Цены - IGBT транзисторные сборки и модули - STMicroelectronics

Найдено: 308 Вывод: 1-20 (83 предложений)
  1. IGBT силовой модуль - Примечания: IGBT, IPM 3 PHASE, 10A, 600V, 25SDIP; Module Configuration:3-Phase Bridge; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:10A;…
    STGIPS10K60A - STMicroelectronics - 351,64 ₽Стандарт СИЗ
    STGIPS10K60A - STMicroelectronics - 590,70 ₽T-electron
    STGIPS10K60A - STMicroelectronics - 602,00 ₽Элитан
    STGIPS10K60A - STMicroelectronics - 932,98 ₽Терраэлектроника
    STGIPS10K60A - STMicroelectronics - 1 016,34 ₽Триема
    STGIPS10K60A - STMicroelectronics - 1 163,00 ₽Ким
    STGIPS10K60A - STMicroelectronicsЗУМ-СМД
    STGIPS10K60A - STMicroelectronicsЭлрус
  2. IGBT силовой модуль - Примечания: IGBT, IPM 3 PHASE, 14A, 600V, 38SDIP; Module Configuration:3-Phase Bridge; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:15A;…
    STGIPL14K60 - STMicroelectronics - 499,09 ₽Стандарт СИЗ
    STGIPL14K60 - STMicroelectronics - 775,00 ₽Элитан
    STGIPL14K60 - STMicroelectronics - 801,09 ₽T-electron
    STGIPL14K60 - STMicroelectronics - 1 419,30 ₽Терраэлектроника
    STGIPL14K60 - STMicroelectronics - 1 437,90 ₽Триема
    STGIPL14K60 - STMicroelectronicsЗУМ-СМД
    STGIPL14K60 - STMicroelectronicsЭлрус
  3. IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 410 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.2 В; tнар: 1.3 мкс; tспада: 3.6 мкс
    STGB10NB37LZT4 - STMicroelectronics - 67,17 ₽Стандарт СИЗ
    STGB10NB37LZT4 - STMicroelectronics - от 90,37 ₽Элрус
    STGB10NB37LZT4 - STMicroelectronics - от 102,00 ₽Терраэлектроника
    STGB10NB37LZT4 - STMicroelectronics - 114,32 ₽ЗУМ-СМД
    STGB10NB37LZT4 - STMicroelectronics - 131,17 ₽Контест
  4. IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 45 А; Uкэ.нас: 1.65 В; Диод tвосст: 140 нс; Диод Uпад: 1.65 В
    STGW45HF60WD - STMicroelectronics - 163,15 ₽ЗУМ-СМД
    STGW45HF60WD - STMicroelectronics - от 230,00 ₽Терраэлектроника
    STGW45HF60WD - STMicroelectronics - 295,62 ₽Контест
    STGW45HF60WD - STMicroelectronicsTMElectronics
  5. Высокоскоростной igbt-транзистор на 1300В, 25А, 180Вт, низкое напряжение насыщения
    STGW38IH130D - от 93,80 ₽PL-1
    STGW38IH130D - STMicroelectronics - от 147,44 ₽Элрус
    STGW38IH130D - STMicroelectronics - 151,94 ₽ЗУМ-СМД
    STGW38IH130D - STMicroelectronics - 221,59 ₽Контест
    STGW38IH130D - STMicroelectronics - 502,07 ₽Терраэлектроника
  6. Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
    STGW30NC60KD - STMicroelectronics - 127,21 ₽Контест
    STGW30NC60KD - STMicroelectronics - от 132,82 ₽TMElectronics
    STGW30NC60KD - STMicroelectronics - 269,05 ₽Терраэлектроника
  7. IGBT N-CH CLAMPED 20A D2PAK
    STGB20NB37LZT4 - STMicroelectronics - 56,30 ₽Стандарт СИЗ
    STGB20NB37LZT4 - STMicroelectronics - 149,16 ₽Контест
    STGB20NB37LZT4 - STMicroelectronics - 410,75 ₽Терраэлектроника
  8. IGBT транзистор - [TO-252-3]
    STGD3NB60SDT4 - STMicroelectronics - 15,18 ₽Стандарт СИЗ
    STGD3NB60SDT4 - STMicroelectronics - от 40,70 ₽Терраэлектроника
    STGD3NB60SDT4 - STMicroelectronics - 75,73 ₽Контест
  9. N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 10 а семейства powermeshTM
    STGP10NB60S - STMicroelectronics - 38,80 ₽Стандарт СИЗ
    STGP10NB60S - STMicroelectronics - 92,77 ₽Контест
    STGP10NB60S - STMicroelectronics - 145,50 ₽Терраэлектроника
  10. Биполярный транзистор IGBT, 20 А, 167 Вт, 600 В Корея, Республика
    STGWT20H60DF - STMicroelectronics - 80,67 ₽Стандарт СИЗ
    STGWT20H60DF - STMicroelectronics - от 124,14 ₽Элрус
    STGWT20H60DF - STMicroelectronics - 143,88 ₽ЗУМ-СМД
    STGWT20H60DF - STMicroelectronics - 354,06 ₽Терраэлектроника
  11. IGBT транзистор - [TO-252-3]; Uкэ.макс: 1.2 кВ; Iк@25°C: 5 А; Uкэ.нас: 2 В
    STGD5NB120SZT4 - STMicroelectronics - от 85,46 ₽TMElectronics
    STGD5NB120SZT4 - STMicroelectronics - 163,53 ₽Терраэлектроника
    STGD5NB120SZT4 - STMicroelectronicsЗУМ-СМД
  12. Транзистор: IGBT; 1200В; 5А; 75Вт; IPAK
    STGD5NB120SZ-1 - STMicroelectronics - 26,94 ₽Стандарт СИЗ
    STGD5NB120SZ-1 - STMicroelectronics - от 93,82 ₽TMElectronics
    STGD5NB120SZ-1 - STMicroelectronics - 148,08 ₽Терраэлектроника
  13. IGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
    STGW30V60DF - STMicroelectronics - 104,39 ₽Стандарт СИЗ
    STGW30V60DF - STMicroelectronics - от 213,50 ₽TMElectronics
    STGW30V60DF - STMicroelectronics - 273,40 ₽Терраэлектроника
  14. IGBT Transistors Trench gate H series 600V 10A HiSpd
    STGF10H60DF - STMicroelectronics - 47,01 ₽Стандарт СИЗ
    STGF10H60DF - STMicroelectronics - 163,53 ₽Терраэлектроника
    STGF10H60DF - STMicroelectronicsЗУМ-СМД
  15. IGBT Transistors Trench gate H series 600V 10A HiSpd
    STGP10H60DF - STMicroelectronics - 45,28 ₽Стандарт СИЗ
    STGP10H60DF - STMicroelectronics - 163,53 ₽Терраэлектроника
    STGP10H60DF - STMicroelectronicsЗУМ-СМД
  16. IGBT транзистор - [TO-252-3]; Uкэ.макс: 420 В; Iк@25°C: 25 А; Uкэ.нас: 1.3 В
    STGD18N40LZT4 - от 43,20 ₽PL-1
    STGD18N40LZT4 - STMicroelectronics - от 73,00 ₽Терраэлектроника
    STGD18N40LZT4 - STMicroelectronics - 107,34 ₽Контест
  17. IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V
    STGB18N40LZT4 - STMicroelectronics - от 51,50 ₽Терраэлектроника
    STGB18N40LZT4 - STMicroelectronics - 70,54 ₽Контест
  18. IGBT транзистор - [TO-252-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 7 А; Uкэ.нас: 1.9 В
    STGD6NC60HDT4 - STMicroelectronics - 48,91 ₽Контест
    STGD6NC60HDT4 - STMicroelectronics - 113,05 ₽Терраэлектроника
  19. IGBT транзистор - [TO-252-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 14 А; Uкэ.нас: 2 В
    STGD14NC60KT4 - STMicroelectronics - 56,93 ₽Контест
    STGD14NC60KT4 - STMicroelectronics - 140,36 ₽Терраэлектроника
  20. Быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 45 а
    STGW45NC60VD - STMicroelectronics - 121,99 ₽Стандарт СИЗ
    STGW45NC60VD - STMicroelectronics - 171,66 ₽Контест