Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Транзисторы, транзисторные сборки и модули » Биполярные транзисторы
Найдено: 3,597   Вывод: 1 - 20 (341 предложений)
NНаименованиеЦена, руб.Поставщик
1.STMicroelectronics TIP31CTIP31C
TRANSISTOR, NPN, TO-220, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:100V, Current, Ic Continuous a Max:3A, Voltage, Vce Sat Max:1.2V, Power Dissipation:40W, Hfe, Min:25, ft, Typ:3MHz, Case Style:TO-220, Termination Type:Through Hole, ...
  
 TIP31C
STMicroelectronics
13.13Электродеталь-Поставка
 TIP31C
STMicroelectronics
13.40Элитан
 TIP31C
STMicroelectronics
13.66
14.77
16.37
18.82
Элрус
 TIP31C
STMicroelectronics
15.20
16.90
19.70
ДКО Электронщик
 TIP31C
STMicroelectronics
15.20
16.90
19.70
ДКО Электронщик
 TIP31C
STMicroelectronics
15.20
16.90
19.70
ДКО Электронщик
 TIP31C
STMicroelectronics
15.80
17.60
20.50
Терраэлектроника
 TIP31C
ST-MICROELECTRONICS -
16.65Интерия
 TIP31C
STMicroelectronics
18.05Электродеталь-Поставка
 TIP31C
STMicroelectronics
18.15Контест
 TIP31C
ONS-FAIR -
19.70
21.90
25.50
Терраэлектроника
 TIP31C
STMicroelectronics
7,950.48TMElectronics
 TIP31C
STMicroelectronics
запросЭФО
 TIP31C
STMicroelectronics
запросЭФО
 TIP31C
STMicroelectronics
запросЭФО
 TIP31C
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 TIP31C
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 TIP31C
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 TIP31C
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 TIP31C
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
2.STMicroelectronics TIP32CTIP32C
TRANSISTOR PNP TO-220 Transistor Type:Power General Purpose Transistor Polarity:PNP Voltage Vceo:100V Hfe Min:25 Case Style:TO-220 (SOT-78B Current Ic Max:3A Current Ic hFE:1A Pins No of:3 Power Ptot:40W Temperature Full
  
 TIP32C
STMicroelectronics
12.96
13.96
15.95
18.94
21.94
TMElectronics
 TIP32C
STMicroelectronics
13.91Электродеталь-Поставка
 TIP32C
STMicroelectronics
14.31Электродеталь-Поставка
 TIP32C
STMicroelectronics
14.92
16.14
17.90
20.57
Элрус
 TIP32C
STMicroelectronics
15.20
16.90
19.70
ДКО Электронщик
 TIP32C
STMicroelectronics
15.20
16.90
19.70
ДКО Электронщик
 TIP32C
STMicroelectronics
15.20
16.90
19.70
ДКО Электронщик
 TIP32C
ONS-FAIR -
15.70
17.50
20.40
Терраэлектроника
 TIP32C
STMicroelectronics
16.30
18.10
21.10
Терраэлектроника
 TIP32C
ST-MICROELECTRONICS -
18.20Интерия
 TIP32C
STMicroelectronics
20.60Контест
 TIP32C
STMicroelectronics
26.00Ким
 TIP32C
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 TIP32C
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 TIP32C
STMicroelectronics
запросЭФО
 TIP32C
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 TIP32C
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 TIP32C
STMicroelectronics
запросЭФО
 TIP32C
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 TIP32C
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
3.STMicroelectronics TIP122TIP122
Ограниченная нагрузочная способность порта микроконтроллера усложняет управление силовой нагрузкой т.к выходного тока в единицы м не всегда достаточно что бы открыть мощный биполярный ключ или обеспечить быстрый заряд емкости затвора у
  
 TIP122
STMicroelectronics
10.62Электродеталь-Поставка
 TIP122
STMicroelectronics
10.90Элитан
 TIP122
STMicroelectronics
11.86Электродеталь-Поставка
 TIP122
STMicroelectronics
12.73
13.77
15.27
17.54
Элрус
 TIP122
STMicroelectronics
14.96
16.95
18.94
21.94
24.93
TMElectronics
 TIP122
ST-MICROELECTRONICS -
15.52Интерия
 TIP122
STMicroelectronics
15.70
17.50
20.40
Терраэлектроника
 TIP122
STMicroelectronics
18.08Контест
 TIP122
STMicroelectronics
18.60Электродеталь-Поставка
 TIP122
STMicroelectronics
21.00Ким
 TIP122
Fairchild
26.03Контест
 TIP122
STMicroelectronics
27.40
30.40
35.50
ДКО Электронщик
 TIP122
STMicroelectronics
27.40
30.40
35.50
ДКО Электронщик
 TIP122
STMicroelectronics
27.40
30.40
35.50
ДКО Электронщик
 TIP122
STMicroelectronics
27.40
30.40
35.50
ДКО Электронщик
 TIP122
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 TIP122
Fairchild
запросИнтерия
 TIP122
STMicroelectronics
запросЭФО
 TIP122
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
4.STMicroelectronics BD135BD135
Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250
  
 BD135
STMicroelectronics
4.73Электродеталь-Поставка
 BD135
STMicroelectronics
5.04Элитан
 BD135
STMicroelectronics
5.08
5.49
6.08
7.00
Элрус
 BD135
STMicroelectronics
6.30
7.00
8.10
Терраэлектроника
 BD135
STMicroelectronics
6.66Электродеталь-Поставка
 BD135
STMicroelectronics
6.83
7.35
7.82
Спецэлсервис
 BD135
STMicroelectronics
8.64
8.65
8.73
9.08
12.76
TMElectronics
 BD135
STMicroelectronics
9.00Ким
 BD135
STMicroelectronics
11.00
12.20
14.20
ДКО Электронщик
 BD135
STMicroelectronics
11.00
12.20
14.20
ДКО Электронщик
 BD135
STMicroelectronics
11.00
12.20
14.20
ДКО Электронщик
 BD135
STMicroelectronics
13.06Контест
 BD135
STMicroelectronics
запросЭФО
 BD135
Multicomp
запросДКО Электронщик
 BD135
STMicroelectronics
запросЭФО
 BD135
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 BD135
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 BD135
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
5.STMicroelectronics TIP127TIP127
Биполярный транзистор - [TO-220-3], Тип: PNP, UКЭ(макс): 100 В, UКЭ(пад): 4 В, IК(макс): 5 А, Pрасс: 65 Вт, h21: от 1000
  
 TIP127
STMicroelectronics
11.10
12.40
14.40
Терраэлектроника
 TIP127
STMicroelectronics
12.60Электродеталь-Поставка
 TIP127
STMicroelectronics
12.80
14.30
16.60
ДКО Электронщик
 TIP127
STMicroelectronics
12.80
14.30
16.60
ДКО Электронщик
 TIP127
STMicroelectronics
12.80
14.30
16.60
ДКО Электронщик
 TIP127
STMicroelectronics
12.80
14.30
16.60
ДКО Электронщик
 TIP127
STMicroelectronics
13.62Электродеталь-Поставка
 TIP127
STMicroelectronics
13.82Электродеталь-Поставка
 TIP127
STMicroelectronics
14.62
15.80
17.52
20.14
Элрус
 TIP127
STMicroelectronics
15.80
17.50
20.40
Терраэлектроника
 TIP127
STMicroelectronics
17.17Контест
 TIP127
ST-MICROELECTRONICS -
17.82Интерия
 TIP127
STMicroelectronics
22.93
24.93
27.92
31.91
TMElectronics
 TIP127
STMicroelectronics
29.00Ким
 TIP127
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 TIP127
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 TIP127
STMicroelectronics
запросЭФО
 TIP127
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
6.STMicroelectronics BD138BD138
Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 60 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250
  
 BD138
STMicroelectronics
6.67Элитан
 BD138
STMicroelectronics
6.71
7.07
10.61
Спецэлсервис
 BD138
STMicroelectronics
7.02Электродеталь-Поставка
 BD138
STMicroelectronics
7.09Электродеталь-Поставка
 BD138
STMicroelectronics
7.29
7.85
8.35
Спецэлсервис
 BD138
STMicroelectronics
7.50
8.40
9.80
ДКО Электронщик
 BD138
STMicroelectronics
7.50
8.40
9.80
ДКО Электронщик
 BD138
STMicroelectronics
7.50
8.40
9.80
ДКО Электронщик
 BD138
STMicroelectronics
7.50
8.12
8.99
10.33
Элрус
 BD138
STMicroelectronics
7.98
8.97
9.97
12.96
19.94
TMElectronics
 BD138
STMicroelectronics
8.20
9.10
10.60
Терраэлектроника
 BD138
STMicroelectronics
13.77Контест
 BD138
STMicroelectronics
19.00Ким
 BD138
STMicroelectronics
запросЭФО
 BD138
ON Semiconductor
запросИнтерия
 BD138
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 BD138
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 BD138
ON Semiconductor
запросКонтест
7.ON Semiconductor D45VH10GD45VH10G
TRANSISTOR, PNP, TO-220; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:Dual P; Voltage, Vceo:80V; Current, Ic Continuous a Max:15A; Voltage, Vce Sat Max:1V; Power Dissipation:83W; Hfe, Min:20; ft, Typ:50MHz; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Throu
  
 D45VH10G
ON Semiconductor
27.34Электродеталь-Поставка
 D45VH10G
ON Semiconductor
27.60
29.44
40.15
Спецэлсервис
 D45VH10G
ON Semiconductor
27.70Элитан
 D45VH10G
ON Semiconductor
28.88
31.08
33.09
Спецэлсервис
 D45VH10G
ON Semiconductor
29.33
31.72
35.17
40.42
Элрус
 D45VH10G
ON Semiconductor
33.00
36.70
42.80
Терраэлектроника
 D45VH10G
ON Semiconductor
34.36Электродеталь-Поставка
 D45VH10G
ON Semiconductor
34.40
38.20
44.60
ДКО Электронщик
 D45VH10G
ON Semiconductor
34.40
38.20
44.60
ДКО Электронщик
 D45VH10G
ON Semiconductor
34.40
38.20
44.60
ДКО Электронщик
 D45VH10G
ON Semiconductor
35.76Интерия
 D45VH10G
ON Semiconductor
38.88
43.87
50.85
60.82
68.80
TMElectronics
 D45VH10G
ON Semiconductor
57.84Контест
 D45VH10G
ON Semiconductor
72.00Ким
 D45VH10G
ON Semiconductor
запросЭФО
 D45VH10G
ON Semiconductor
запросСпецэлсервис
 D45VH10G
ON Semiconductor
запросЭФО
8.ON Semiconductor BC817-16LT1GBC817-16LT1G
TRANSISTOR, NPN, SOT-23, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:45V, Current, Ic Continuous a Max:500mA, Voltage, Vce Sat Max:0.7V, Power Dissipation:300mW, Hfe, Min:100, ft, Typ:100MHz, Case Style:SOT-23, Termination Type:SMD
  
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
0.81
0.90
1.10
ДКО Электронщик
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
0.81
0.90
1.10
ДКО Электронщик
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
0.89
0.96
1.02
Спецэлсервис
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
0.90Электродеталь-Поставка
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
0.91Элитан
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
0.93
1.01
1.12
1.29
Элрус
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
0.99Электродеталь-Поставка
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
1.00
1.00
1.00
1.99
2.99
TMElectronics
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
1.02Электродеталь-Поставка
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
1.10
1.20
1.40
Терраэлектроника
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
1.15Интерия
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
1.20Контест
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
8.00Ким
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
запросСпецэлсервис
 BC817-16LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
9.ON Semiconductor MJD32CGMJD32CG
TRANSISTOR, PNP, D-PAK, Transistor Type:Bipolar, Transistor Polarity:PNP, Voltage, Vceo:100V, Current, Ic Continuous a Max:3A, Voltage, Vce Sat Max:-1.2V, Power Dissipation:1.56W, Hfe, Min:10, ft, Typ:3MHz, Case Style:D-PAK, Termination Type:SMD, Case ...
  
 MJD32CG
ON Semiconductor
12.57Электродеталь-Поставка
 MJD32CG
ON Semiconductor
12.79Электродеталь-Поставка
 MJD32CG
ON Semiconductor
12.98
13.85
18.89
Спецэлсервис
 MJD32CG
ON Semiconductor
13.10
14.50
16.90
ДКО Электронщик
 MJD32CG
ON Semiconductor
13.10
14.50
16.90
ДКО Электронщик
 MJD32CG
ON Semiconductor
13.10
14.50
16.90
ДКО Электронщик
 MJD32CG
ON Semiconductor
13.26
14.34
15.90
18.27
Элрус
 MJD32CG
ON Semiconductor
13.30Элитан
 MJD32CG
ON Semiconductor
13.68
14.72
15.67
Спецэлсервис
 MJD32CG
ON Semiconductor
15.00
16.70
19.50
Терраэлектроника
 MJD32CG
ON Semiconductor
16.17Интерия
 MJD32CG
ON Semiconductor
17.05
17.05
17.56
18.24
25.59
TMElectronics
 MJD32CG
ON Semiconductor
17.10Контест
 MJD32CG
ON Semiconductor
34.00Ким
 MJD32CG
ON Semiconductor
44.37Электродеталь-Поставка
 MJD32CG
ON Semiconductor
запросЭФО
 MJD32CG
ON Semiconductor
запросСпецэлсервис
10.STMicroelectronics TIP41CTIP41C
TRANSISTOR, NPN TO-220, Transistor Type:Power General Purpose, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:100V, Hfe, Min:30, Case Style:TO-220 (SOT-78B), Current, Ic Max:6A, Current, Ic hFE:0.3A, Pins, No.&hellip,
  
 TIP41C
STMicroelectronics
8.19Элитан
 TIP41C
STMicroelectronics
11.10
12.30
14.40
ДКО Электронщик
 TIP41C
STMicroelectronics
11.10
12.30
14.40
ДКО Электронщик
 TIP41C
STMicroelectronics
11.10
12.30
14.40
ДКО Электронщик
 TIP41C
STMicroelectronics
14.90Электродеталь-Поставка
 TIP41C
STMicroelectronics
15.06
16.21
17.26
Спецэлсервис
 TIP41C
STMicroelectronics
15.74Электродеталь-Поставка
 TIP41C
STMicroelectronics
15.95
16.95
19.94
24.93
28.91
TMElectronics
 TIP41C
STMicroelectronics
16.81
18.18
20.15
23.16
Элрус
 TIP41C
STMicroelectronics
17.00
18.90
22.00
Терраэлектроника
 TIP41C
ONS-FAIR -
19.10
21.20
24.80
Терраэлектроника
 TIP41C
STMicroelectronics
19.52Контест
 TIP41C
ST-MICROELECTRONICS -
20.49Интерия
 TIP41C
STMicroelectronics
запросЭФО
 TIP41C
STMicroelectronics
запросЭФО
 TIP41C
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 TIP41C
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
11.STMicroelectronics BD237BD237
Биполярный транзистор - [SOT32]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 600 мВ; IК(макс): 2 А; Pрасс: 25 Вт; Fгран: 3 МГц
  
 BD237
STMicroelectronics
4.87Элитан
 BD237
STMicroelectronics
9.20
10.20
11.90
ДКО Электронщик
 BD237
STMicroelectronics
9.20
10.20
11.90
ДКО Электронщик
 BD237
STMicroelectronics
9.20
10.20
11.90
ДКО Электронщик
 BD237
STMicroelectronics
9.68Электродеталь-Поставка
 BD237
STMicroelectronics
10.15Электродеталь-Поставка
 BD237
STMicroelectronics
10.39
11.23
12.45
14.31
Элрус
 BD237
STMicroelectronics
10.48
11.28
12.01
Спецэлсервис
 BD237
STMicroelectronics
11.80
13.10
15.20
Терраэлектроника
 BD237
STMicroelectronics
12.58
12.58
12.70
13.21
17.75
20.27
TMElectronics
 BD237
STMicroelectronics
13.39Контест
 BD237
STMicroelectronics
27.00Ким
 BD237
Multicomp
запросДКО Электронщик
 BD237
STMicroelectronics
запросЭФО
 BD237
STMicroelectronics
запросЭФО
 BD237
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
12.STMicroelectronics BD912BD912
TRANSISTOR PNP TO-220 Transistor Type Bipolar Transistor Polarity PNP Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 100V Current Ic Continuous a Max 15A Voltage Vce Sat Max 1V Power Dissipation 90W Min Hfe 40 ft Typ 3MHz Case Style TO-220 Term
  
 BD912
STMicroelectronics
12.20Терраэлектроника
 BD912
STMicroelectronics
12.26Электродеталь-Поставка
 BD912
ST-MICROELECTRONICS -
12.69Интерия
 BD912
STMicroelectronics
12.90Элитан
 BD912
STMicroelectronics
13.15
13.51
13.87
14.35
Элрус
 BD912
STMicroelectronics
16.10
16.10
16.10
ДКО Электронщик
 BD912
STMicroelectronics
16.10
16.10
16.10
ДКО Электронщик
 BD912
STMicroelectronics
16.10
16.10
16.10
ДКО Электронщик
 BD912
STMicroelectronics
16.11Контест
 BD912
STMicroelectronics
21.46Электродеталь-Поставка
 BD912
STMicroelectronics
21.48Электродеталь-Поставка
 BD912
STMicroelectronics
24.00Ким
 BD912
STMicroelectronics
2,469.69TMElectronics
 BD912
STMicroelectronics
запросЭФО
 BD912
STMicroelectronics
запросЭФО
 BD912
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
13.ON Semiconductor MJD45H11GMJD45H11G
Trans GP BJT PNP 80V 16A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube, RoHS: no, exemption
  
 MJD45H11G
ON Semiconductor
14.70
16.40
19.10
ДКО Электронщик
 MJD45H11G
ON Semiconductor
14.70
16.40
19.10
ДКО Электронщик
 MJD45H11G
ON Semiconductor
14.70Элитан
 MJD45H11G
ON Semiconductor
14.70
16.40
19.10
ДКО Электронщик
 MJD45H11G
ON Semiconductor
14.92Электродеталь-Поставка
 MJD45H11G
ON Semiconductor
15.01
16.01
21.83
Спецэлсервис
 MJD45H11G
ON Semiconductor
15.06Электродеталь-Поставка
 MJD45H11G
ON Semiconductor
16.09
17.40
19.29
22.17
Элрус
 MJD45H11G
ON Semiconductor
16.95
18.94
21.94
25.92
28.91
TMElectronics
 MJD45H11G
ON Semiconductor
18.20
20.20
23.60
Терраэлектроника
 MJD45H11G
ON Semiconductor
19.62Интерия
 MJD45H11G
ON Semiconductor
20.87Контест
 MJD45H11G
ON Semiconductor
41.00Ким
 MJD45H11G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MJD45H11G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MJD45H11G
ON Semiconductor
запросСпецэлсервис
14.STMicroelectronics BD136BD136
Биполярный транзистор - [TO-126], Тип: PNP, UКЭ(макс): 45 В, IК(макс): 1.5 А, Pрасс: 12.5 Вт, h21: от 250
  
 BD136
STMicroelectronics
3.43Элитан
 BD136
STMicroelectronics
5.45Электродеталь-Поставка
 BD136
STMicroelectronics
5.84
6.32
7.01
8.05
Элрус
 BD136
STMicroelectronics
5.90
6.60
7.70
Терраэлектроника
 BD136
STMicroelectronics
5.96
6.41
6.83
Спецэлсервис
 BD136
STMicroelectronics
6.79Контест
 BD136
STMicroelectronics
7.90Электродеталь-Поставка
 BD136
STMicroelectronics
7.98
8.97
9.97
11.96
20.94
TMElectronics
 BD136
STMicroelectronics
8.30
9.30
10.80
ДКО Электронщик
 BD136
STMicroelectronics
8.30
9.30
10.80
ДКО Электронщик
 BD136
STMicroelectronics
8.30
9.30
10.80
ДКО Электронщик
 BD136
Multicomp
запросДКО Электронщик
 BD136
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 BD136
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 BD136
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 BD136
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
15.ONS-FAIR - TIP102TIP102
TRANSISTOR, DARLINGTON TO-220; Transistor Type:Power Darlington; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Hfe, Min:1000; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Current, Ic Max:8A; Current, Ic av:8A; Current, Ic hFE:3A; Pins
  
 TIP102
ONS-FAIR -
8.80
9.80
11.40
Терраэлектроника
 TIP102
STMicroelectronics
23.70Электродеталь-Поставка
 TIP102
STMicroelectronics
25.20Элитан
 TIP102
STMicroelectronics
25.43
27.50
30.48
35.05
Элрус
 TIP102
STMicroelectronics
27.37Электродеталь-Поставка
 TIP102
STMicroelectronics
27.70
30.80
35.90
Терраэлектроника
 TIP102
ST-MICROELECTRONICS -
31.01Интерия
 TIP102
STMicroelectronics
31.79Контест
 TIP102
STMicroelectronics
32.90
37.89
41.88
50.85
60.82
TMElectronics
 TIP102
Fairchild
62.00Ким
 TIP102
STMicroelectronics
запросЭФО
 TIP102
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 TIP102
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 TIP102
ON Semiconductor
запросДКО Электронщик
 TIP102
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 TIP102
STMicroelectronics
запросЭФО
16.ON Semiconductor MMBT2907ALT1GMMBT2907ALT1G
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:Dual P; Voltage, Vceo:60V; Current, Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:0.4V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:50; ft, Typ:200MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:
  
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.72Электродеталь-Поставка
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.77
0.86
1.00
ДКО Электронщик
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.77
0.86
1.00
ДКО Электронщик
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.90Элитан
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.94Электродеталь-Поставка
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
0.98Электродеталь-Поставка
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
1.00
1.00
1.00
1.00
2.99
TMElectronics
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
1.07
1.17
1.29
1.47
Элрус
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
1.20
1.30
1.50
Терраэлектроника
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
1.30Интерия
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
7.00Ким
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросСпецэлсервис
 MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
запросКонтест
17.ON Semiconductor MJ11015GMJ11015G
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3, Transistor Type:Bipolar Darlington, Transistor Polarity:PNP, Voltage, Vceo:120V, Current, Ic Continuous a Max:30A, Voltage, Vce Sat Max:-3V, Power Dissipation:200W, Hfe, Min:1000, Case Style:TO-3, Termination Type:Through ...
  
 MJ11015G
ON Semiconductor
176.69Электродеталь-Поставка
 MJ11015G
ON Semiconductor
182.73Электродеталь-Поставка
 MJ11015G
ON Semiconductor
183.00Элитан
 MJ11015G
ON Semiconductor
192.07
204.87
279.37
Спецэлсервис
 MJ11015G
ON Semiconductor
199.00
221.00
258.00
ДКО Электронщик
 MJ11015G
ON Semiconductor
199.00
221.00
258.00
ДКО Электронщик
 MJ11015G
ON Semiconductor
199.00
221.00
258.00
ДКО Электронщик
 MJ11015G
ON Semiconductor
199.00
221.00
258.00
ДКО Электронщик
 MJ11015G
ON Semiconductor
208.55
225.51
250.02
287.38
Элрус
 MJ11015G
ON Semiconductor
242.00
269.00
314.00
Терраэлектроника
 MJ11015G
ON Semiconductor
254.25Интерия
 MJ11015G
ON Semiconductor
275.19
286.15
TMElectronics
 MJ11015G
ON Semiconductor
286.23Контест
 MJ11015G
ON Semiconductor
402.00Ким
 MJ11015G
ON Semiconductor
запросСпецэлсервис
 MJ11015G
ON Semiconductor
запросЭФО
18.ON Semiconductor MJ11016GMJ11016G
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3, Transistor Type:Bipolar Darlington, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:120V, Current, Ic Continuous a Max:30A, Voltage, Vce Sat Max:3V, Power Dissipation:200W, Hfe, Min:1000, Case Style:TO-3, Termination Type:Through ...
  
 MJ11016G
ON Semiconductor
144.00Терраэлектроника
 MJ11016G
ON Semiconductor
144.89Электродеталь-Поставка
 MJ11016G
ON Semiconductor
150.04Интерия
 MJ11016G
ON Semiconductor
154.00Элитан
 MJ11016G
ON Semiconductor
155.46
159.70
163.94
169.60
Элрус
 MJ11016G
ON Semiconductor
180.00Ким
 MJ11016G
ON Semiconductor
190.44Контест
 MJ11016G
ON Semiconductor
199.66Электродеталь-Поставка
 MJ11016G
ON Semiconductor
208.00
231.00
270.00
ДКО Электронщик
 MJ11016G
ON Semiconductor
208.00
231.00
270.00
ДКО Электронщик
 MJ11016G
ON Semiconductor
208.00
231.00
270.00
ДКО Электронщик
 MJ11016G
ON Semiconductor
208.00
231.00
270.00
ДКО Электронщик
 MJ11016G
ON Semiconductor
216.46
233.00
248.03
Спецэлсервис
 MJ11016G
ON Semiconductor
256.24
292.14
370.90
409.79
TMElectronics
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MJ11016G
ON Semiconductor
запросСпецэлсервис
19.ON Semiconductor MMBT5401LT1GMMBT5401LT1G
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:150V; Current, Ic Continuous a Max:50mA; Voltage, Vce Sat Max:0.2V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:60; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD
  
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
0.98Электродеталь-Поставка
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.00
1.00
1.99
1.99
1.99
TMElectronics
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.01
1.10
1.22
1.41
Элрус
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.02Элитан
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.10
1.20
1.40
Терраэлектроника
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.12Электродеталь-Поставка
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.20
1.30
1.50
ДКО Электронщик
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.20
1.30
1.50
ДКО Электронщик
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
1.25Интерия
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
2.90Контест
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
9.00Ким
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросЭлектродеталь-Поставка
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросЭФО
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросСпецэлсервис
 MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
запросСпецэлсервис
20.STMicroelectronics TIP142TTIP142T
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-220, Transistor Type:Bipolar Darlington, Transistor Polarity:NPN, Voltage, Vceo:100V, Current, Ic Continuous a Max:15A, Voltage, Vce Sat Max:2V, Power Dissipation:90W, Hfe, Min:1000, Case Style:TO-220, Termination Type:Through ...
  
 TIP142T
STMicroelectronics
39.00Ким
 TIP142T
STMicroelectronics
47.20
52.50
61.00
ДКО Электронщик
 TIP142T
STMicroelectronics
47.20
52.50
61.00
ДКО Электронщик
 TIP142T
STMicroelectronics
47.20
52.50
61.00
ДКО Электронщик
 TIP142T
STMicroelectronics
48.70Электродеталь-Поставка
 TIP142T
STMicroelectronics
49.05Электродеталь-Поставка
 TIP142T
STMicroelectronics
49.20Элитан
 TIP142T
STMicroelectronics
51.98
56.20
62.31
71.63
Элрус
 TIP142T
STMicroelectronics
52.99
57.04
60.72
Спецэлсервис
 TIP142T
STMicroelectronics
59.50
66.00
77.00
Терраэлектроника
 TIP142T
STMicroelectronics
62.81
64.81
120.64
TMElectronics
 TIP142T
ST-MICROELECTRONICS -
63.37Интерия
 TIP142T
ONS-FAIR -
65.00
72.50
84.50
Терраэлектроника
 TIP142T
STMicroelectronics
65.02Контест
 TIP142T
STMicroelectronics
запросСпецэлсервис
 TIP142T
STMicroelectronics
запросЭФО
 Страницы:
← предыдущая   следующая →
Курсы валют ЦБ РФ на 22.09.2018:
USD66.2497
EUR78.0753
Срезы ↓
Источник питания Актаком APS-1303
Источник питания Актаком APS-1303
2 LED дисплея, 0…30 В, 0…3 А
Цена: от 9 700 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Тепловизор Testo 875-1i
Тепловизор Testo 875-1i
матрица 160x120 пкс, NETD < 50 мК
Цена: от 190 000 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Лазерный дальномер Leica Disto D1
Дальномер Leica Disto D1
Дальность измерения: 0.2 - 40 м
Цена: от 4 999 руб.
Доставка: Россия

Рейтинг@Mail.ru