 TLE2425IDG4 С виртуальной землей (прецизионной), фиксированный источник опорного напряжения 2.5 В, 20 мА, ±0.8 % в корпусе SOIC-8 Бренд: Texas Instruments | Цена от 88.5 ₽ до 1 515 ₽ Медиана 152 ₽ В наличии 4 цены от 4 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IC VREF GND REF 0.8% 8SOIC | запрос 5-7 дней склад 12983 шт |
| 2 Maybo Китай Весь мир | |
IC VREF GND REF 0.8% 8SOIC | 1 515 ₽ 25 дней склад 2805 шт |
3  ChipWorker Китай Весь мир | |
Опорный чип напряжения, V-Ref Precision 2.5V 20mA 8Pin SOIC Tube | 151 ₽ 2-5 дней склад 168 шт |
| 4 EIS Components Китай Весь мир | |
new in stock for immediate delivery | 88.5 ₽ От 1 шт Оплата рубли, юани,... Далее От 1 шт Оплата рубли, юани, USD. 5-7 дней склад 5010 шт |
| 5 Augswan Китай Весь мир | |
IC VREF GND REF 0.8% 8SOIC | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 5211 шт |
6  AiPCBA Китай Весь мир | |
152 ₽ 2-7 дней склад 3107 шт | |
| 7 МосЧип Москва Россия | |
IC VREF GND REF PREC 2.5V 8-SOIC | запрос 7-14 дней |
8  Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
TLE2425IDG4 02 Авг 2025 04:39 | запрос 7-14 дней |
Мы уже отметили наиболее важные параметры для поиска замены TLE2425IDG4.
Вы можете снять/добавить параметры для поиска аналогов в зависимости от своих целей сейчас или на следующем шаге.
| Модель (OPN) Производитель | Тип ИОН | Тип выхода | Напряжение выходное (мин./фикс.) | Ток выходной | Корпус | Допустимое отклонение | Рабочая температура | Температурный коэффициент | Шум 10Гц~10кГц | Напряжение входное | RoHS | Статус продукта | Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLE2425IDG4 Texas Instruments | С виртуальной землей (прецизионной) | Фиксированный | 2.5 В | 20 мА | SOIC-8 | -0.8~0.8 % | -40~85 °C | 20 ppm/°C | 100 мкВ СКЗ | 4~40 В | Да | Снимается с производства | Tube |
| TLE2426ID Texas Instruments | С виртуальной землей (прецизионной) | Регулируемый | 2 В | 20 мА | SOIC-8 | -1~1 % | -40~85 °C | 35 ppm/°C | 120 мкВ СКЗ | 4~40 В | Да | Снимается с производства | Tube |
| TLE2426IDG4 Texas Instruments | С виртуальной землей (прецизионной) | Регулируемый | 2 В | 20 мА | SOIC-8 | -1~1 % | -40~85 °C | 35 ppm/°C | 120 мкВ СКЗ | 4~40 В | Да | Снимается с производства | Tube |
| TLE2426MD Texas Instruments | С виртуальной землей (прецизионной) | Регулируемый | 2 В | 20 мА | SOIC-8 | -1~1 % | -55~125 °C | 35 ppm/°C | 120 мкВ СКЗ | 4~40 В | Да | Снимается с производства | Tube |
| TLE2426CD Texas Instruments | С виртуальной землей (прецизионной) | Регулируемый | 2 В | 20 мА | SOIC-8 | -1~1 % | 0~70 °C | 35 ppm/°C | 120 мкВ СКЗ | 4~40 В | Да | Снимается с производства | Tube |
| TLE2426CDG4 Texas Instruments | С виртуальной землей (прецизионной) | Регулируемый | 2 В | 20 мА | SOIC-8 | -1~1 % | 0~70 °C | 35 ppm/°C | 120 мкВ СКЗ | 4~40 В | Да | Снимается с производства | Tube |
| REF1004C-2.5 Texas Instruments | Шунтовой | Фиксированный | 2.5 В | 20 мА | SOIC-8 | -0.4~0.4 % | 0~70 °C | 20 ppm/°C | 120 мкВ СКЗ | Да | Снимается с производства | Tube | |
| REF1004C-1.2 Texas Instruments | Шунтовой | Фиксированный | 1.235 В | 20 мА | SOIC-8 | -0.3~0.3 % | 0~70 °C | 20 ppm/°C | 60 мкВ СКЗ | Да | Снимается с производства | Tube | |
| TLE2426IDR Texas Instruments | С виртуальной землей (прецизионной) | Регулируемый | 2 В | 20 мА | SOIC-8 | -1~1 % | -40~85 °C | 35 ppm/°C | 120 мкВ СКЗ | 4~40 В | Да | Снимается с производства | Cut Tape Tape & Reel |
| TLE2426IPE4 Texas Instruments | С виртуальной землей (прецизионной) | Регулируемый | 2 В | 20 мА | DIP-8  | -1~1 % | -40~85 °C | 35 ppm/°C | 120 мкВ СКЗ | 4~40 В | Да | Снимается с производства | Tube |
| AD680ARZ Analog Devices | Последовательный | Фиксированный | 2.5 В | 10 мА | SOIC-8 | -0.2~0.2 % | -40~85 °C | 20 ppm/°C | 4.5~36 В | Да | В производстве | Tube |
| USD | 80.3163 |
| EUR | 91.8751 |
