₽ 2-5 дней склад 179 шт |
транзистор характеристики, Brake chopper; Urmax:600V; Ic:379A; Ifsm:1. ... Далее SEMIX402GAL066HDSтранзистор характеристики, Brake chopper; Urmax:600V; Ic:379A; Ifsm:1.8kA; SEMIX2S; screw | 6 492 ₽ 2-5 дней склад 191 шт |
Транзистор IGBT, SEMiX® 33c | 31 389 ₽ 2-5 дней склад 5000 шт |
транзистор характеристики, SEMiX® 3s | 9 960 ₽ 2-5 дней склад 5000 шт |
Дискретное устройство, Module: diode; double series; 1.6kV; 300A; ... Далее SEMIX302KD16SДискретное устройство, Module: diode; double series; 1.6kV; 300A; SEMIX2S; Ufmax:1.6V | 5 494 ₽ 2-5 дней склад 119 шт |
Транзистор IGBT, SEMIX3S | 18 889 ₽ 2-5 дней склад 172 шт |
транзистор характеристики, SEMiX® 33c | 44 077 ₽ 2-5 дней склад 5000 шт |
Дискретное устройство, Module; diode/thyristor; 1.6kV; 300A; SEMIX2S; ... Далее SEMIX302KH16SДискретное устройство, Module; diode/thyristor; 1.6kV; 300A; SEMIX2S; Ufmax:1.7V; screw | 6 307 ₽ 2-5 дней склад 199 шт |
Диоды Шоттки, Module: diode; double series; 1.6kV; 190A; SEMIX1S; ... Далее SEMIX191KD16SДиоды Шоттки, Module: diode; double series; 1.6kV; 190A; SEMIX1S; Ufmax:1.5V | 4 661 ₽ 2-5 дней склад 124 шт |
4  AiPCBA Китай Весь мир | |
21 224 ₽ 2-7 дней склад 217 шт | |
62 859 ₽ 2-7 дней склад 296 шт | |
44 407 ₽ 2-7 дней склад 234 шт | |
| Еще 20 строк | |
23 524 ₽ 2-7 дней склад 241 шт | |
9 921 ₽ 2-7 дней склад 219 шт | |
15 591 ₽ 2-7 дней склад 251 шт | |
8 776 ₽ 2-7 дней склад 202 шт | |
20 025 ₽ 2-7 дней склад 283 шт | |
16 200 ₽ 2-7 дней склад 231 шт | |
4 374 ₽ 2-7 дней склад 211 шт | |
24 532 ₽ 2-7 дней склад 268 шт | |
34 417 ₽ 2-7 дней склад 281 шт | |
13 291 ₽ 2-7 дней склад 2 шт | |
12 066 ₽ 2-7 дней склад 237 шт | |
40 389 ₽ 2-7 дней склад 237 шт | |
8 326 ₽ 2-7 дней склад 213 шт | |
35 817 ₽ 2-7 дней склад 242 шт | |
9 043 ₽ 2-7 дней склад 267 шт | |
8 708 ₽ 2-7 дней склад 213 шт | |
10 999 ₽ 2-7 дней склад 275 шт | |
| 5 727GS Китай Весь мир | |
SEMIX; Trench IGBT Module; 1200V; 300A | запрос склад 4970 шт |
SEMIX; Trench IGBT Module; 1700V; 300A | запрос склад 15767 шт |
| 6 Augswan Китай Весь мир | |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5226 шт |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 448A 20-Pin Case Semix-3S | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 9050 шт |
Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 3 Element, ... Далее SEMIX241DH16SSilicon Controlled Rectifier, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 3 Element, CASE SEMIX 13S, 20 PIN | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6985 шт |
| Еще 7 строк | |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 12-Pin Case Semix-1S | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6632 шт |
SEMIX; Trench IGBT Module; 600V; 800A | SEMIKRON SEMIX603GB066HDS | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6227 шт |
IGBT Module, NPT, Trench, 600V, SEMIX 2 | SEMIKRON SEMIX402GB066HDS | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6279 шт |
Diode 1.6KV 190A 4-Pin Case Semix-1S | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6972 шт |
Igbt Half Bridge, 1200V, Semix | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 4664 шт |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 340A, 1600V V(RRM), Silicon, SEMIX 13 ... Далее SEMIX341D16SBridge Rectifier Diode, 3 Phase, 340A, 1600V V(RRM), Silicon, SEMIX 13, 5 PIN | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6819 шт |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 242A 15-Pin Case Semix-2S | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6160 шт |
7  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
SEMIX 251GD126HDS 03 Авг 2025 23:59 | запрос 7-14 дней |
SEMIX 253GB126HD 03 Авг 2025 23:59 | запрос 7-14 дней |
SEMIX 253GB176HD 03 Авг 2025 23:59 | запрос 7-14 дней |
| Еще 4 строки | |
SEMIX 253GD126HDC 03 Авг 2025 23:59 | запрос 7-14 дней |
SEMIX 253GD176HDC 03 Авг 2025 23:59 | запрос 7-14 дней |
SEMIX 353GB176HDS 03 Авг 2025 23:59 | запрос 7-14 дней |
SEMIX101GD126HDS 03 Авг 2025 23:59 | запрос 7-14 дней |
8  ЧипСити Москва Россия | |
Дискретное устройство, Silicon Controlled Rectifier, 266.9A I(T)RMS, ... Далее SEMIX171KH16SДискретное устройство, Silicon Controlled Rectifier, 266.9A I(T)RMS, 170000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1Element, SEMIX 1S, 6Pin | 4 625 ₽ 3-7 дней склад 111 шт |
Дискретное устройство, Module; thyristor/thyristor, double series; 1. ... Далее SEMIX302KT16SДискретное устройство, Module; thyristor/thyristor, double series; 1.6kV; 300A; SEMIX2S | 6 797 ₽ 3-7 дней склад 394 шт |
Дискретное устройство, Module; thyristor/thyristor, double series; 1. ... Далее SEMIX141KT16SДискретное устройство, Module; thyristor/thyristor, double series; 1.6kV; 140A; SEMIX1S | 3 718 ₽ 3-7 дней склад 224 шт |
| Еще 4 строки | |
транзистор характеристики, Brake chopper; Urmax:600V; Ic:379A; Ifsm:1. ... Далее SEMIX402GAL066HDSтранзистор характеристики, Brake chopper; Urmax:600V; Ic:379A; Ifsm:1.8kA; SEMIX2S; screw | 6 492 ₽ 3-7 дней склад 360 шт |
Дискретное устройство, Module: diode; double series; 1.6kV; 300A; ... Далее SEMIX302KD16SДискретное устройство, Module: diode; double series; 1.6kV; 300A; SEMIX2S; Ufmax:1.6V | 5 494 ₽ 3-7 дней склад 244 шт |
Дискретное устройство, Module; diode/thyristor; 1.6kV; 300A; SEMIX2S; ... Далее SEMIX302KH16SДискретное устройство, Module; diode/thyristor; 1.6kV; 300A; SEMIX2S; Ufmax:1.7V; screw | 6 307 ₽ 3-7 дней склад 140 шт |
Диоды Шоттки, Module: diode; double series; 1.6kV; 190A; SEMIX1S; ... Далее SEMIX191KD16SДиоды Шоттки, Module: diode; double series; 1.6kV; 190A; SEMIX1S; Ufmax:1.5V | 4 661 ₽ 3-7 дней склад 283 шт |
| 9 ЭлектроПласт- Екатеринбург Екатеринбург Россия | |
Rectifier Diode Module | запрос 7-14 дней |
| 10 TradeElectronics Москва Россия | |
Rectifier Thyr./Diode Module | запрос 7-14 дней |
| 11 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Rectifier (Thryr./Diode) Module | запрос 7-14 дней |
| 12 МосЧип Москва Россия | |
Trench IGBT Modules | запрос 7-14 дней |
Rectifier (Thryr./Diode) Module | запрос 7-14 дней |
| 13 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
AVX Advanced Ceramic Capacitors for Power Supply, High Voltage and Tip ... Далее SEMIX1BRMECHANICALSAMPAVX Advanced Ceramic Capacitors for Power Supply, High Voltage and Tip and Ring Applications | запрос 7-14 дней |
| 14 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
AVX Advanced Ceramic Capacitors for Power Supply, High Voltage and Tip ... Далее SEMIX13BRMECHANICALSAMAVX Advanced Ceramic Capacitors for Power Supply, High Voltage and Tip and Ring Applications | запрос 7-14 дней |
AVX Advanced Ceramic Capacitors for Power Supply, High Voltage and Tip ... Далее SEMIX2BRMECHANICALSAMPAVX Advanced Ceramic Capacitors for Power Supply, High Voltage and Tip and Ring Applications | запрос 7-14 дней |
Rectifier Diode Module | запрос 7-14 дней |
| USD | 80.3289 |
| EUR | 91.7056 |
