N | Наименование | Цена, руб. | Поставщик |
1. | NGTG15N60S1EG Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, RoHS: no, exemption | | |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 37.10 | ЗУМ-ЭК |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 38.12 | ЗУМ-ЭК |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 41.91 | T-electron |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 43.42 56.45 | Промэлектроника |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 48.39 51.61 70.38 | Спецэлсервис |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 50.30 | Элитан |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 50.73 54.82 60.74 69.75 | Элрус |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 51.50 57.50 67.00 | ДКО Электронщик |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 55.01 | Интерия |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 55.94 58.88 80.69 | Спецэлсервис |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 56.50 61.50 71.50 | Терраэлектроника |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 75.00 | Ким |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | 103.07 | ЗУМ-ЭК |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | запрос | ТаймЧипс |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTG15N60S1EG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
2. | NGTB15N120IHLWG Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ON Semiconductor Corporation IGBT транзистор. | | |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 61.06 | ЗУМ-ЭК |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 61.11 | ЗУМ-ЭК |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 66.96 | T-electron |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 78.80 | Элитан |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 80.00 88.50 103.00 | ДКО Электронщик |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 80.75 87.26 96.67 111.03 | Элрус |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 85.02 | Интерия |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 89.03 93.72 128.44 | Спецэлсервис |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 89.50 97.50 114.00 | Терраэлектроника |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 91.44 94.76 112.00 | ICdarom |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 141.84 | ЗУМ-ЭК |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 146.00 | Ким |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | ЭлектроПласт - Екатеринбург |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Промэлектроника |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
3. | NGTB20N120LWG Тип корпуса: TO-247 Производитель: ON Semiconductor Corporation IGBT транзистор. | | |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | 96.14 | ЗУМ-ЭК |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | 96.23 | ЗУМ-ЭК |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | 99.88 | T-electron |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | 106.00 106.00 106.00 | ДКО Электронщик |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | 108.25 | Интерия |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | 123.92 129.44 132.79 137.25 | Элрус |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | 125.00 | Элитан |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | 136.63 139.03 139.03 | Спецэлсервис |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | 138.00 150.00 175.00 | Терраэлектроника |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | 140.89 146.92 153.00 | ICdarom |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | 183.00 | Ким |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | запрос | TradeElectronics |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | запрос | Промэлектроника |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB20N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
4. | NGTB25N120LWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 192 Вт | | |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 114.94 | ЗУМ-ЭК |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 115.05 | ЗУМ-ЭК |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 122.28 | T-electron |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 135.59 146.51 162.33 186.42 | Элрус |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 138.00 153.00 179.00 | ДКО Электронщик |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 140.00 | Элитан |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 147.04 | Интерия |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 149.49 157.36 215.67 | Спецэлсервис |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 151.00 164.00 192.00 | Терраэлектроника |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | 237.00 | Ким |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | запрос | Промэлектроника |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB25N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
5. | NGTB15N120LWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 156 Вт | | |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | 44.74 | ЗУМ-ЭК |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | 93.84 | ЗУМ-ЭК |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | 99.83 | T-electron |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | 112.24 121.27 134.35 154.30 | Элрус |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | 116.00 129.00 150.00 | ДКО Электронщик |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | 123.31 | Интерия |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | 123.75 130.25 178.51 | Спецэлсервис |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | 125.00 136.00 159.00 | Терраэлектроника |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | 134.00 | Элитан |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | 196.00 | Ким |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | запрос | Промэлектроника |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB15N120LWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
6. | NGD8205ANT4G Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 350 V | | |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | 49.25 | ЗУМ-ЭК |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | 54.00 | T-electron |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | 63.47 68.58 75.99 87.27 | Элрус |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | 68.83 | Интерия |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | 69.98 73.66 100.96 | Спецэлсервис |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | 70.50 76.50 89.50 | Терраэлектроника |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | 115.00 | Ким |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | запрос | TradeElectronics |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | запрос | ЭФО |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGD8205ANT4G ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
7. | NGTB20N120IHLWG IGBT 1200V 20A FS1 Induction Heating | | |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | 80.55 | T-electron |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | 107.00 117.00 136.00 | Терраэлектроника |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | 107.61 | Интерия |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | 125.00 | Элитан |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | 163.00 | Ким |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | ТаймЧипс |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Элрус |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | ДКО Электронщик |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
8. | NGTB25N120IHLWG Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube, RoHS: compliant | | |
| NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor | 53.88 | T-electron |
| NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor | 70.00 76.50 89.50 | Терраэлектроника |
| NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor | 124.00 | Элитан |
| NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor | 129.82 138.48 188.83 | Спецэлсервис |
| NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor | 160.00 | Ким |
| NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | МосЧип |
| NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Элрус |
| NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | ДКО Электронщик |
| NGTB25N120IHLWG ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
9. | NGTB15N60S1EG Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, RoHS: no, exemption | | |
| NGTB15N60S1EG ON Semiconductor | 38.54 | ЗУМ-ЭК |
| NGTB15N60S1EG ON Semiconductor | 47.25 | T-electron |
| NGTB15N60S1EG ON Semiconductor | 50.50 | Элитан |
| NGTB15N60S1EG ON Semiconductor | 53.11 56.65 77.25 | Спецэлсервис |
| NGTB15N60S1EG ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGTB15N60S1EG ON Semiconductor | запрос | Элрус |
| NGTB15N60S1EG ON Semiconductor | запрос | ДКО Электронщик |
| NGTB15N60S1EG ON Semiconductor | запрос | Промэлектроника |
| NGTB15N60S1EG ON Semiconductor | запрос | Океан Электроники |
10. | NGTB15N60EG IGBT 600V 30A 117W TO220-3 | | |
| NGTB15N60EG ON Semiconductor | 42.85 | T-electron |
| NGTB15N60EG ON Semiconductor | 67.20 | Элитан |
| NGTB15N60EG ON Semiconductor | запрос | ЭлектроПласт |
| NGTB15N60EG ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGTB15N60EG ON Semiconductor | запрос | Элрус |
| NGTB15N60EG ON Semiconductor | запрос | ДКО Электронщик |
11. | NGD18N40ACLBT4G Ignition IGBT, N-Channel, 18 A, 400 V | | |
| NGD18N40ACLBT4G ON Semiconductor | 378.00 | Ким |
| NGD18N40ACLBT4G ON Semiconductor | запрос | T-electron |
| NGD18N40ACLBT4G ON Semiconductor | запрос | МосЧип |
| NGD18N40ACLBT4G ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGD18N40ACLBT4G ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGD18N40ACLBT4G ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
12. | NGTB30N120IHSWG Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200/30A IGBT LPT TO-247 | | |
| NGTB30N120IHSWG ON Semiconductor | 141.15 152.51 168.98 194.06 | Элрус |
| NGTB30N120IHSWG ON Semiconductor | 144.00 160.00 186.00 | ДКО Электронщик |
| NGTB30N120IHSWG ON Semiconductor | 153.06 | Интерия |
| NGTB30N120IHSWG ON Semiconductor | 167.59 175.83 184.76 199.96 225.04 | Элрус |
| NGTB30N120IHSWG ON Semiconductor | 168.80 214.83 | Промэлектроника |
| NGTB30N120IHSWG ON Semiconductor | запрос | ЭлектроПласт - Екатеринбург |
13. | NGB8207BNT4G Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 365 V | | |
| NGB8207BNT4G ON Semiconductor | 106.00 | Ким |
| NGB8207BNT4G ON Semiconductor | запрос | T-electron |
| NGB8207BNT4G ON Semiconductor | запрос | Кремний |
| NGB8207BNT4G ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
| NGB8207BNT4G ON Semiconductor | запрос | Электроник Юниверс |
14. | FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт | | |
| FGH40N60SFDTU ON Semiconductor | 124.49 134.52 149.04 171.16 | Элрус |
| FGH40N60SFDTU Fairchild | 132.54 168.50 | Промэлектроника |
| FGH40N60SFDTU ON Semiconductor | 135.00 | Интерия |
| FGH40N60SFDTU Fairchild | 138.84 | Интерия |
| FGH40N60SFDTU ONS-FAIR - | 143.03 154.56 171.24 196.66 | Элрус |
| FGH40N60SFDTU ONS-FAIR - | 150.60 | Интерия |
| FGH40N60SFDTU Fujitsu-Siemens | 156.44 164.23 172.66 187.03 210.75 | Элрус |
| FGH40N60SFDTU ON Semiconductor | 159.56 203.08 | Промэлектроника |
| FGH40N60SFDTU ON Semiconductor | 201.71 211.35 221.77 239.48 268.68 | Элрус |
15. | FGA25N120ANTDTUIGBT NPT TO-3PN Transistor Type:IGBT Transistor Polarity:N Channel Voltage Vces:1200V Current Ic Continuous a Max:50A Voltage Vce Sat Max:2.5V Power Dissipation:312mW Case Style:TO-3PN Termination Type:Through Hole Current Ic | | |
| FGA25N120ANTDTU ONS-FAIR - | 111.90 120.92 133.97 153.87 | Элрус |
| FGA25N120ANTDTU ON Semiconductor | 117.00 130.00 151.00 | ДКО Электронщик |
| FGA25N120ANTDTU ON Semiconductor | 117.00 130.00 151.00 | ДКО Электронщик |
| FGA25N120ANTDTU ON Semiconductor | 117.68 151.31 | Промэлектроника |
| FGA25N120ANTDTU ONS-FAIR - | 124.40 | Интерия |
| FGA25N120ANTDTU ON Semiconductor | запрос | Элрус |
16. | HGTG30N60A4DHGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247] | | |
| HGTG30N60A4D Fairchild | 251.54 | ЗУМ-ЭК |
| HGTG30N60A4D ON Semiconductor | 258.53 329.03 | Промэлектроника |
| HGTG30N60A4D ONS-FAIR - | 317.04 | Интерия |
| HGTG30N60A4D ON Semiconductor | 370.20 386.43 403.92 433.34 481.74 | Элрус |
| HGTG30N60A4D Fairchild | 376.18 | Интерия |
| HGTG30N60A4D Fairchild | 744.70 | Кремний |
| HGTG30N60A4D Fairchild | запрос | T-electron |
| HGTG30N60A4D Fairchild | запрос | Электроник Юниверс |
| HGTG30N60A4D Fairchild | запрос | Кремний |
| HGTG30N60A4D Fairchild | запрос | Кремний |
| HGTG30N60A4D ONS-FAIR - | запрос | Элрус |
| HGTG30N60A4D ON Semiconductor | запрос | ДКО Электронщик |
| HGTG30N60A4D ON Semiconductor | запрос | ДКО Электронщик |
| HGTG30N60A4D Fairchild | запрос | Электроник Юниверс |
| HGTG30N60A4D Fairchild | запрос | Электроник Юниверс |
| HGTG30N60A4D Fairchild | запрос | Электроник Юниверс |
| HGTG30N60A4D Fairchild | запрос | Электроник Юниверс |
17. | NGTB30N120LWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А | | |
| NGTB30N120LWG ON Semiconductor | 255.60 276.19 306.00 351.43 | Элрус |
| NGTB30N120LWG ON Semiconductor | 260.00 289.00 337.00 | ДКО Электронщик |
| NGTB30N120LWG ON Semiconductor | 277.18 | Интерия |
| NGTB30N120LWG ON Semiconductor | запрос | Промэлектроника |
18. | NGD8201ANT4G Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 20 А, 125 Вт | | |
| NGD8201ANT4G Littelfuse | 59.95 64.79 71.79 82.44 | Элрус |
| NGD8201ANT4G Littelfuse | 64.79 | Интерия |
| NGD8201ANT4G ON Semiconductor | 70.81 | Интерия |
| NGD8201ANT4G ON Semiconductor | 71.68 97.74 | Промэлектроника |
| NGD8201ANT4G ON Semiconductor | 116.61 122.70 129.31 140.64 159.35 | Элрус |
| NGD8201ANT4G ON Semiconductor | запрос | Элрус |
19. | NGTB20N120IHSWG Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200/20A IGBT LPT TO-247 | | |
| NGTB20N120IHSWG ON Semiconductor | 128.32 | Интерия |
| NGTB20N120IHSWG ON Semiconductor | запрос | LifeElectronics |
| NGTB20N120IHSWG ON Semiconductor | запрос | ДКО Электронщик |
20. | HGTG11N120CND HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247] | | |
| HGTG11N120CND ON Semiconductor | 113.09 143.94 | Промэлектроника |
| HGTG11N120CND Fairchild | 118.20 | ЗУМ-ЭК |
| HGTG11N120CND Fairchild | 119.07 | Интерия |
| HGTG11N120CND ONS-FAIR - | 126.79 137.01 151.80 174.33 | Элрус |
| HGTG11N120CND ON Semiconductor | 133.00 148.00 173.00 | ДКО Электронщик |
| HGTG11N120CND ONS-FAIR - | 141.75 | Интерия |
| HGTG11N120CND Fairchild | 166.30 | Контест |
| HGTG11N120CND Fairchild | 166.30 | Контест |
| HGTG11N120CND ON Semiconductor | 179.48 188.21 197.67 213.75 240.27 | Элрус |
| HGTG11N120CND Fairchild | 191.00 | Ким |
| HGTG11N120CND Fairchild | запрос | T-electron |
| HGTG11N120CND Fairchild | запрос | Кремний |
| HGTG11N120CND Fairchild | запрос | Кремний |
| HGTG11N120CND Fairchild | запрос | Океан Электроники |
| HGTG11N120CND Fairchild | запрос | Электроник Юниверс |
| HGTG11N120CND Fairchild | запрос | Электроник Юниверс |
| HGTG11N120CND Fairchild | запрос | Электроник Юниверс |