» Цены
 Профессиональная электроника и электротехника Полупроводниковые приборы Дискретные приборы Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Фирмы-производители:
|
Транзисторы, транзисторные сборки и модули » Полевые транзисторы
Найдено: 10,600 Вывод: 1 - 20 (590 предложений)
| N | Наименование | Цена, руб. | Поставщик |
| 1. |  2N7002Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.115 А(постоянный), 0.8 А(импульсный) | ||
| 2N7002 Fairchild | 0.97 | Стандарт СИЗ | |
| 2N7002 Galaxy Semiconductor Co., Ltd. - | 1.07 2.44 | Промэлектроника | |
| 2N7002 Galaxy Semiconductor | 1.30 1.43 1.63 2.11 2.84 | Элрус | |
| 2N7002 DC Components | 1.50 | Интерия | |
| 2N7002 ON Semiconductor | 1.53 2.85 | Промэлектроника | |
| 2N7002 DC Components | 1.57 1.70 1.89 2.19 | Элрус | |
| 2N7002 ONS-FAIR - | 1.73 | Интерия | |
| 2N7002 Fairchild | 1.83 | Интерия | |
| 2N7002 DC Components | 2.02 | Контест | |
| 2N7002 ONS-FAIR - | 2.02 2.19 2.42 2.80 | Элрус | |
| 2N7002 DC Components | 2.02 | Контест | |
| 2N7002 DC Components | 2.18 2.18 3.05 | Элрус | |
| 2N7002 ONS-FAIR - | 2.36 | Элрус | |
| 2N7002 ONS-FAIR - | 2.61 | Контест | |
| 2N7002 ONS-FAIR - | 2.61 | Контест | |
| 2N7002 Fairchild | 2.78 | ЗУМ-ЭК | |
| 2N7002 ON Semiconductor | 2.97 3.22 3.63 4.40 5.59 | Элрус | |
| 2N7002 Fairchild | 3.52 | Контест | |
| 2N7002 Fairchild | 3.52 | Контест | |
| 2N7002 ON Semiconductor | 7.71 | Контест | |
| 2N7002 ON Semiconductor | 7.71 | Контест | |
| 2N7002 Philips | 7.71 | Контест | |
| 2N7002 Philips | 7.71 | Контест | |
| 2N7002 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| 2N7002 Fairchild | запрос | LifeElectronics | |
| 2N7002 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| 2N7002 Fairchild | запрос | Кремний | |
| 2N7002 Fairchild | запрос | Кремний | |
| 2N7002 POWERSILICON INCORPORATED - | запрос | Контест | |
| 2N7002 Silicon Power | запрос | Контест | |
| 2N7002 ST MICROELECTRONICS SEMI - | запрос | Контест | |
| 2N7002 Zetex | запрос | Контест | |
| 2N7002 Siliconix | запрос | Контест | |
| 2N7002 Philips | запрос | Контест | |
| 2N7002 CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD - | запрос | Контест | |
| 2N7002 | запрос | Промэлектроника | |
| 2N7002 NXP | запрос | T-electron | |
| 2N7002 Fairchild | запрос | T-electron | |
| 2N7002 STMicroelectronics | запрос | T-electron | |
| 2N7002 Fairchild | запрос | Кремний | |
| 2N7002 ST MICROELECTRONICS SEMI - | запрос | Контест | |
| 2N7002 Silicon Power | запрос | Контест | |
| 2N7002 Zetex | запрос | Контест | |
| 2N7002 Siliconix | запрос | Контест | |
| 2N7002 Philips | запрос | Контест | |
| 2N7002 POWERSILICON INCORPORATED - | запрос | Контест | |
| 2N7002 CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD - | запрос | Контест | |
| 2. |  IRLML2803TRPBFMOSFET, N REEL 3K, Transistor Type:MOSFET, Transistor Polarity:N, Voltage, Vds Typ:30V, Current, Id Cont:0.85A, Resistance, Rds On:0.3ohm, Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V, Voltage, Vgs th Typ:1V, Case Style:SOT-23, Termination Type:SMD, Current, Idm ... | ||
| IRLML2803TRPBF Infineon | 2.95 | Стандарт СИЗ | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | 3.06 | Стандарт СИЗ | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | 3.17 | Стандарт СИЗ | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 3.53 | ЗУМ-ЭК | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | 3.73 | ЗУМ-ЭК | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 3.91 | ЗУМ-ЭК | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 4.00 6.66 | Промэлектроника | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 4.21 | T-electron | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 4.27 | Элитан | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | 4.40 | Стандарт СИЗ | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 4.56 4.93 5.46 6.32 | Элрус | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 4.61 4.92 6.71 | Спецэлсервис | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | 4.74 | ЗУМ-ЭК | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 4.83 5.10 5.55 6.21 7.28 | Элрус | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 4.83 5.19 5.53 | Спецэлсервис | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 4.90 5.40 6.40 | ДКО Электронщик | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 5.00 5.60 6.50 | Терраэлектроника | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 5.15 5.42 7.43 | Спецэлсервис | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 5.22 | Интерия | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | 6.48 | ЗУМ-ЭК | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 6.96 | Контест | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | 6.96 | Контест | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | 8.39 | Контест | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | 8.39 | Контест | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | 12.00 | Ким | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | запрос | Электродеталь-Поставка | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | запрос | Кремний | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | запрос | Кремний | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | запрос | Интерия | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | запрос | Контест | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | запрос | Элрус | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | запрос | Контест | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | запрос | ЭФО | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | запрос | Океан Электроники | |
| IRLML2803TRPBF Infineon | запрос | ЭФО | |
| IRLML2803TRPBF International Rectifier | запрос | ЭФО | |
| 3. |  IRF630MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3], Тип: N, Uси: 200 В, Iс(25°C): 9 А, Rси(вкл): 0.4 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 31 нКл | ||
| IRF630 STMicroelectronics | 7.22 | ЗУМ-ЭК | |
| IRF630 STMicroelectronics | 12.98 | Стандарт СИЗ | |
| IRF630 STMicroelectronics | 13.41 | Стандарт СИЗ | |
| IRF630 STMicroelectronics | 13.88 | ЗУМ-ЭК | |
| IRF630 | 14.03 20.04 | Промэлектроника | |
| IRF630 STMicroelectronics | 15.14 | T-electron | |
| IRF630 STMicroelectronics | 15.91 | ЗУМ-ЭК | |
| IRF630 STMicroelectronics | 17.10 19.10 22.20 | ДКО Электронщик | |
| IRF630 STMicroelectronics | 17.93 19.38 21.48 24.85 | Элрус | |
| IRF630 ST-MICROELECTRONICS - | 18.26 | Интерия | |
| IRF630 STMicroelectronics | 18.60 19.19 23.00 | ICdarom | |
| IRF630 STMicroelectronics | 19.64 20.51 21.68 23.28 25.86 | Элрус | |
| IRF630 STMicroelectronics | 19.70 21.90 25.50 | Терраэлектроника | |
| IRF630 STMicroelectronics | 20.23 21.30 29.20 | Спецэлсервис | |
| IRF630 STMicroelectronics | 22.31 24.01 25.56 | Спецэлсервис | |
| IRF630 STMicroelectronics | 23.08 | Контест | |
| IRF630 STMicroelectronics | 23.08 | Контест | |
| IRF630 STMicroelectronics | 24.02 25.30 37.96 | Спецэлсервис | |
| IRF630 STMicroelectronics | 24.08 | ЗУМ-ЭК | |
| IRF630 Vishay | 34.64 | Контест | |
| IRF630 Vishay | 34.64 | Контест | |
| IRF630 International Rectifier | 39.35 | Контест | |
| IRF630 International Rectifier | 39.35 | Контест | |
| IRF630 STMicroelectronics | 42.00 | Ким | |
| IRF630 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| IRF630 STMicroelectronics | запрос | LifeElectronics | |
| IRF630 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| IRF630 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| IRF630 Intersil | запрос | Контест | |
| IRF630 STMicroelectronics | запрос | Элрус | |
| IRF630 STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| IRF630 Intersil | запрос | Контест | |
| 4. |  STP4NK60ZFPMOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP], Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 4 А, Rси(вкл): 2 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 18.8 нКл | ||
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 12.02 | Стандарт СИЗ | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 12.89 | ЗУМ-ЭК | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 13.26 | Стандарт СИЗ | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 14.71 | ЗУМ-ЭК | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 17.75 | ЗУМ-ЭК | |
| STP4NK60ZFP | 18.60 28.74 | Промэлектроника | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 20.62 | T-electron | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 21.38 | ЗУМ-ЭК | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 21.50 | Элитан | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 22.93 24.78 27.45 31.79 | Элрус | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 25.20 28.00 32.70 | Терраэлектроника | |
| STP4NK60ZFP ST-MICROELECTRONICS - | 25.78 | Интерия | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 25.87 27.24 37.33 | Спецэлсервис | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 26.39 27.94 29.98 32.89 37.60 | Элрус | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 27.10 28.10 34.00 | ICdarom | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 29.51 | Контест | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 29.51 | Контест | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 32.29 34.01 51.02 | Спецэлсервис | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | 43.00 | Ким | |
| STP4NK60ZFP STMICROELECTR - | 48.77 | Контест | |
| STP4NK60ZFP STMICROELECTR - | 48.77 | Контест | |
| STP4NK60ZFP | 132.16 | Контест | |
| STP4NK60ZFP | 132.16 | Контест | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | ЭлектроПласт - Екатеринбург | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | Элрус | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| STP4NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| 5. |  STP5NK80ZFPMOSFET N TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage Vds Typ 800V Current Id Cont 4.3A Resistance Rds On 2.4ohm Voltage Vgs Rds on Measurement 10V Voltage Vgs th Typ 3.75V Case Style TO-220FP Termination Type Throug | ||
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 20.62 | ЗУМ-ЭК | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 21.05 | ЗУМ-ЭК | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 21.70 | ЗУМ-ЭК | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 22.97 | Стандарт СИЗ | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 26.30 | Элитан | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 28.03 30.29 33.55 38.84 | Элрус | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 28.18 | T-electron | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 30.20 33.50 39.10 | ДКО Электронщик | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 30.74 | Стандарт СИЗ | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 30.80 34.20 39.90 | Терраэлектроника | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 30.91 | ЗУМ-ЭК | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 31.62 33.29 45.62 | Спецэлсервис | |
| STP5NK80ZFP ST-MICROELECTRONICS - | 32.14 | Интерия | |
| STP5NK80ZFP | 32.34 49.98 | Промэлектроника | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 32.58 34.17 40.00 | ICdarom | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 33.06 34.91 37.33 40.75 46.30 | Элрус | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 36.07 | Контест | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 36.07 | Контест | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 45.38 | ЗУМ-ЭК | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 54.21 57.10 85.65 | Спецэлсервис | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | 62.00 | Ким | |
| STP5NK80ZFP STMICROELECTR - | 63.86 | Контест | |
| STP5NK80ZFP STMICROELECTR - | 63.86 | Контест | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP5NK80ZFP ST MICROELECTRONICS SEMI - | запрос | Контест | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | запрос | Элрус | |
| STP5NK80ZFP STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| STP5NK80ZFP ST MICROELECTRONICS SEMI - | запрос | Контест | |
| 6. |  STP55NF06MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3], Тип: N, Uси: 60 В, Iс(25°C): 50 А, Rси(вкл): 22 мОм, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 45 нКл | ||
| STP55NF06 STMicroelectronics | 11.05 | Стандарт СИЗ | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 11.86 | ЗУМ-ЭК | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 12.61 | Стандарт СИЗ | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 15.72 | T-electron | |
| STP55NF06 ST-MICROELECTRONICS - | 20.12 | Интерия | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 20.29 | ЗУМ-ЭК | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 20.38 | ЗУМ-ЭК | |
| STP55NF06 | 21.44 30.62 | Промэлектроника | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 21.44 30.62 | Промэлектроника | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 22.57 | ЗУМ-ЭК | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 23.30 | Элитан | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 25.40 28.20 32.90 | ДКО Электронщик | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 25.49 27.44 29.21 | Спецэлсервис | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 26.21 28.32 31.37 36.32 | Элрус | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 27.86 29.02 30.53 32.57 35.88 | Элрус | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 28.80 32.00 37.30 | Терраэлектроника | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 29.25 30.36 37.00 | ICdarom | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 29.57 31.12 42.65 | Спецэлсервис | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 33.72 | Контест | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 33.72 | Контест | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | 34.00 | Ким | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | запрос | МосЧип | |
| STP55NF06 ST MICROELECTRONICS SEMI - | запрос | Контест | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | запрос | Элрус | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| STP55NF06 ST MICROELECTRONICS SEMI - | запрос | Контест | |
| STP55NF06 STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| 7. |  2N7002LT1GMOSFET, N, SOT-23, Transistor Type:MOSFET, Transistor Polarity:N, Voltage, Vds Typ:60V, Current, Id Cont:0.115A, Resistance, Rds On:7.5ohm, Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V, Voltage, Vgs th Typ:2.5V, Case Style:SOT-23, Termination Type:SMD, Current, ... | ||
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 0.48 | Стандарт СИЗ | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 0.85 | Элитан | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 0.89 | T-electron | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 0.96 | Электродеталь-Поставка | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 1.11 | ЗУМ-ЭК | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 1.16 2.16 | Промэлектроника | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 1.20 1.30 1.60 | Терраэлектроника | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 1.24 | Интерия | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 1.32 1.40 2.00 | ICdarom | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 1.34 | Стандарт СИЗ | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 1.68 | ЗУМ-ЭК | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 1.81 | ЗУМ-ЭК | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 1.85 | ЗУМ-ЭК | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 2.24 2.43 2.75 3.42 4.43 | Элрус | |
| 2N7002LT1G ONSEMICONDUCTOR - | 2.32 | Контест | |
| 2N7002LT1G ONSEMICONDUCTOR - | 2.32 | Контест | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 2.50 | Контест | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 2.50 | Контест | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | 9.00 | Ким | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | запрос | ДКО Электронщик | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | запрос | Кремний | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | запрос | Кремний | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | запрос | Кремний | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | запрос | Кремний | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | запрос | Контест | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | запрос | Элрус | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | запрос | ЭФО | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | запрос | Океан Электроники | |
| 2N7002LT1G ON Semiconductor | запрос | Контест | |
| 8. |  BSS138LT1GMOSFET, N, 50V, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:50V; Current, Id Cont:0.2A; Resistance, Rds On:3.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage, Vgs th Typ:1.5V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Powe | ||
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.11 | ЗУМ-ЭК | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.24 | Стандарт СИЗ | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.25 | ЗУМ-ЭК | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.36 | Элитан | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.41 | T-electron | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.43 1.55 1.72 1.99 | Элрус | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.59 2.95 | Промэлектроника | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.60 1.70 2.00 | ДКО Электронщик | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.60 1.80 2.00 | Терраэлектроника | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.62 1.71 2.34 | Спецэлсервис | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.66 | Интерия | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.71 1.73 2.00 | ICdarom | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.74 | ЗУМ-ЭК | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.84 | Контест | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 1.84 | Контест | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 2.15 2.28 2.53 2.95 3.65 | Элрус | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 3.33 | ЗУМ-ЭК | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 3.78 | Контест | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 3.78 | Контест | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | 14.00 | Ким | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | запрос | ТаймЧипс | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | запрос | Электродеталь-Поставка | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | запрос | Кремний | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | запрос | Кремний | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | запрос | Кремний | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | запрос | Элрус | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | запрос | ЭФО | |
| BSS138LT1G ON Semiconductor | запрос | ЭФО | |
| 9. |  MMBF170LT1GMOSFET, N, 60V, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:0.5A; Resistance, Rds On:5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Power, | ||
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 1.07 | Стандарт СИЗ | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 1.53 | ЗУМ-ЭК | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 1.53 | ЗУМ-ЭК | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 1.56 | ЗУМ-ЭК | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 1.61 | Стандарт СИЗ | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 1.63 | Элитан | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 1.71 1.83 2.49 | Спецэлсервис | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 1.73 | T-electron | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 1.93 2.04 2.27 2.65 3.32 | Элрус | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 1.98 2.14 2.37 2.75 | Элрус | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 2.00 2.20 2.60 | ДКО Электронщик | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 2.08 3.86 | Промэлектроника | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 2.10 | Интерия | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 2.20 2.40 2.80 | Терраэлектроника | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 2.24 2.35 3.23 | Спецэлсервис | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 2.26 2.37 3.00 | ICdarom | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 2.55 | Контест | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 2.55 | Контест | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 3.28 | Контест | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 3.28 | Контест | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | 13.00 | Ким | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | запрос | Кремний | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | запрос | ЭлектроПласт | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | запрос | Кремний | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | запрос | Кремний | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | запрос | Элрус | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | запрос | ЭФО | |
| MMBF170LT1G ON Semiconductor | запрос | ЭФО | |
| 10. |  STP6NK90ZFPMOSFET N TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage Vds Typ 900V Current Id Cont 5.8A Resistance Rds On 2ohm Voltage Vgs Rds on Measurement 10V Voltage Vgs th Typ 3.75V Case Style TO-220FP Termination Type Through | ||
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 29.08 | ЗУМ-ЭК | |
| STP6NK90ZFP | 29.47 38.31 | Промэлектроника | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 33.58 | Стандарт СИЗ | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 33.86 | Стандарт СИЗ | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 36.08 | ЗУМ-ЭК | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 41.22 | ЗУМ-ЭК | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 48.43 | T-electron | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 51.18 | ЗУМ-ЭК | |
| STP6NK90ZFP | 53.91 73.51 | Промэлектроника | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 60.00 | Ким | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 60.20 | ЗУМ-ЭК | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 62.80 | Элитан | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 64.00 71.00 82.50 | ДКО Электронщик | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 64.32 | ЗУМ-ЭК | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 66.12 71.44 79.15 91.65 | Элрус | |
| STP6NK90ZFP ST-MICROELECTRONICS - | 67.95 | Интерия | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 71.20 73.76 89.00 | ICdarom | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 72.50 80.50 94.00 | Терраэлектроника | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 74.60 78.52 107.62 | Спецэлсервис | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 79.44 83.23 88.03 94.66 105.50 | Элрус | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 87.10 | Контест | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | 87.10 | Контест | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | запрос | LifeElectronics | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | запрос | Элрус | |
| STP6NK90ZFP STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| 11. |  STP60NF06MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3], Тип: N, Uси: 60 В, Iс(25°C): 60 А, Rси(вкл): 16 мОм, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 49 нКл | ||
| STP60NF06 STMicroelectronics | 12.72 | Стандарт СИЗ | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 13.66 | ЗУМ-ЭК | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 14.33 | Стандарт СИЗ | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 23.52 | ЗУМ-ЭК | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 23.79 | T-electron | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 24.08 | ЗУМ-ЭК | |
| STP60NF06 | 24.60 35.14 | Промэлектроника | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 26.65 | ЗУМ-ЭК | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 28.50 | Элитан | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 30.38 32.84 36.38 42.12 | Элрус | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 31.10 34.60 40.30 | ДКО Электронщик | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 32.91 34.22 35.95 38.25 41.99 | Элрус | |
| STP60NF06 ST-MICROELECTRONICS - | 33.13 | Интерия | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 33.40 37.10 43.30 | Терраэлектроника | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 34.28 36.09 49.45 | Спецэлсервис | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 34.55 36.19 43.00 | ICdarom | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 39.11 | Контест | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 39.11 | Контест | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | 42.00 | Ким | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | запрос | LifeElectronics | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP60NF06 ST MICROELECTRONICS SEMI - | запрос | Контест | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | запрос | Элрус | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| STP60NF06 STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| STP60NF06 ST MICROELECTRONICS SEMI - | запрос | Контест | |
| 12. | BSS123LT1G Тип корпуса: SOT23 Производитель: ON Semiconductor Corporation MOSFET транзистор. | ||
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 0.85 | Стандарт СИЗ | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.26 | ЗУМ-ЭК | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.29 | Стандарт СИЗ | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.30 | T-electron | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.32 | Элитан | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.38 2.57 | Промэлектроника | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.42 | ЗУМ-ЭК | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.60 1.80 2.10 | ДКО Электронщик | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.63 1.76 1.95 2.26 | Элрус | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.72 | Интерия | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.76 1.87 2.08 2.45 3.08 | Элрус | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.79 1.86 3.00 | ICdarom | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.80 2.00 2.30 | Терраэлектроника | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.84 | Контест | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.84 | Контест | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 1.84 1.93 2.65 | Спецэлсервис | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 2.09 | Контест | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 2.09 | Контест | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 2.26 | Элрус | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 3.77 | ЗУМ-ЭК | |
| BSS123LT1G ONSEMICONDUCTOR - | 4.65 | Контест | |
| BSS123LT1G ONSEMICONDUCTOR - | 4.65 | Контест | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | 11.00 | Ким | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | запрос | Электродеталь-Поставка | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | запрос | МосЧип | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | запрос | Кремний | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | запрос | Контест | |
| BSS123LT1G ON Semiconductor | запрос | Контест | |
| 13. |  STP9NK50ZMOSFET силовой транзистор - [TO-220-3], Тип: N, Uси: 500 В, Iс(25°C): 7.2 А, Rси(вкл): 0.85 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 32 нКл | ||
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 14.86 | Стандарт СИЗ | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 15.98 | ЗУМ-ЭК | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 18.67 | Стандарт СИЗ | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 23.38 | T-electron | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 24.46 | ЗУМ-ЭК | |
| STP9NK50Z | 29.29 41.84 | Промэлектроника | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 30.50 | Элитан | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 31.40 | ЗУМ-ЭК | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 31.59 34.14 37.81 43.80 | Элрус | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 33.34 | ЗУМ-ЭК | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 34.40 38.20 44.60 | ДКО Электронщик | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 34.70 38.60 45.00 | Терраэлектроника | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 35.65 37.52 51.42 | Спецэлсервис | |
| STP9NK50Z ST-MICROELECTRONICS - | 36.61 | Интерия | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 37.36 38.98 46.00 | ICdarom | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 38.36 41.29 43.95 | Спецэлсервис | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 38.78 40.28 42.23 44.83 49.06 | Элрус | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 47.74 | Контест | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 47.74 | Контест | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | 65.00 | Ким | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | запрос | Спецэлсервис | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | запрос | МосЧип | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | запрос | Элрус | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| STP9NK50Z STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| 14. |  STP11NK50ZFPMOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP], Тип: N, Uси: 500 В, Iс(25°C): 10 А, Rси(вкл): 0.52 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 49 нКл | ||
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 22.43 | Стандарт СИЗ | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 23.49 | Стандарт СИЗ | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 25.26 | ЗУМ-ЭК | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 29.63 | ЗУМ-ЭК | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 32.69 | ЗУМ-ЭК | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 33.45 | T-electron | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 35.00 | Элитан | |
| STP11NK50ZFP | 35.66 48.62 | Промэлектроника | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 38.28 41.37 45.83 53.07 | Элрус | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 39.20 43.60 51.00 | ДКО Электронщик | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 40.38 42.55 45.38 49.33 55.76 | Элрус | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 40.75 | ЗУМ-ЭК | |
| STP11NK50ZFP ST-MICROELECTRONICS - | 41.74 | Интерия | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 42.10 46.70 54.50 | Терраэлектроника | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 43.19 45.47 62.32 | Спецэлсервис | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 43.66 45.70 54.00 | ICdarom | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 49.28 | Контест | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 49.28 | Контест | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 64.59 68.03 102.04 | Спецэлсервис | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 75.00 | Ким | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | 110.73 запрос запрос запрос запрос | Элрус | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | запрос | Элрус | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| STP11NK50ZFP STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| 15. |  IRFZ44NPBFMOSFET, N, 55V, 41A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:41A; Resistance, Rds On:0.024ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Th | ||
| IRFZ44NPBF International Rectifier | 12.34 | Стандарт СИЗ | |
| IRFZ44NPBF Infineon | 16.20 | ЗУМ-ЭК | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | 17.04 | ЗУМ-ЭК | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | 17.17 | Стандарт СИЗ | |
| IRFZ44NPBF Infineon | 17.77 25.38 | Промэлектроника | |
| IRFZ44NPBF Infineon | 18.33 | ЗУМ-ЭК | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | 18.99 | Стандарт СИЗ | |
| IRFZ44NPBF Infineon | 20.00 20.87 22.06 23.67 26.29 | Элрус | |
| IRFZ44NPBF Infineon | 22.07 | Контест | |
| IRFZ44NPBF Infineon | 22.07 | Контест | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | 22.45 | ЗУМ-ЭК | |
| IRFZ44NPBF Infineon | 22.80 25.40 29.60 | ДКО Электронщик | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | 23.15 | ЗУМ-ЭК | |
| IRFZ44NPBF Infineon | 23.67 25.58 28.35 32.82 | Элрус | |
| IRFZ44NPBF Infineon | 24.34 | Интерия | |
| IRFZ44NPBF Infineon | 26.00 28.90 33.70 | Терраэлектроника | |
| IRFZ44NPBF Infineon | 26.71 28.11 38.53 | Спецэлсервис | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | 32.82 | Контест | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | 32.82 | Контест | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | 36.00 | Ким | |
| IRFZ44NPBF Infineon | запрос | Спецэлсервис | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | запрос | Кремний | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | запрос | Кремний | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | запрос | Интерия | |
| IRFZ44NPBF Infineon | запрос | Элрус | |
| IRFZ44NPBF International Rectifier | запрос | Океан Электроники | |
| IRFZ44NPBF Infineon | запрос | ЭФО | |
| 16. |  STP10NK60ZFPMOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP], Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 10 А, Rси(вкл): 0.65 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Uзатв(макс): 30 В | ||
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 20.00 | ЗУМ-ЭК | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 23.01 | Стандарт СИЗ | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 23.30 | Элитан | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 23.55 | Стандарт СИЗ | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 25.77 | ЗУМ-ЭК | |
| STP10NK60ZFP | 32.37 46.24 | Промэлектроника | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 37.97 | ЗУМ-ЭК | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 40.00 | ЗУМ-ЭК | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 43.94 | T-electron | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 45.35 | ЗУМ-ЭК | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 49.72 53.51 56.97 | Спецэлсервис | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 51.68 55.84 61.87 71.64 | Элрус | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 53.00 59.00 68.50 | ДКО Электронщик | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 54.53 | Контест | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 54.53 | Контест | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 56.00 58.04 60.62 64.08 69.67 | Элрус | |
| STP10NK60ZFP ST-MICROELECTRONICS - | 56.35 | Интерия | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 57.00 63.00 73.50 | Терраэлектроника | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 58.31 61.38 84.12 | Спецэлсервис | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 59.20 60.89 72.00 | ICdarom | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | 61.00 | Ким | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | TradeElectronics | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | Элрус | |
| STP10NK60ZFP STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| 17. |  BSS84MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-50V; Current, Id Cont:0.13A; Resistance, Rds On:10ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-5V; Voltage, Vgs th Typ:-1.7V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Curren | ||
| BSS84 Fairchild | 0.85 | Стандарт СИЗ | |
| BSS84 Fairchild | 1.62 | Интерия | |
| BSS84 ON Semiconductor | 1.62 3.67 | Промэлектроника | |
| BSS84 ONS-FAIR - | 2.35 2.54 2.82 3.26 | Элрус | |
| BSS84 NXP | 2.44 | Электродеталь-Поставка | |
| BSS84 ON Semiconductor | 2.51 2.73 3.07 3.78 4.86 | Элрус | |
| BSS84 ONS-FAIR - | 2.56 | Интерия | |
| BSS84 Fairchild | 2.78 | ЗУМ-ЭК | |
| BSS84 Fairchild | 2.96 | Контест | |
| BSS84 Fairchild | 2.96 | Контест | |
| BSS84 ONS-FAIR - | 3.02 | Контест | |
| BSS84 ONS-FAIR - | 3.02 | Контест | |
| BSS84 ONS-FAIR - | 3.26 | Элрус | |
| BSS84 Fairchild | 8.00 | Ким | |
| BSS84 NXP | запрос | ДКО Электронщик | |
| BSS84 Fairchild | запрос | Кремний | |
| BSS84 NXP | запрос | Кремний | |
| BSS84 Fairchild | запрос | Кремний | |
| BSS84 Philips | запрос | Контест | |
| BSS84 NXP | запрос | Контест | |
| BSS84 Fairchild | запрос | Контест | |
| BSS84 Fairchild | запрос | T-electron | |
| BSS84 NXP | запрос | T-electron | |
| BSS84 Fairchild | запрос | ЭФО | |
| BSS84 Fairchild | запрос | Контест | |
| BSS84 NXP | запрос | Контест | |
| BSS84 Philips | запрос | Контест | |
| 18. |  IRFZ34NPBFMOSFET, N, 55V, 26A, TO-220, Transistor Type:MOSFET, Transistor Polarity:N, Voltage, Vds Typ:55V, Current, Id Cont:26A, Resistance, Rds On:0.04ohm, Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V, Voltage, Vgs th Typ:4V, Case Style:TO-220AB, Termination Type:Through ... | ||
| IRFZ34NPBF Infineon | 12.77 | Стандарт СИЗ | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | 14.00 | Стандарт СИЗ | |
| IRFZ34NPBF Infineon | 16.40 | ЗУМ-ЭК | |
| IRFZ34NPBF Infineon | 16.42 | T-electron | |
| IRFZ34NPBF Infineon | 16.59 | ЗУМ-ЭК | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | 17.59 | Стандарт СИЗ | |
| IRFZ34NPBF Infineon | 20.49 21.75 23.43 25.87 29.81 | Элрус | |
| IRFZ34NPBF Infineon | 21.15 32.69 | Промэлектроника | |
| IRFZ34NPBF Infineon | 21.19 22.90 25.37 29.38 | Элрус | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | 22.23 | ЗУМ-ЭК | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | 23.09 | ЗУМ-ЭК | |
| IRFZ34NPBF Infineon | 23.10 25.60 29.90 | ДКО Электронщик | |
| IRFZ34NPBF Infineon | 23.30 25.90 30.20 | Терраэлектроника | |
| IRFZ34NPBF Infineon | 23.91 25.17 34.50 | Спецэлсервис | |
| IRFZ34NPBF Infineon | 24.56 | Интерия | |
| IRFZ34NPBF Infineon | 29.40 | Элитан | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | 31.46 | Контест | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | 31.46 | Контест | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | 50.00 | Ким | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | запрос | ТаймЧипс | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | запрос | Кремний | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | запрос | Кремний | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | запрос | Контест | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | запрос | Интерия | |
| IRFZ34NPBF Infineon | запрос | Элрус | |
| IRFZ34NPBF International Rectifier | запрос | Контест | |
| IRFZ34NPBF Infineon | запрос | ЭФО | |
| 19. |  STP4N150MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3], Тип: N, Uси: 1.5 кВ, Iс(25°C): 3.1 А, Rси(вкл): 7 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 35 нКл | ||
| STP4N150 STMicroelectronics | 105.59 | Стандарт СИЗ | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 108.25 | ЗУМ-ЭК | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 130.10 | Стандарт СИЗ | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 144.19 | T-electron | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 146.04 | ЗУМ-ЭК | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 148.33 | ЗУМ-ЭК | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 158.00 | Элитан | |
| STP4N150 | 160.76 204.61 | Промэлектроника | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 180.00 199.00 233.00 | ДКО Электронщик | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 180.37 187.93 197.37 210.23 231.19 | Элрус | |
| STP4N150 ST-MICROELECTRONICS - | 191.20 | Интерия | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 191.61 207.05 229.41 265.60 | Элрус | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 206.62 213.79 254.00 | ICdarom | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 211.00 234.00 273.00 | Терраэлектроника | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 216.20 227.58 311.91 | Спецэлсервис | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 236.17 | ЗУМ-ЭК | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 246.58 | Контест | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 246.58 | Контест | |
| STP4N150 STMicroelectronics | 331.00 | Ким | |
| STP4N150 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP4N150 STMicroelectronics | запрос | ЭлектроПласт - Екатеринбург | |
| STP4N150 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP4N150 STMicroelectronics | запрос | Кремний | |
| STP4N150 STMicroelectronics | запрос | Элрус | |
| STP4N150 STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| STP4N150 STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| STP4N150 STMicroelectronics | запрос | ЭФО | |
| 20. |  BSS123MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:0.15A; Resistance, Rds On:3.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, | ||
| BSS123 Fairchild | 0.91 | Стандарт СИЗ | |
| BSS123 ON Semiconductor | 1.55 3.52 | Промэлектроника | |
| BSS123 Fairchild | 1.63 | Интерия | |
| BSS123 Fairchild | 3.70 | ЗУМ-ЭК | |
| BSS123 Fairchild | 5.22 | Контест | |
| BSS123 Fairchild | 5.22 | Контест | |
| BSS123 Fairchild | 7.00 | Ким | |
| BSS123 ON Semiconductor | 11.13 | Контест | |
| BSS123 ON Semiconductor | 11.13 | Контест | |
| BSS123 ON Semiconductor | 33.42 35.29 37.73 41.16 46.76 | Элрус | |
| BSS123 Fairchild | запрос | Кремний | |
| BSS123 NXP | запрос | Контест | |
| BSS123 Infineon | запрос | Контест | |
| BSS123 Fairchild | запрос | Контест | |
| BSS123 Fairchild | запрос | Электродеталь-Поставка | |
| BSS123 Philips | запрос | Контест | |
| BSS123 NXP | запрос | Кремний | |
| BSS123 Fairchild | запрос | Кремний | |
| BSS123 Philips | запрос | Контест | |
| BSS123 NXP | запрос | Контест | |
| BSS123 Infineon | запрос | Контест | |
| BSS123 | запрос | Промэлектроника | |
| BSS123 ON Semiconductor | запрос | Элрус | |
| BSS123 Fairchild | запрос | T-electron | |
| BSS123 NXP | запрос | T-electron | |
| BSS123 Fairchild | запрос | Контест | |
| BSS123 Fairchild | запрос | Океан Электроники |
| Страницы: | ← предыдущая следующая → |
Курсы валют ЦБ РФ на 22.05.2018:
|
|
Срезы ↓
|
|